(БҰРЫНҒЫ РЕДАКЦИЯ) ҚР ҮКІМЕТІНІҢ 2008 ЖЫЛҒЫ 5 АҚПАНДАҒЫ № 104 ҚАУЛЫСЫ

3А101 3А001 тармақта сипатталғандардан ерекшеленетін мыналар секілді электронды жабдық, құрылғылар мен компоненттер:

а. Жоғары қорғалымдағы жабдық үшін әскери ерекшеліктерге сәйкес әзірленген, «реактивті снарядтарда» пайдалану үшін жарамды үйлесімді-цифрлық түрлендіргіштер.

b. 2 МэВ немесе одан артық жеделдетілген электрондардың тежегіштік сәулеленуінің есебінен электр магнитті сәулелену жасайтын жеделдеткіштер және осындай құрылғылары бар жүйелер;

Ескерту: 3А101.b. тармақ бойынша егер ол медициналық мақсатқа арналған болса, жоғарыда сипатталған жабдық бақыланбайды.

3А102 «Реактивті снарядтар» үшін әзірленген немесе модификацияланған «жылу батареялары».

Техникалық ескертпелер.

1. 3А102-тармақта «жылу батареялары» құрамында электролит ретінде өткізбейтін қатты бейорганикалық тұз бар, бір реттік қолданылатын батареялар түрінде айқындалады. Бұл батареялар, жалындау барысында электролитті балқытатын және батареяны жандандыратын пиролитті материалдардан тұрады.

2. 3А102-тармақта «реактивті снаряд» ұзақтығы 300 км асатын зымыран жүйелерін және пилотсыз әуе ұшу аппараттарын білдіреді.

3А001 3А201 тармақта сипатталғандардан ерекшелігі бар, мыналар секілді электронды компоненттер:

а. Келесі сипаттамалар жиынтығының кез келгеніне ие конденсаторлар:

1. а. Кернеуі 1,4 кВ-ден астам,

b. Энергияның запасы 10 Дж-ден астам,

с. Сыйымдылығы 0,5 мкФ-ден астам, және

d. Дәйекті индуктивтілігі 50 нГ-ден кем; немесе

2. а. Кернеуі 750 В-дан астам,

b. Сыйымдылығы 0,25 мкф-тен астам,

с. Дәйекті индуктивтілігі 10 нГ-тен кем;

b. Бір мезгілде барлық келесі сипаттамаларға ие аса өткізгіш соленотдальды электро-магниттер:

1. Магниттік өріс жасау қабілеті 2 Т-дан жоғары;

2. Ұзындығының ішкі диаметрге арақатынасы (L/D) 2-ден артық;

3. Ішкі диаметрі 300 мм-ден артық; және

4. Орталығы бойынша ішкі көлемнің 50%-і шегінде 1%-тен жақсы магниттік өрістің біртектілігі;

Ескерту: 3А201.b. тармақ бойынша бейнелеудің медициналық ядролық магниттік-резонанстық (ЯМР) жүйелер үшін арнайы әзірленген магниттер және олардың құрамдас бөліктері экспорттық бақылауға жатпайды. «Құрамдас бөлік» сөзі сол жабдықтың өзінің табиғи бөлігін білдіруі міндетті емес. Тиісті экспорттық құжаттарда құрамдас бөліктердің байланысы анық көрсетілген жағдайда түрлі көздерден жекелеген жөнелтулер жасауға жол беріледі.

с. Келесі сипаттамалар жиынтығының кез келгеніне ие, импульстік рентгендік генераторлар немесе импульстік электронды жеделдеткіштер:

1. а. Жеделдеткіш электрондарының ең жоғары энергиясы 500 кэВ немесе одан астам, бірақ 25 МэВ кем; және

b. Сапасы (К) 0,25 немесе одан астам, немесе

2. а. Электрондардың ең жоғары энергиясы 25 МэВ немесе одан астам, және

b. «Қуат шыңы» 50 МВт астам

Ескерту: 3А201.c. тармақ бойынша электр шоқтарын немесе рентген сәулелерін (мысалы, электрондық микроскопия) алудан гөрі өзге мақсаттарға арналған құрылғылардың және медициналық мақсатқа арналған құрылғылардың құрамдас бөліктері болып табылатын жеделдеткіштер бақыланбайды:

Техникалық ескерту:

1. К «коэффициент сапасы» мына формула бойынша айқындалады:

K=1,7x10^(3)V^(2,65)Q

мұндағы V - электрондардың мегаэлектровольттардағы ең жоғары энергия.

