(БҰРЫНҒЫ РЕДАКЦИЯ) ҚР ҮКІМЕТІНІҢ 2008 ЖЫЛҒЫ 5 АҚПАНДАҒЫ № 104 ҚАУЛЫСЫ

(*) Жақшалардағы сандар кесте соңынан келетін Ескертпелерге қатысты.

Қаптау жүргізудің техникалық әдістері кестесінде пайдаланатын техникалық терминология

1. «Қаптау жүргізу процесі» термині бастапқы қаптау жүргізуді де, сондай-ақ жүргізілген қаптауды түзету және жақсарту жөніндегі жұмысты да қамтиды.

2. «Алюминий құймалармен қаптау» термині оның барысында элементке немесе элементтерге тіпті егер осы элементтерді қаптау басқа процестердің көмегімен жасалған болса да, алюминдеу процесіне дейін немесе оның барысында қаптауларды бір немесе көп қайтара жүргізуден тұрады. Бұл, алайда, алюминдтер құймаларын алу үшін пакеттік бекітудің бір қадамдық процесін көп мәрте пайдалануға жол бермейді.

3. «Модификацияланған алюминидтермен, асыл металдармен қаптау» термині алюминид қаптау әдісін қолдануға дейін асыл металл немесе асыл металдар қандай да бір басқа процеспен жүргізілген көп қадамдық қаптау жүргізуді қамтиды.

4. «Қоспалар» инфильтерлейтін материалды, процестің температурасын теңестіруші композицияларды, қондырмаларды және көп деңгейлі материалдарды қамтиды және кестеде баяндалған қаптаулар жүргізудің бір немесе бірнеше процестері барысында алынады.

5. «МсrАІХ» қаптаудың күрделі құрамына сәйкес келеді, мұндағы М кобальтты, темірді, никельді немесе олардың комбинацияларын білдіреді, ал X кез келген мөлшердегі гафнийді, итрийді, кремнийді, танталды немесе 0,01%-тен артық (салмағы бойынша) басқа да түрлі пропорциялардағы немесе комбинациялардағы басқа арнайы жағылған, төмендегілерден басқа, қоспаларды білдіреді:

а. СоСrАІҮ - құрамында 22% (салмағы бойынша) аз хром, 7% (салмағы бойынша) алюминийден аз және итрийдік 2% кем (салмағы бойынша) қаптама;

b. СоСrАІҮ - құрамында 22-24%-тен аз, (салмағы бойынша) хром, 10-12%-тен аз (салмағы бойынша) алюминий және 0,5-0,7% -тен аз иттрий (салмағы бойынша) қаптама;

с. NіСrАІҮ - құрамында 21-23%-тен аз, (салмағы бойынша) хром, 10-12%-тен аз (салмағы бойынша) алюминий және 0,9-1,1% -тен аз иттрий (салмағы бойынша) қаптама;

6. «Алюминий құймалары» термині 293 К (20oС) температура кезінде өлшенген ажыратуға беріктігінің шекті мәні 190 МПа немесе одан астам құймаларға сәйкес келеді.

7. «Тоттануға төзімді болат» термині АІSІ Американ темір және болат институтының (American Iron and Steel Institute) 300 стандарттарының талаптарын немесе болаттарға арналған тиісті ұлттық стандарттар талаптарын қанағаттандыратын болаттарға жатады.

8. Қиын балқитын металдарға мына металдар мен олардың құймалары жатады: ниобий (колумбий), молибден, вольфрам және тантал.

9. «Бергіштер терезелерінің материалдары» мыналар болып табылады: алюминий топырағы (алюминий тотығы), кремний, германий, мырыш сульфиді, мырыш силиниді, галий арсениді, алмаз, галий фосфориді, металдардың кейбір галогиниттері; ал диаметрі 40 мм-нен астам бергіштердің материалы - цирконий фториді және гафний фториді.

