---------------------------------------------------------------------------
3А232, а 360300
3А232, b 854380900
---------------------------------------------------------------------------
3А233 0В002.g. тармақта сипатталғандардан ерекшеленетін 230 және
(N3B6) одан астам атомның массалық сандарының мәнiн өлшеуге
қамтамасыз ететiн 2 х 230 жақсы шешетiн қабiлетi немесе олар
үшін ионның көздерi, оның ішінде мыналар бар
масс-спектрометрлер:
а. Масс-спектрометрлер плазмамен индуктивтi байланысқан
(ПМС/ИС);
b. Шоқтатын разрядтың масс-спектрометрлерi (МСТР);
с. Термо ионизацияланған масс-спектрометрлер (ТИМС);
d. Боранның гекса фторидiне төзiмдi материалдардан
құрастырылған немесе осындай материалдармен
қорғалынған ионизацияланған камералары бар электронды
соққылы масс-спектрометрлер;
е. Мыналар секiлдi молекулярлық масс-спектрометрлер:
1. Тоттанбайтын болаттан немесе молибденнен
құрастырылған немесе олармен қорғалынған
0
ионизациялық камерасы және 193 К (-80 С) немесе
одан төмен салқындатуды қамтамасыз ететiн
салқындату камерасы бар; немесе
2. Уранның гиксафторидiне қатысты төзiмдi
материалдардан құрастырылған немесе сондай
материалдармен қорғалынған ионизациялық камерасы
бар; немесе
f. Иондардың микрофтористiк көзiмен жабдықдатқан
актиниттермен немесе актиниттердiң фторидтермен
пайдалану үшiн әзiрленген масс-спектрометрлер;
---------------------------------------------------------------------------
3А233, а- 902780990
3А233, f
---------------------------------------------------------------------------
3В Сынақ, бақылау және өндiрiстiк жабдығы
3В001 Жартылай өткiзгіш приборларды өңдеуге арналған төменде
санамаланған жабдық және арнайы әзiрленген компоненттермен
оларға арналған керек жарақтар:
(W)
а. "Қондырылған бағдарламамен басқарылатын" мыналар
секiлді айналуға арналған қондырғылар:
1. 75 мм немесе одан астам уақыт бойында + - 2,5% аспайтын
ауытқумен қабаттың қалыңдығын ұстап тұруға қабiлеттi
қондырғылар;
(W1) 2. 3С003 немесе 3С004 тармақ бойынша бақыланатын
материалдардың арасында В химиялық реакциялардың
көмегімен күрделi жартылай өтгізгiштердiң кристалдарын
алу үшiн арнайы әзiрленген металл-органикалық
қосылыстардың химиялық шөктіру қондырғылары;
3. Газды көздердi пайдаланатын эпитаксиалды алудың
молекулярлық-сәулелiк қондырғылары;
b. "Қондырылған бағдарламамен басқарылатын иондық"
имплантациялық әзiрленген үшін мынадай сипаттамалардың
кез келгенiне ие қондырғылар:
1. Жылдамдататын кернеуi 20 г D жоғары;
2. 10 кэВ төмен жылдамдататын кернеудегі жұмыс үшiн
арнайы жобаланған және оңтайландырылған;
3. Тiкелей жазу қабiлетi бар; немесе
4. Жартылай өткiзгiш материалдардың "iшкi қасықшасында"
оттегінiң жоғары энергетикалық имплантациялауға
жарамды;
с. "Қондырылған бағдарламамен басқарылатын" мыналар
секiлдi анизотропты плазмамен құрғақ уландыруға
арналған жабдық:
1. Покасетті көз пластиндердi өңдеу және жүктеу шлюздерi
арқылы жүктеу, мынадай сипаттамалардың кез келгеніне
ие:
а. Магниттік қорғау;
b. Электронды циклотронды резонанс;
2. 3Е001.е. тармақ бойынша бақыланатын және мынадай
сипаттамалардың кез келгенiне ие жабдық үшiн арнайы
жобаланған;
а. Магниттік қорғау немесе
b. Электронды циклотронды резонанс