Егер жеделдеткіш шоғы импульсінің ұзындығы 1 мкс-тен кем немесе оған тең болса, онда Q - кулондағы жиынтық жеделдетілген заряд. Егер жеделдеткіш шоғының ұзындығы 1 мкс болса, онда бұл - 1 мкс-тегі ең жоғары жеделдетілген заряд.

t интервалы бойынша Q і интервалына тең, і интервалы 1 мкс-тен немесе шоқ импульсінің (Q =Sidt) ұзақтығынан аз шаманы білдіреді, мұнда і - ампермен алғандағы шоқ тогі, і - секундпен алғандағы уақыт;

2. «Қуат шыңы» = (вольттағы ең жоғары әлеует) ампердегі шоқтың тогына көбейтілген х.

3. Микротолқынды жеделдеткіш белдеулерде орын тепкен құрылғылардағы шоқ импульсінің ұзақтығы - бұл екі шаманың неғұрлым азы: 1 мкс немесе микротолқынды модулятор импульсінің ұзақтығымен айқындалатын шоқ импульсі пакетінің топтанған ұзақтығы.

4. Микротолқынды жеделдеткіш белдеулерінде орын тепкен құрылғылардағы ең жоғары ток - бұл токтың шоқ импульстерінің топтастырылған пакеті ұзақтығының бойындағы орташа шама.

3А225 0В001.b.13 тармақтарда сипатталғандардан ерекшелігі бар, келесі барлық сипаттамаларға ие жиіліктердің түрлендіргіштері немесе генераторлар:

а. Қуаты 40 Вт немесе одан астам көп фазалы шығу;

b. 600-ден 2000 Гц-ге дейінгі жиіліктер интервалында жұмыс істейді;

с. Жиынтық сызықтық емес бұрмалану 10% -тен жақсы (төмен); және

d. Жиіліктерді 0,1% кем (жақсы) дәлдікпен реттеу.

Техникалық ескерту:

3А225 тармақтағы жиіліктердің түрлендіргіштері сондай-ақ инверторлар немесе конверторлар ретінде белгілі.

3А226 0B001.j.6. тармақтарда сипатталғандардан ерекшелігі бар, келесі сипаттамалардың екеуіне де ие тұрақты токтың қуатты көздері:

а. 100 В астам кернеу кезінде және 500 А немесе одан астам шығу тоғында 8 сағаттан астам үздіксіз жұмыс істеуге қабілетті;

b. Токтың немесе кернеудің тұрақтылығы 8 сағаттық уақыт кезеңінде 0,1%-тен жақсы.

3А227 0B001.j.5. тармақта сипатталғандардан ерекшелігі бар, келесі сипаттамалардың екеуіне де ие тұрақты токтың жоғары вольтты көздері:

а. 8 сағат бойы 1 А немесе одан жоғары шығу тоғы кезінде 20 кВ немесе одан астам кернеу туғызуға қабілеті; және

е. Токтың немесе кернеудің тұрақтылығы 8 сағаттық уақыт кезеңінде 0,1%-тен жақсы.

3А228 Мыналар секілді қосушы құрылғылар:

а. Газбен толтырылуы немесе толтырылмауына қарамастан, ұшқындық күшейткіш ретінде жұмыс істейтін және барлық мынадай сипаттамаларға ие, салқын катодты түтіктер:

1. Үш немесе одан көп электродтары бар;

2. Ең жоғары анодтық кернеуі 2,5 кВ немесе одан астам;

3. Ең жоғары анодтық ток 100 А немесе одан астам;

4. Анодтық кідірісі 10 мкс немесе одан кем;

Ескерту: 3А228 тармағы газ толтырылған криптонды лампаларды және вакуумды спрайтрондарды қамтиды.