10. Қанаттардың қатты профильдерін бір қадамдық пакеттік цементтеу «технологиясы» 2-санат бойынша шектелуге жатпайды.

11. «Полимерлерге» мыналар жатады: полиамид, полиэфир, полисульфит, поликарбонаттар мен полиуритандар.

12. «Цирконийдің модификацияланған түрлері» термині белгілі бір кристаллды-графикалық фазаларды және араластыру фазаларын тұрақтандыру үшін шарттарына сәйкес оған басқа металдар (кальций, магний тотығы, итрий, гафний, жерде сирек кездесетін металдардың тотығы секілді) тотықтарының қоспалары енгізілген цирконийді білдіреді. Кальциймен немесе магний тотығымен араластыру немесе балқыту әдісімен модификацияланған цирконийден жасалған термо төзімді қаптамалар бақыланбайды.

13. «Титан құймалары» термині бұл арада 293 К (20oС) кезінде өлшенген ажыратуға беріктігінің шекті мәні 900 МПа немесе одан артық аэроғарыштық қорытындыларға жатады.

14. «Кеңеюдің кіші коэффициенті шынылары» 293 К (20oС) кезінде

өлшенген 1 х 10-7 К-1 немесе одан кем температуралық кеңею коэффициентті шыны ретінде айқындалады.

15. «Диэлектрлі қабатты жабулар» (диэлектрлер қабаттары) көп қабатты оқшаулайтын материалдарға жатады, олардағы конструкцияның интерференциялық қасиеттері шағылудың түрлі индекстерімен үйлесім табады, бұл шағылу, толқындарды әр түрлі диапазондарда беру немесе жұту үшін пайдаланылады. Диэлектрлік қабатты жабулар диэлектрліктердің төрт немесе одан көп қабатынан немесе диэлектрик-металл «композиттің» қабаттарынан тұрады.

16. «Вольфрамның цементтелген карбиді» вольфрам карбидінен /(кобальт, никель) титан карбидінен /(кобальт, никель), хром карбидінен /(никель, хром) және хром/никель карбидінен тұратын металл кесу және қалыптау үшін қолданылатын материалдарды қамтымайды.

17. Келесі объектілерге алмаз тектес көміртегімен қаптау жүргізу «технологиялары» бақыланбайды:

магнитті дискілер және бастиектер, бір мәрте пайдаланылатын тауарды өндіруге арналған жабдық, крандар винтилі, дыбыс үдеткіштерге арналған акустикалық диафрагмалар, автомобиль двигательдерінің детальдары, кесетін аспаптар және кескіштер, штамптау-нығыздау құралдарына арналған штамптар, іс жүргізуді автоматтандыруға арналған жабдық, микрофондар немесе медициналық жабдық немесе пластмасса құю мен қалыптау үшін 5% бериллийлі қорытпалардан жасалған қалыптар.

18. «Кремний карбиді» кескіштерді және үлгілік кескіштерге арналған материалдарды қамтымайды.

19. Осы тармақта көрсетілген керамикалық материалдар салмағы бойынша құрамында 5% немесе одан көп топырақ немесе цемент бар, өз алдына құрамдас бөліктер ретінде не комбинацияларда болатын керамикалық материалдарды қамтымайды.

Кестенің 1-бағанында ұсынылған процестер келесі түрде айқындалады:

а. Будың химиялық шөгуі (CVD - таза сыртқы қаптау немесе металл, қорытпа «композициялық материал», диэлектрик немесе керамика қыздырылған бұйымға жағылатын жағылу бетін модификациялай отырып қаптау процесі. Газ тектес реактивтер ыдырайды немесе бұйымның бетінде қосылады, нәтижесінде оның бетінде күтілген элементтер, қорытпалар немесе компаунттар түзіледі. Мұндай ыдырау немесе химиялық реакция үшін энергия бұйымды плазмалық разрядпен немесе лазер сәулесімен қыздыру есебінен қамтамасыз етілуі мүмкін.