d. Мыналар секiлдi "қондырылған бағдарламамен басқарылатын"
химиялық бу-газды шөктіру және плазмалық қоздыру
қондырғылары:
1. Покасетті көз пластиндердi өңдеу және жүктеу
шлюздерi арқылы жүктеу, мынадай сипаттамалардың кез
келгенiне ие:
а. Магниттiк қорғау;
b. Электронды циклотронды резонанс;
2. 3Е001.е. тармақ бойынша бақыланатын және мынадай
сипаттамалардың кез келгенiне ие жабдық үшiн арнайы
жобаланған;
а. Магниттік қорғау немесе
b. Электронды циклотронды резонанс
е. Мынадай барлық құраушыларға ие пластиндердiң орталық
жүктемесiмен "КББРР" автоматты түрде жүктелiнетін көп
камералы жүйелер:
1. Жартылай өткізгіштердi өңдеуге арналған екеуден көп
жабдықтардың бiрлiгi пластиндердi жүктеуге және жүгін
алуға арналған интерфейс; және
2. Вакуумдық ортада пластиндердi жүйелi көп позициялы
өңдеудiң кiрiктірілген жүйесiне арналған;
Ескерту: 3В001.е. тармақ вакуумдық жұмыс iстеуге
арналмаған жүктеудiң автоматты
робототехникалық жүйелерiн бақыламайды;
f. Мыналар секiлдi "ККб" гетографиялық қондырғылар:
1. Пластиндердi фотооптикалық немесе рентгенттік фоорр
әдiстерiмен өңдеуге арналған көп мәрте орнын басу
және экспонерлау қондырғылары мынадай құраушылардың кез
келгенiнде бар:
а. Толқындардың ұзындығымен жарықтың көзi 350 мм-нен
қысқа немесе
b. Суретті 0,5 мкм немесе одан кем шешiмдiк ең төмен
мөлшермен жаңғырту қабiлеттілiгі;
Ескерту: Шешiмнiң ең төменгi мөлшері (шем) мынадай формула
бойынша есептеледi:
(жарықтың сәулелену толқынының ұзындығы) х (К фактор)
ШЕМ = --------------------------------------------------------------------
цифрлы апертура
Кфактор = 0,7 болады
ШЕМ - ең аз мөлшерi
2. Мынадай сипаттамалардың кез келгенiне ие ауытқитын
фоксталатын электронды сәулелердi иондардың шоқтарын
немесе лазердiң сәулесiн пайдалана отырып шаблондарды
өндiру немесе жартылай өткізгіш приборларды өңдеу үшiн
арнайы жобаланған қондырғылар;
а. Дақтың мөлшерi 0,2 мкм;
b. 1 мкм-нен кем ең төмен рұқсат етілген жобалық
нормалармен сурет өндiру қабiлеті; немесе
с. Орнын басу дәлдiгi + - 20 мкм (3 сигма) (жақсы);
g. 3А001 тармақ бойынша бақыланатын интегралдық схемалар
үшiн әзiрленген шаблондар немесе аралық орта
шаблондар;
h. Фазаны жылжытатын қабаты бар көп қабатты шаблондар;
---------------------------------------------------------------------------
3В001, а, 1 841989900
3В001, а, 2 841989900
3В001, а, 3 841780100
3В001, b 845610000
3В001, c 845690000
3В001, d 845690000
3В001, e 845610000
845690000
3В001, f, 1 900922900
3В001, f, 2 845610000
3В001, g
ЗВ001, h 901090000
---------------------------------------------------------------------------
3В002 "Қондырылған бағдарламамен басқарылатын", дайын немесе
түрлi дайындық дәрежесiндегі жартылай өткізгіш приборларды
(W) сынау үшiн және арнайы жобаланған сынақтар аппаратурасы
және арнайы жобаланған компоненттер және оған арналған
бейiмдемелер:
а. 31 ГГц-ден жоғары жиiлiктердегі транзисторлық
приборлардың S параметрлерiн өлшеуге арналған;
b. 333 МГц-ден астам жолдардың тест жүргізу жиiлiгімен
функционалдық тестердi орындауға қабiлетті (ақиқаттық
кестелер) бойынша интегралды схемаларды сынау үшiн;
Ескерту: 3В002.b. тармақ арнайы жобаланған сынақтар
аппаратурасын бақыламайды;
1. Тұрмыстық немесе электрондық аппаратураға арналған