b. Келесі сипаттамалардың екеуіне де ие басқарылатын ұшқынды разрядниктер:

1. Анодтың кідірісі 15 мкс-тен жоғары емес; және

2. 500 А немесе одан астам ең жоғары тогқа есептелінген;

с. Барлық келесі сипаттамаларға ие тез қосуға арналған модульдер немесе жинамалар:

1. Ең жоғары анодтық кернеу 2 кВ немесе одан астам;

2. Ең жоғары анодтық ток 500 А немесе одан астам; және

3. Қосу уақыты 1 мкс немесе одан астам;

3А229 Мыналар секілді іске қосу құрылғылары және ток күші жоғары барабар импульстік генераторлар:

Ерекше ескерту: сондай-ақ әскери тізімді қараңыз

а. 2А232 тармақта көрсетілген басқарылатын детонаторларды қатарлас іске қосу үшін әзірленген жару құрылғылары детонаторларының іске қосу құрылғылары;

b. Келесі барлық сипаттамаларға ие модульді-электрлі импульстік генераторлар:

1. Портативтік, ұтқыр немесе қатаңдатылған режимде пайдалануға арналған;

2. Шаң өтпейтін корпуста орындалған;

3. 15 мкс-тен кем уақыт барысында қосалқы энергия бөлуге қабілетті;

4. Шығуында 100 А жоғары ток беретін;

5. 40 Ом-нан кем жүктеме қарсылығы кезінде импульстің «есу уақыты» 10 мкс-тен кем;

6. Мөлшерлердің бірде бірі 254 мм аспайды;

7. Салмағы 25 кг-нан аз; және

8. 223 К (-50^oС) бастап 373 К (100^oС)-ге дейінгі температура диапазонында пайдалануға бейімделген немесе ғарышта пайдалануға жарамды ретінде көрсетілген.

Ескерту: 3А229.b. ксенонды жарық шоғырлы драйверлерді қамтиды.

Техникалық ескерту:

3А229.b.5 тармақта «өсу уақыты» тиісті жүктеме арқылы өтетін токтың 10% және 90% ампуласының арасындағы уақытша интервал ретінде айқындалады

3А230 Мынадай сипаттамалардың екеуіне де ие аса жылдам импульстік генераторлар:

а. 55 Ом-нан кем резистивті жүктеме кезінде шығуында 6 В-дан астам кернеу, және

b. Импульстің өсу уақыты (шептің ұзақтығы) 500 пс-тен кем

Техникалық ескерту:

3А230 тармақта «өсу уақыты» кернеу амплитудасының 10% және 90% аралығында уақытша интервал ретінде айқындалады.

3А231 Түтіктерді қамтитын, мынадай сипаттамалардың екеуіне де ие нейтронды генераторлар жүйелері:

а. Сыртқы вакуумдық жүйесіз жұмыс үшін құрастырылған; және

b. Тритийлі-дейтерилі ядролық реакцияны индицирлеу үшін электростатикалық жеделдетуді пайдаланушы

3А232 Мыналар секілді детонаторлар және көп нүктелі бастамашы жүйелер:

Ерекше ескерту: сондай-ақ әскери тізімді қараңыз

а. Мыналар секілді электродетонаторлар:

1. Жарылатын мойнапты;

2. Жарылатын мойнапты-сымды;

3. Соққылық әсерлі;

4. Жарылатын фольгалы инициаторлар;

b. Бір немесе бірнеше детонаторларды пайдаланатын, бірыңғай сигнал бойынша 5000 шаршы мм астам бетте жарылғыш заттардың бүкіл алаң бойынша 2,5 мкс-тен кем түрлі уақыттылықпен бір мезгілде іске қосуға арналған құрылғылар.

Ескерту: 3А232 тармақ бойынша қорғасынның азиді секілді тек бастапқы ВВ пайдаланатын детонаторлар экспорттық бақылауға жатпайды.