1-ерекше ескерту: Булардың химиялық шөгуі мынадай процестерді қамтиды:

бағытталған газ ағынымен пакеттік емес қаптау, будың дүркіндік химиялық шөгуі, ядролық майдалаумен, плазманың қуатты ағынын қолдана отырып басқарылатын термикалық қаптау немесе плазманың қатысуымен будың химиялық шөгуі;

2-ерекше ескерту: Пакет бірнеше құраушыдан тұратын ұнтаққа батырылған төсемді білдіреді;

3-ерекше ескерту: Пакетсіз процесте пайдаланатын газ тектес өнімдер (булар, реагенттер) жақпа бұйымға ұнтақ қоспасынсыз жағылатын жағдайды қоспағанда, пакетті цементтеу секілді бірнеше базалық реакциялармен және өлшемдермен қолданылады.

b. Резистивтік қыздыру арқылы иондалатын бу фазасының табиғи шөгуі (ТЕ-РVD) - жылу энергиясының көзі енгізілген материалды буға айналдыру үшін пайдаланылатын 0,1 Па-дан аз қысыммен вакуумдегі таза сыртқы қаптау процесі. Нәтижесінде конденсат немесе жақпа бұйымның бетінің тиісті бөлігіне шөгеді.

Қаптау процесінде күрделі қаптаманы синтездеу үшін вакуум камерасына газдарды үстемелеу осы процестің жәй ғана модификациялау болып табылады.

Қаптаманың шөгуін жандандыру немесе оған ықпал ету үшін иондық немесе электрондық сәулелендіруді немесе плазманы пайдалану да осы процестегі әдетті модификация болып табылады. Процесс барысында қаптаманың оптикалық сипаттамаларын немесе қалыңдығын өлшеуді қамтамасыз ету үшін мониторларды қолдану осы процеске тән қасиет ретінде қарастырыла алады.

Резистивтік қыздыру арқылы иондалатын будың табиғи шөгуінің мынадай процестері өзіндік ерекшелігі болып табылады (ТЕ-РVD):

1. Электронды-сәулелік табиғи шөгу - электронды сәуле пайдаланылатын бұйымға жағылатын материалды қыздыру немесе буландыру үшін электр сәулесі қолданылады;

2. Иондық-резистивтік түріндегі табиғи шөгу қаптау материалы буының бақыланатын және біркелкі ағынын алу үшін келіп соғылған иондық сәулелермен бірге электрлік кедергіні жылудың көзі ретінде пайдаланады;

3. «Лазерлік булану» - мұнда қаптаманы қалыптастыратын материалды қыздыру үшін импульсті немесе үздіксіз «лазер» сәулесі пайдаланылады;

4. Катод доғасын қолдана отырып қаптама қалыптастыру қолданылып отырған катодты қаптама қалыптастыратын материал ретінде пайдаланады және жерге қосылған қосқыш құрылғымен (триттермен) бір сәтте әрекет етуден кейін катод бетінде тұрақты доға зарядын алады. Сәулеленудің бақыланатын қозғалысы катодтың бетін эродтап, жоғары иондалған плазма құрады. Анод конус тәрізді болып, катодтың бүкіл бойына оқшаулағыш арқылы немесе камераның өзі анодтың рөлін атқарады. Төсемге қысым беру қаптаманы жағу бұрыш арқылы жүргізілген кезде қолданылады.

Ерекше ескерту:

4 тармақшада сипатталған процесс төсемнің белгіленген күйіндегі дербес катод доғасымен қаптама жағуға қатысты емес.

5. Иондық металдау - плазмалық немесе иондық көз жағылатын қаптама материалын иондау үшін, жалпы процестің арнайы модификациясы, онда пайдаланылады, ал бұйымның теріс жылжуы (заряд) плазмадан қаптаманың құрамдарының шөгуіне ықпал ететін жалпы процестің арнайы модификациясы. Белсенді реагенттерді енгізу, қатты материалдардың камерада булануы, сондай-ақ оптикалық сипаттамалар мен қаптамалар қалыңдығын өлшеуді қамтамасыз ететін (қаптама жағу процесінде) мониторларды пайдалану буды термобуландырумен табиғи шөктіру процесінің әдеттегі модификациялары болып табылады.