Техникалық ескерту:

3А232.а. тармақта көрсетілген барлық детонатор өзі арқылы қуатты электрлік импульс өткен кезде жарылыспен бірге буланып кететін кіші электр өткізгішін (көпір, жарылатын сым немесе фольга) пайдаланады. Соққысыз үлгідегі жарғыштардағы жарғыш сым өзімен байланысатын РЕТМ (пентаэритритолтетранитрат) секілді жарғыш затта (ЖЗ) химиялық детонация тудырады. Соққылық детонаторларда сымның жарылыстық булануы саңылаудағы соққылаушыны немесе пластинканы қозғалысқа келтіреді, ал пластинканың ЖЗ-ға әсер етуі химиялық детонацияға бастау береді. Кейбір конструкциядағы соққылаушы магниттік өріспен жеделдетіледі. Жарылатын фольгалы детонатор термині жарылатын сымы бар детонаторларға да, соққылы үлгідегі детонаторларға да қатысты. Бұдан басқа детонатор терминінің орнына инициатор термині қолданылады.

3А233 0В002.g. тармақта сипатталғандардан ерекшеленетін 230 және одан астам атомның массалық сандарының мәнін өлшеуді қамтамасыз ететін, 2 бөлікті 230-ден жақсы шешім қабілеті немесе олар үшін ионның көздері, оның ішінде мыналар бар масс-спектрометрлер:

а. Индуктивті байланысқан плазмалы (ПМС/ИС) масс-спектрометрлер;

b. Тұнбалы разрядты масс-спектрометрлер (ТРМС);

с. Термоионизациялы масс-спектрометрлер (ТИМС);

d. Уран гексафторидіне төзімді материалдардан құрастырылған немесе сондай материалдармен қорғалған ионизацияланған камералары бар электронды соққылы масс-спектрометрлер;

е. Молекулярлық шоғыры бар, мыналар секілді масс-спектрометрлер:

1. Тоттанбайтын болаттан немесе молибденнен құрастырылған немесе олармен қорғалған ионизациялық камерасы және 193 К (-80oС) немесе одан төмен салқындатуды қамтамасыз ететін салқындату камерасы бар; немесе

2. Уран гиксафторидіне қатысты төзімді материалдардан құрастырылған немесе сондай материалдармен қорғалынған ионизациялық камерасы бар;

f. Микрофтористік ион көзімен жабдықталған, актиниттермен немесе актиниттердің фторидтермен пайдалану үшін әзірленген масс-спектрометрлер;

3В Сынақ, бақылау және өндірістік жабдығы

3В001 Жартылай өткізгіш жабдықтар немесе материалдар өндіруге арналған төменде санамаланған жабдық және олар үшін арнайы әзірленген компоненттер мен керек-жарақтар:

а. Эпитаксиальдік өсіруге арналған, мыналар секілді қондырғылар:

1. Мыналарды шығаруға қабілетті жабдық:

а. 200 мм немесе одан астам уақыт бойында +/- 2,5%-тен кем біркелкі қалыңдықты кремний қабаты; немесе

b. 75 мм немесе одан астам уақыт бойында +/- 2,5% -тен кем біркелкі қалыңдықты кремнийден басқа кез келген материал;

2. 3С003 немесе 3С004 тармақ бойынша бақыланатын материалдардың арасындағы химиялық реакциялардың көмегімен күрделі жартылай өткізгіштердің кристалдарын алу үшін арнайы әзірленген металл-органикалық қосылыстардың буын химиялық шектіру қондырғылары;

3. Газды көздерді пайдаланатын эпитаксиалды өсірудің молекулярлық-сәулелік қондырғылары;

b. Келесі сипаттамалардың кез келгеніне ие, иондық имплантация үшін әзірленген қондырғылар:

1. 1 МэВ-дан жоғары шоғыр энергетикасы (жеделдететін кернеу);

2. 2 кэВ-ден төмен шоғыр энергетикасымен (жеделдететін кернеумен) жұмыс үшін арнайы жобаланған және оңтайландырылған;

3. Тікелей жазу қабілеті бар; немесе

4. Жартылай өткізгіш материалдардың қыздырылған «табанына» оттегіні жоғары энергетикалық имплантациялауға жарамды 65 кэВ немесе одан жоғары шоғыр энергетикасы және 45 миллиампер немесе одан жоғары шоғыр тоғы;

с. Анизотропты плазмамен құрғақ өңдеуге арналған мыналар секілді жабдық:

1. Келесі сипаттамалардың кез келгеніне ие, пластиндерді касеттеп өңдеу және толтыру шлюздері арқылы толтыру:

а. 0,3 um немесе + 5% 3 сигма-дәлдіктен аз шекті шаманы алу үшін жобаланған немесе оңтайландырылған; немесе

b. Диаметрі бойынша 0,1 um-нан жоғары жиіліктің өлшеуіш мөлшерінде 0,04 см2-ден кем бөлшектер тудыру үшін жобаланған;

2. 3Е001.е. тармақ бойынша бақыланатын ие жабдық үшін арнайы жобаланған және келесі сипаттамалардың кез келгеніне;

а. 0,3 um немесе +5 % 3 сигма-дәлдіктен аз шекті шаманы алу үшін жобаланған немесе оңтайландырылған; немесе

b. Диаметрі бойынша 0,12 um-нан жоғары жиіліктің өлшеуіш мөлшерінде 0,04 см2-ден кем бөлшектер тудыру үшін жобаланған;

d. Мыналар секілді химиялық бу-газды шөктіру және плазмалық ынталандыру қондырғылары:

1. Өндірушінің техникалық ерекшелемелеріне сәйкес жобаланған немесе шекті шамасы 180 нм немесе одан аз жартылай өткізгішті құрылғылар өндірісінде пайдалану үшін оңтайландырылған пластиндерді касеттеп өңдеу және тиеу шлюздері арқылы жүктеме;

2. Өндірушінің техникалық ерекшелемелеріне сәйкес 3Е001.е. тармақ бойынша бақыланатын жабдық үшін арнайы жобаланған немесе шекті шамасы 180 нм немесе одан аз жартылай өткізгішті құрылғылар өндірісінде пайдалану үшін оңтайландырылған;

е. Келесі барлық құраушыларға ие, енгізілген бағдарламалармен басқарылатын, пластиндерді орталық толтыруы бар автоматты түрде жүктемеленетін көп камералы жүйелер:

1. Жартылай өткізгіштерді өңдеуге арналған жабдықтардың екеуден көп бірлігі жалғанатын пластиндерді толтыруға және босатуға арналған интерфейстар; және

2. Вакуумдық ортада пластиндерді жүйелі көп позициялы өңдеудің интеграциялы жүйесіне арналған;

Ескерту: 3В001.е. тармақ вакуумдық жұмыс істеуге арналмаған жүктеудің автоматты роботты техникалық жүйелерін бақыламайды;

f. Мыналар секілді литографиялық қондырғылар:

1. Келесі құраушылардың кез келгенінде ие, пластиндерді фотооптикалық немесе рентгендік литография әдісімен өңдеуге арналған көп мәрте жалғау (пластинге тікелей қадам) және экспонирлау және қадамдық экспонирлау және сканирлеу (сканер) қондырғылары:

а. 350 мм-нен қысқа толқын ұзындығы бар жарық көзі; немесе

b. Суретті 0,35 мкм-нан бастап және одан кем ең төмен мөлшерлі шешіммен беру қабілетті;

Техникалық ескерту: Шешімнің ең төменгі мөлшері (ШТМ) келесі формула бойынша есептеледі:

(жарықтың сәулелену толқынының мкм-дағы ұзындығы) х (КФактор)

ШТМ =

цифрлық апертура

мұндағы К фактор = 0,7;

ШТМ - шешімнің ең төмен өлшемі.