с. Цементтік құралды (карбюризатор) пайдаланумен цементтеу - бетті модификациялау немесе бұйым ұнтаққа - бірнеше компоненттердің қоспасына (карбюризатор) батырылғанда сыртқы жағуды жүргізу процесі, олар мыналардан тұрады:

1. Қаптаманы құрайтын металл ұнтақтар (әдетте, алюминий, хром, кремний немесе олардың комбинациялары);

2. Активатор (көп жағдайда, галоид тұзы); және

3. Инертті ұнтақ, көбіне, алюминий топырағы (алюминий тотығы);

Бұйым немесе ұнтақ қоспасы реторттың (камераның) ішінде болады, ол қаптама жағу үшін жеткілікті уақытқа 1 030 К (757oС)-дан 1 375 К (1 102oС)-ге дейін қыздырылады.

d. Плазмалық бүрку - ішінде плазма түзілетін және басқарылатын плазма атқыш (бүріккіш горелка) қаптама материалынан ұнтақты немесе талшықты қабылдай отырып, оларды бұйымға шашқанда қаптама бұйымның ажырамас бөлігі болып қалыптасатын сыртқы қаптама жағу процесі. Плазмалық бүрку не төменгі қысымдағы плазманы, не жоғары жылдамдықтағы плазманы бүркуге негізделуі мүмкін.

1-ерекше ескерту: Төмен қысым атмосфералық қысымнан төмен қысымды білдіреді.

2-ерекше ескерту: Жоғары жылдамдықтағы плазма газдың шүмек (бүріккіш горелка) аузындағы 750 м/с-тен асатын, 293 К (20oС) температураға және 0,1 МПа қысымға есептелген жылдамдығымен айқындалады.

е. Суспензияның (шлам) шөгуі - қаптама жағудың қажетті қасиеттеріне қол жеткізу үшін сұйыққа суспензияланған, органикалық кіріктіргіші бар металл немесе керамикалық ұнтақ бұйыммен бүрку, батыру немесе бояу арқылы байланысатын, кейіннен ауамен немесе пеште кептірілетін қаптама жүргізілетін беттің модификациясы немесе сыртқы қаптама жағу процесі;

f. Бүркумен металдандыру - оң иондар электр өрісінде нысана (қаптама жағу материалы) бетінің бағытына қарай жеделдейтін қозғалыс санын беруге негізделген сыртқы қаптама жағу процесі. Иондар соққыларының кенетикалық энергиясы нысананың бетінде қажетті қаптама түзілуін қамтамасыз етеді.

1-ерекше ескерту: Кестеде қаптама жүргізу материалының аггезиясын және оны жүргізудің жылдамдығын арттыру үшін қолданылатын, бүрку арқылы триотты, магнетронды немесе реактивті металдандыру, сондай-ақ қапталатын металл емес материалдардың булануы үшін пайдаланылатын бүркуді радиожиілік күшейту туралы ғана мәліметтер келтірілген.

2-ерекше ескерту: Төмен энергетикалық ионды сәулелер (5КэВ-тен аз) қаптама жүргізу процесін жеделдету (жандандыру) үшін пайдаланылуы мүмкін.

g. Иондық имплантация - қаптама жағуға арналған материалдың булары иондалатын, әлеуеттің градиентімен жеделденетін және бұйым бетінің учаскесіне имплантацияланатын бұйым бетін модификациялаумен қаптама жүргізу процесі. Иондық имплантация процестеріне иондық имплантация электрондық-сәулелік буланумен немесе бүркумен металдаумен бірлестікте орындалатын процестер де жатады.