2. Келесі сипаттамалардың кез келгеніне ие, ауытқитын фоксталатын электронды сәулелерді иондардың шоқтарын немесе лазердің сәулесін пайдалана отырып шаблондарды өндіру немесе жартылай өткізгіш приборларды өңдеу үшін арнайы жобаланған қондырғылар;

а. Дақтың мөлшері 0,2 мкм-нен кем;

b. 1 мкм-нен кем ең төмен рұқсат етілген жобалық нормалармен сурет шығару қабілеті; немесе

с. Орнын басу дәлдігі +/- 20 мкм (3 сигма)-дан жақсырақ;

g. 3А001 тармақ бойынша бақыланатын интегралдық схемалар үшін әзірленген шаблондар немесе аралық орта фотошаблондар;

h. Фазаны жылжытатын қабаты бар көп қабатты шаблондар;

Ескерту: 3В001.h. тармағы 3В001 тармағымен бақыланбайтын есте сақтаушы құрылғылар өндіруге арналған фазаны жылжытатын қабаты бар көп қабатты шаблондарды бақыламайды.

3В002 «Қондырылған бағдарламамен басқарылатын», дайын немесе түрлі дайындық дәрежесіндегі жартылай өткізгіш приборларды сынау үшін арнайы жобаланған сынақтар аппаратурасы және оған арнап арнайы әзірленген компоненттер мен бейімдемелер:

а. 31 ГГц-ден жоғары жиіліктердегі транзисторлық аспаптардың S-өлшемдерін өлшеуге арналған;

b. 333 МГц-ден астам жолдардың тест жүргізу жиілігімен функционалдық тесттерді орындауға қабілетті (ақиқаттық кестелер бойынша) интегралды схемаларды сынау үшін;

Ескерту: 3В002.b. тармақ төмендегілерді сынау үшін арнайы жобаланған сынақтар аппаратурасын бақыламайды;

1. Тұрмыстық немесе ойын электрондық аппаратурасына арналған «электронды жинамалар» немесе «электронды жинамалар» сыныбы аппаратураларын;

2. Бақыланбайтын электронды компоненттерді, «электронды жинамаларды» немесе интегралды схемаларды;

3. Есте сақтайтын құрылғыларды.

Техникалық ескерту:

Мұнда «тест жүргізу жиілігі» деп тестер цифрлық операцияларының жиілігі түсініледі. Сөйтіп, ол тестердің мультипликациялық режимде мәліметтер беруінің ең жоғары жылдамдығымен барабар. Ол сонымен қатар тестің жылдамдығы, ең жоғары цифрлық жиілік немесе ең жоғары цифрлық жылдамдық ретінде де белгілі.

с. 3А001.b.2. тармақта көрсетілген микротолқынды интегралды схемаларды сынау үшін;

3С Материалдар

3С001 Келесі құрауыштардың кез келгеніне ие, бірнеше мәрте өсірілген эпитоксиалды қабаттары бар «төсемдерден» тұратын, гетероэпитоксиалды материалдар:

а. Кремний;

b. Германий;

с. Кремний карбиді; немесе

d. Галий немесе индий негізіндегі ІІІ/V қосылыстары;

Техникалық ескерту:

III/V қосылыс - Менделеев периодикалық жүйесінің IIIА және VА топтары элементтерінен тұратын (мысалы, галий арсениді, галий алюминоарсениді, индий фосфиті және т.б) поликристаллды немесе екі элементті немесе күрделі монокристаллды өнімдер;

3С002 Резистік элементтер және бақыланатын резистермен қапталған «төсемдер», мыналар секілді:

а. 350 мм-не кем спектральды сезімталдыққа пайдалану үшін арнайы бейімделген (оңтайландырылған), жартылай өтгізгіш витографияға арналған оң резистер;

b. 0,1 мкКлм/шаршы мм немесе жақсы сезімталдықтағы электрондық немесе иондық сәулелермен экспонирлеу кезінде пайдалануға арналған барлық резистер;

с. 2,5 мДж/шаршы мм. немесе одан жақсырақ сезімталдықтағы, рентген сәулелерімен экспонирлеу кезінде пайдалануға арналған барлық резистер;

d. «Силицирленген» резистерлерді қоса алғанда, суретті қалыптастыру технологиясына оңтайландырылған барлық резистер.

Техникалық ескерту:

«Силицирлеу» әдісі - бұл дымқыл және құрғақ көріністердің сапасын арттыру үшін резистің бетін тотықтандыруды қамтитын процестер;

3С003 Органикалық-органикалық емес қосылыстар, мыналар секілді:

а. 99,999%-тан жоғары тазалықтағы (металл негіздегі) алюминийдің, галлийдің немесе индийдің негізіндегі органикалық металдық қосылыстар;

b. 99,999%-тан жоғары тазалықтағы (органикалық емес элементтік негіздегі) органикалық-мүсәтірлік, органикалық-сүрмелі және органикалық-фосфорлы қосылыстар;

Ескерту: 3С003 тармақ тек металдық ішінара металдық немесе металл емес элементі молекуланың органикалық бөлігіндегі көміртегімен тікелей байланысты қосылыстарды ғана бақылайды;

3С004 Инертті газдарда немесе сутегіде ерігеннен кейін де 99,999%-тен жоғары тазалыққа ие фосфордың, мүсәтірдің немесе сүрменің гидриді;

Ескерту: 3С004 тармақ инертті газдардың немесе сутегінің 20% немесе одан көп мольден тұратын гидридтерін бақыламайды;

3D Бағдарламалық қамтамасыз ету

3D001 3А001.b. бастап 3А001.g.-ні қоса алғандағы немесе 3В тармақтар бойынша бақыланатын жабдықты «әзірлеуге» немесе «өндіруге» арнайы жасалған «бағдарламалық қамтамасыз ету»

3D001

3D002 «Жабдықта» қолдану үшін арнайы жасалған «бағдарламалық қамтамасыз ету»

а. 3В001.а.-дан f-ке дейін тармақ бақылайтын жабдықта; немесе

b. 3В002 тармақ бақылайтын жабдықта;

3D002

3D003 Бүркеме шаблондарды өткізгіштердің, диэлектриктердің немесе жартылай өткізгіш материалдардың нақты топологиялық суреттеріне айналдыру мақсатында литографиялау, қорыту және шөктіру операцияларының дәйектілігін «әзірлеуге» әдейі арналған, негізі ретінде табиғи қасиеттерді білдіру алынатын «бағдарламалық қамтамасыз ету».

Техникалық ескерту: табиғи себептер мен әсерлері секілді табиғи қасиеттер дәйектілігінің негізінде айқындау үшін 3.D.3. тармағындағы «Табиғи қасиеттерді есепке алуға» негізделген есептерді пайдалану.

Ескерту: Жартылай өткізгіш приборларды немесе интегралдық схемаларды жобалауға арналған кітапханалар, жобалық атрибуттар немесе тиісті деректер, «технология» ретінде қаралады;

3D003

3D004 3А103 тармақ бойынша бақыланатын жабдықты «әзірлеуге» арнайы әзірленген «бағдарламалық қамтамасыз ету»:

3D004

3D101 3A101.b. тармағында көрсетілген жабдықты «қолдану» үшін арнайы әзірленген немесе модификацияланған «бағдарламалық қамтамасыз ету».

3D                     8523

3D101

3Е Технология

3Е001 Жалпы технологиялық ескертуге сәйкес 3А, 3В немесе 3С тармақтары бойынша бақыланатын жабдықтарды немесе материалдарды «әзірлеуге» немесе «өндіруге» арналған технология;

1-ескерту: 3Е001 тармақ 3А003 тармағы бақылайтын жабдықтар мен компоненттерді «әзірлеуге» немесе «өндіруге» арналған «технологияларды» бақыламайды.

2-ескерту: 3Е001 тармақ b. 3А001.а.3-тен 3А001. а. 12-ге дейінгі тармақтар бойынша бақыланатын, төменде санамаланған екі белгіге ие интегралдық микросхемаларды (ИС) «әзірлеуге» немесе «өндіруге» арналған «технологияларды» бақыламайды:

1. 0,5 мкм немесе одан жоғары «технологияны» пайдаланатын; және

2. «Көп қабатты» құрылымдары болмайтын;

Техникалық ескерту:

«Көп қабатты құрылымдар» термині көп дегенде үш металл қабаты немесе үш поликремний қабаты бар аспаптарды қамтымайды;

3Е001

3Е002 Жалпы технологиялық ескертуге сәйкес, 3Е001 тармағынан басқа, микробақылаулар микросхемаларын, микро ЭЕМ микросхемаларын, секундына 530 млн. немесе одан жоғары теориялық операциялық (Мтопс) «жиынтық теориялық» өнімділігіне («ЖТӨ») және таңдама ұзындығы 32 бит немесе одан жоғары арифметикалық-логикалық құрылғыға ие микробақылаулар микросхемаларын «әзірлеуге» немесе «өндіруге» арналған «технологиялар».