ҚР Үкіметінің 2013.18.06. № 618 Қаулысымен 3-санат өзгертілді (бұр.ред.қара)

3-Санат
Электроника

3А Жүйелер, жабдық және компоненттер

1-ескерту: 3А001.а.3 А001.а.10 немесе 3А001. 12-ге дейінгі тармақтарда көрсетілген басқа, 3А001 немесе 3А002 тармақтарда көрсетілген жабдық пен компоненттер секілді арнайы әзірленген немесе дәл сондай функционалдық сипаттарға ие жабдық пен компоненттердің бақылау мәртебесі, басқа жабдықтың секілді бақылау мәртебесі бойынша айқындалады.

2-ескерту: 2А001.а.3-тен бастап 3А001.а.9-ға немесе 3А001.а.12-ге дейінгі тармақтарда көрсетілген, бағдарламалары басқа жабдық үшін нақты функцияларды орындауға өзгертілуі немесе әзірленуі мүмкін болмайтын интегралды схемалардың бақылау мәртебесі басқа жабдықтың бақылау мәртебесі бойынша айқындалады.

Ерекше ескерту: Дайындаушы немесе өтініш беруші басқа жабдықтың бақылау мәртебесін айқындай алмайтын жағдайларда бұл мәртебе 3А001.а.3-тен бастап 3А001.а.9-ға және 3А001.а.12-ге дейінгі тармақтарда көрсетілген интегралдық схемалардың бақылау мәртебесімен айқындалады.

Егер интегралдық схемалардың 3А001.а.3 тармақта көрсетілген «микроЭЕМ» кремнийлі микросхема немесе микробақылау микросхемасы болып табылса және сөздік операндасының ұзындығы 8 битт немесе одан аз болса, онда оның бақылау мәртебесі 3А001.а.3 тармаққа сәйкес айқындалуы тиіс.

3А001 Мыналар секілді электрондық компоненттер:

а. Жалпы мақсаттағы төменде санамаланған интегралды микросхемалар:

1-ескерту: Нақты функция жасалған, оларды дайындауға арналған пластиндердің (дайын немесе жартылай фабрикаттар) бақылау мәртебесі 3А001.а тармақта көрсетілген өлшемдер бойынша бағаланады;

2-ескерту: «Интегралды схема ұғымы» мынадай типтерді қамтиды:

«Монолитті интегралды схемалар»;

«Гибридті интегралды схемалар»;

«Көпкристалды интегралды схемалар»;

«Сапфирдегі кремний» үлгісіндегі интегралды схемаларды қоса алғанда, «пленкалы интегралды схемалар;

«Оптикалық интегралды схемалар»;

1. Радиациялық-төзімді ретінде жобаланған немесе айқындалған, мыналарға төзім қабілетті интегралды схемалар:

а. Жалпы дозасы 5х103рад (Sі) (кремний) немесе жоғары;

b. Ақау беруіне дейінгі дозасы 5х106рад (кремний); немесе жоғары

с. Нейтрондар ағынының кремнийге (1МеV-ке эквивалент) интегралдық тығыздығы 5 х 1013н/см2немесе жоғарыны немесе оның басқа металдарға эквиваленті;

Ескерту: 3А001.а.1.с. тармағы металл-диэлектрик-жартылай өткізгішті (МДЖ-құрылым) бақыламайды.

2. Төменде санамаланған сипаттамалардың кез келгеніне ие «микропроцессорлық микросхемалар», «микроЭЕМ микросхемалары», микробақылау микросхемалары, көпкомпонентті жартылай өткізгіштерден жасалған жады микросхемалары, аналогтік-цифрлық түрлендіргіштер, цифрлық-аналогтік түрлендіргіштер, «сигналдарды өңдеу» үшін әзірленген электроптикалық немесе «оптикалық интегралды микросхемалар», пайдаланушы бағдарламалайтын далалық транзисторлардағы логикалық кілттердің матрицалары, пайдаланушы бағдарламалайтын далалық транзисторлардың логикалық матрицалары, жеке тапсырыс бойынша дайындалған, функциясы белгісіз не өндірушіге аталған интегралдық схемалар пайдаланылатын аппаратураларға бақылау функциялары таралатыны белгісіз интегралдық схемалар, жедел Фурье түрлендіру процессорлары, электрлік бағдарламаланатын үнемі есте сақтау құрылғылары (ЭБҮЕҚ), ультракүлгін өшірумен бағдарламаланатын немесе өз бетімен талғай алынатын (СЗУПБ) статикалық есте сақтау құрылғылары:

а. Қоршаған ортаның 398 К (+125oС)-дан жоғары температурасында жұмысқа қабілетті;

b. Қоршаған ортаның 218 К (-55oС)-дан жоғары температурада жұмысқа қабілетті; немесе

с. Қоршаған ортаның 218 К (-55oС)-дан 398 К (+225oС)-қа дейінгі температуралар диапазонынан сыртқары жұмысқа қабілетті;

Ескерту: 3А001.а.2 тармақ азаматтық автомобильдер мен теміржол локомотивтеріне арналған интегралдық схемаларға қолданылмайды;

3. Төменде санамаланған сипаттамалардың кез келгенше ие «микропроцессорлық микросхемалар», «микрокомпьютерлік микросхемалар» және микробақылаушылардың микросхемалары:

Ескерту: 3А001.а.3 тармақ цифрлық сигналдар процессорларын, цифрлық матрицалық процессорларды және цифрлық қосар процессорларды қамтымайды.

а. Қолданылмайды

b. Жартылай өткізгіш қосылыстарда дайындалған және 40 МГц-дан асатын тактілік жиілікте жұмыс істейді; және

с. Деректерінің немесе командалардың бір шинадан артық немесе 150 Мбайт/с-тан жоғары беру жылдамдығымен ИС параллельді микропроцессорға сыртқы аралық қосуға арналған дәйекті байланыс порты;

4. Жартылай өткізгіш қосылыстарда дайындалған жады интегралды схемалары;

5. Аналогті сандық және сандық-аналогтік түрлендіргіштерге арналған мыналар секілді интегралды схемалар:

а. Мынадай сипаттамалардың кез келгеніне ие аналогті-цифрлық түрлендіргіштер:

Ерекше ескерту: сондай-ақ 3А101 қараңыз

1. Шешу қабілеті 8 битт, бірақ 12 бит-тен аз «түрлендірудің толық уақыты» 5 нс-тен кем;

2. Шешу қабілеті 12 бит «түрлендірудің толық уақыты» 20 нс-тен кем; немесе

3. Шешу қабілеті 12 бит-тен жоғары, бірақ 14 бит-ке тең немесе аз «түрлендірудің толық уақыты» 200 нс-тен кем; немесе

4. Шешу қабілеті 14 бит-тен жоғары «түрлендірудің толық уақыты» 1 нс-тен кем;

b. Шешу қабілеті 12 бит және одан жоғары және «орныққан режимге шығу уақыты» 10 нс-тен кем цифрлық-аналогті түрлендіргіштер;

Техникалық ескерту:

1. Шешу қабілеті n бит 2 деңгейге дейінгі n кванттеуге сәйкес келеді;

2. «түрленудің толық уақыты» сынама алудың жылдамдығына кері айқындалады.