Ескерту: 3Е001 тармағы үшін бақылаудан босату туралы 2 ескертудің 3А002 тармағына да қатысы бар.

3Е002

3Е003 «Әзірлеуге» немесе «өндіруге» арналған басқа да «технологиялар»:

а. Вакуумды микроэлектрондық аспаптар;

b. Жоғары жылжымалы электронды транзисторлар секілді гетероқұрылымды жартылай өткізгішті аспаптар, гетероқұрылымды биполярлы транзисторлар, квантты ойықтары бар аспаптар немесе жоғары торлы аспаптар

Ескерту: 3Е003.b. тармағы 31,8 ГГц-дан төмен жиіліктерде жұмыс істейтін жоғары жылжымалы электронды транзисторлар және 31,8 ГГц-дан төмен жиіліктерде жұмыс істейтін гетероқұрылымды биполярлы транзисторлар шығару жөніндегі технологияларды бақыламайды.

с. «Аса өткізгіш электронды аспаптар»;

d. Электронды компоненттерге арналған алмаз пленкалы төсемдер;

е. Изолятор ретінде кремнийдің қос тотығы пайдаланатын интегралды схемаларға арналған «изолятордағы кремний» «төсемдер»;

f. Электрондық компоненттерге арналған кремнийдің карбидінен жасалған төсемдер;

g. 31,8 ГГц немесе одан жоғары жиілікте жұмыс істейтін электровакуумдық шамдар.

3Е003

3Е101 3A001.a.1 немесе 2., 3A101, 3А102 немесе 3D101-тармақтарда көрсетілген жабдықты немесе «бағдарламалық қамтамасыз етуді» «қолдану» үшін жалпы технологиялық ескертулерге сәйкес «технологиялар».

3Е101

3Е102 3D001-тармаққа сәйкес бақылануға тиіс «бағдарламалық қамтамасыз етуді» «әзірлеу» үшін жалпы технологиялық ескертпеге сәйкес «технологиялар».

3Е102

3Е201 Жалпы технологиялық ескертуге сәйкес 3D001.е.2., 3А001.е.3., 3А201, 3А225-тен 3А233-ті қоса алған тармақтарда айқындалған жабдықты «пайдалануға» арналған «технологиялар».

3Е201

4-Санат
Есептеу техникасы

1-ескерту: Телекоммуникацияда немесе «жергілікті есептеу жүйелерінде» қолданылатын компьютерлер, тиісті жабдықтар мен «бағдарламалық қамтамасыз ету» де 5-санаттың 1-бөлімінде (Телекоммуникация) көрсетілген сипаттамаға сәйкестігіне орай талдануы тиіс.

2-ескерту: орталық процессорлардың шиналарды немесе арналарын, «жедел есте ұстау» немесе магнитті дискілердегі жинақтауларды бақылаушыларды тікелей байланыстыратын басқару құрылғылары 5-санаттың 1-бөлімінде қарастырылатын телекоммуникациялық аппаратура ұғымына кірмейді (Телекоммуникациялар).

Ерекше ескерту: Пакеттер коммутациясы үшін арнайы жасалған «бағдарламалық қамтамасыз етудің» бақылау мәртебесін анықтау үшін 5D001 тармақты пайдалану қажет (Телекоммуникациялар).

3-ескерту: Криптография, криптоталдау, ақпаратты көп салалы қорғауды сертификаттау функциясын немесе пайдаланушыларды оқшаулау не электромагниттік сәйкестікті шектеу (ЭМШ) функциясын атқаратын компьютерлер, тиісті жабдықтар мен «бағдарламалық қамтамасыз ету» де 5-санаттың 2-бөлімінде («Ақпаратты қорғау») көрсетілген сипаттамаға сәйкестігіне орай талдануы тиіс.