6. Бір мезгілде барлық санамаланған құраушыларға ие, «сигналдарды өңдеуге» арналған «электронды-оптикалық» және «оптикалық интегралды схемалар»:

а. Бір ішкі «лазерлі» диод немесе жоғары;

b. Бір ішкі жарық сезгіш элемент немесе жоғары; және

с. Оптикалық толқын жүргізгіштер;

7. Мынадай сипаттамалардың кез келгеніне ие пайдаланушы бағдарламалайтын логикалық құрылғылар:

а. Шығындардың (винтельдердің) баламды саны 30 000 астам (екі жүріске есептегенде);

b. Негізгі логикалық элементтің «типтік кідіру» уақыты 0,1 нс-тен аз; немесе

с. Қосу жиілігі 133 МГц-ден асады;

Ескерту: 3А001.а.7-тармаққа:

а) Қарапайым бағдарламалық логикалық құрылғылар

b) Күрделі бағдарламалық логикалық құрылғылар

с) Далалық транзисторлардағы логикалық кілттердің бағдарламаланылатын матрицалары

d) Далалық транзисторлардағы бағдарламаланылатын логикалық матрицалар

е) Бағдарламалық қосқыштар

Ерекше ескерту:

Далалық транзисторлардағы бағдарламаланылатын логикалық құрылғылар сондай-ақ далалық транзисторлардағы логикалық кілттердің бағдарламаланылатын матрицалары немесе далалық транзисторлардағы бағдарламаланылатын логикалық матрицалар ретінде белгілі

8. Қолданбайды;

9. Нейронды желілерге арналған интегралды схемалар:

10. Мынадай сипаттамалардың кез келгеніне ие, жеке тапсырыс бойынша дайындалған, функциясы белгісіз не өндірушіге аталған интегралдық схемалар пайдаланылатын аппаратуралардың бақылау функциялары белгісіз интегралдық схемалар:

а. 1000 шығарғыштан жоғары;

b. Элементтің типтік «кідіру уақыты» 0,1 нс-тен аз; немесе

с. Жұмыс жиілігі 3 ГГц-ден асады;

11. 3А001.а.3-дан бастап 3А001.а.10 және 3А001.а.12-ге қоса алғандағы тармақтарда көрсетілгендерден айырмасы бар, қандай да бір жартылай өткізгіш қосылыстардың негізінде жасалған және мынадай сипаттамалардың кез келгеніне ие сандық интегралды схемалар:

а. Винтельдердің баламды саны 3 000 астам (екі жүріске есептегенде); және

b. Қосу жиілігі 1,2 ГГц-ден асады;

12. Мынадай сипаттамалардың кез келгеніне ие, 1024 нүктеліктен

ерекшеленетін кешенді №-нүктелік Фурье тез түрлендіруі орындалуының есептік уақыты № lоg>2 №/20 480-нен кем Фурье тез түрлендіру процессорлары, мұндағы М - нүктелердің саны;

Техникалық ескерту:

№ 1024 нүктеге тең болған жағдайда 2А001.а.12 тармағында көрсетілген формула кешенді 1024 нүктелі 500 us Фурье тез түрлендіруі орындалуының есептік уақытын береді;

b. Мыналар секілді микротолқындық немесе милиметрлік диапазонының компоненттері:

1. Төменде санамаланған электронды вакуумдық лампалар мен катодтар:

1-ескерту: 3А001.b.1 тармақ мынадай сипаттамаларға ие, кез келген жиілікте жұмыс істеу үшін жасалған немесе жобаланған немесе лампаларды бақыламайды:

а. 31,8 ГГц-ден аспайды; және

b. Халықаралық Телекоммуникация Одағы радиокоммуникациялық қызмет саласы үшін таратады, бірақ радиолық табу үшін емес.

2-ескерту: 3А001.b.1 тармақ мынадай сипаттамалардың бәріне ие, «ғарышта қолдануға арналмаған» лампаларды бақыламайды:

а. Орташа шығу қуаты 50 Вт-ға тең немесе одан аз; және

b. мынадай сипаттамалардың бәріне жауап беретін, кез келген жиілікте жұмыс істеу үшін жасалған немесе жобаланған:

1. 31,8 ГГц-ден жоғары, бірақ 43,5 ГГц-дан аспайды; және

2. Халықаралық Телекоммуникация Одағы радиокоммуникациялық қызмет саласы үшін таратады, бірақ радиолық табу үшін емес.

а. Мыналар секілді импульстің немесе үздіксіз әрекеттің жүгіретін толқындар лампасы:

1. 31 ГГц-ден асатын жиіліктерде жұмыс істейді;

2. Қосылған бастап лампаның 3 с-тен кем емес шекті радиожиілікті қуатына шыққанға дейінгі уақытты катодтың қыздыру элементі бар;

3. резонаторлармен ұштастырылған лампалар немесе жиілігі «жиілік белдеуінің бір сәттік ені» жиілігі 7%-тен жоғары немесе қуатының шыңы 2,5 кВт-ден асатын олардың модификациялары;

4. Мынадай сипаттамалардың кез келгеніне ие спиральды лампалар немесе олардың модификациялары:

а. «Жиілік белдеуінің бір сәттік ені» бір октавадан астам немесе одан кем және шығаратын орташа қуаты (кВт-де) жұмыс жиілігіне (ГТц-де) 0,5-тен астам; немесе

b. «Жиілік белдеуінің бір сәттік ені» бір октаваға тең немесе одан кем және шығаратын орташа қуаты (кВт-де) жұмыс жиілігіне (ГГц-де) 1-ден астам; немесе

с. «Ғарышта қолдануға жарамды»;

b. Күшейту коэффициенті 17 дБ-дан астам магнетрондық типтегі күшейткіш лампалар;

с. үздіксіз эмиссия кезіндегі және жұмыс істеудің штаттық жағдайларында токтың тығыздығын қамтамасыз ететін, электрондық лампалар үшін әзірленген, 5 А/кв.см-ден асатын импренирленген катодтар

2. Мынадай сипаттамалардың екеуіне де ие монолитті микротолқынды интегралды схемалар (ММИС):

а. 3,2 ГГц-ден жоғары 6 ГГЦ-ге дейінгі мен оны қоса алғандағы жиіліктерде жұмыс істеуге есептелген және «жиілік белдеуінің салыстырмалы ені» 15%-тен жоғары болғандағы орташа шығу қуаты 4 Вт (36 dBm)-нен жоғары;

b. 6 ГГц-ден жоғары 16 ГГЦ-ге дейінгі мен оны қоса алғандағы жиіліктерде жұмыс істеуге есептелген және «жиілік белдеуінің салыстырмалы ені» 10%-тен жоғары болғандағы орташа шығу қуаты 1 Вт (30 dBm)-нен жоғары;

с. 16 ГГц-ден жоғары 31,8 ГГЦ-ге дейінгі мен оны қоса алғандағы жиіліктерде жұмыс істеуге есептелген және «жиілік белдеуінің салыстырмалы ені» 10%-тен жоғары болғандағы орташа шығу қуаты 0,8 Вт (29 dBm)-нен жоғары;

d. 31,8 ГГц-ден жоғары 37,5 ГГЦ-ге дейінгі мен оны қоса алғандағы жиіліктерде жұмыс істеуге есептелген;

е. 37,5 ГГц-ден жоғары 43,5 ГГЦ-ге дейінгі мен оны қоса алғандағы жиіліктерде жұмыс істеуге есептелген және «жиілік белдеуінің салыстырмалы ені» 10%-тен жоғары болғандағы орташа шығу қуаты 0,25 Вт (24 dBm)-нен жоғары; немесе

f. 43,5 ГГц-ден жоғары жиіліктерде жұмыс істеуге арналған;

1-ескерту: 3А001. b.2 тармақ 40,5 ГГц-ден 42,5 ГГЦ-ге дейінгі жиілік диапазонындағы жұмыс үшін жасалған және есептелген хабар таратушы спутник жабдығын бақыламайды.

2-ескерту: Микротолқынды интегралдық схемалар немесе модулдердің (МИСМ) бақыланатын жағдайы бақылау табалдырығымен - ең төменгі шығу қуатымен айқындалады. МИСМ-нің жұмыс жиілігі бір жиіліктен жоғары диапазонда ауытқып отырады.