"электронды жинамалар" немесе "электронды жинамалар"
сыныбы;
2. Бақыланбайтын электронды компоненттер, "электронды
жинамалар" немесе интегралды схемалар;
Техникалық ескерту:
с. 3А001.b.2. тармақта көрсетілген микротолқынды интегралды
схемаларды сынау үшiн;
---------------------------------------------------------------------------
3В002, а- 903180390
3В0026 d
---------------------------------------------------------------------------
3С Материалдар
3С001 Бiрнеше рет ретiмен өсiрiлген эпитоксиалды қабаттары бар
(W) iшкi қасықшалардан тұратын, мынадай құрайтындардың кез
келгенiне ие гетероэпитоксиалды материалдар:
а. Кремний;
b. Германий; немесе
с. Галийдiң немесе индийдiң негiзiнде III/V қосылыстары;
Тех:
III/V қосылыс-Менделеевтiң периодикалық жүйесiнен III А
және VА топырының элементтерiнен тұратын (отандық жiктеу
бойынша бұл А 3 және В5 (мысалы, галийдiң арсенидi,
галийдiң алюминоарсенидi, индийдiң фосфитi және т.б))
поликристаллды немесе екi элементті немесе күрделi
монокристаллды өнiмдер;
3С001 331800900
3С002 Мыналар секiлдi резистермен бақыланатын резистердiң
материалдары және бүркелiнген iшкi қасықшалар:
(W) а. Жартылай өтгiзгiш витография үшiн арналған, 350 мм-не кем
спектральды сезiмталдыққа арналған пайдалану үшін арнайы
бейiмделген (оңтайландырылған) оң резистер;
b. 0,1 мкКлм/мм немесе жақсы сезiмталдықтағы электронды
немесе ионды сәулелермен экспонирлеу кезiнде
пайдалануға арналған барлық резистер;
с. 2,5 мДж/шаршы мм немесе жақсы сезімталдықпен
рентген сәулелерiмен экспонирлеуге арналған барлық
резистер;
d. Силицилийнерленген резистерлерді қоса алғанда суретті
қалыптастыратын технологиясымен оңтайландырылған
барлық резистер;
Техникалық ескерту:
Силицерлеу әдiсi - бұл дымқыл және құрғақ көріністердің
сапасын арттыруға арналған резистiң бетiн тотықтандыруды
қамтитын процестер;
---------------------------------------------------------------------------
3С002, а 85410990
3С002, d
---------------------------------------------------------------------------
3С003 Орган-органикалық емес қосылыстар, мыналар секiлдi:
(W)
а. 99,999% жоғары металлдық негіздiң тазалығымен
алюминийдiң, галлийдiң немесе индийдiң негізіндегі
органикалық металдық қосылыстар;
b. 99,999% жоғары органикалық емес элементтiк негiздегi
тазалықпен органикалық мүсәпiрлiк, органикалық-сурьмәндi
және органикалық фосфорлы қосылыстар;
Ескерту: 3С003 тармақ металл, iшiнара металдық немесе
металл емес элементтi тiкелей молекуланың
органикалық бөлiгіндегі көмiртегiмен байланысты
қосылыстарды ғана бақылайды;
---------------------------------------------------------------------------
3С003, а 293100900
3С003, b
---------------------------------------------------------------------------
3С004 Тiптi инерттi газдарда немесе ерiгеннiң өзiнде 99,999%
(W) жоғары тазалыққа ие фосфордың, мүсәтiрдiң немесе сүрменiң
гидридi;
Ескерту: 3С004 тармақ инерттi газдардың немесе сутегiнiң 20%
немесе одан көп жүйесi бар гидридтердi бақыламайды;
---------------------------------------------------------------------------
3С004 284890000
285000100
---------------------------------------------------------------------------
3D Бағдарламалық қамтамасыз ету
3D001 3А001.b. бастап 3А001.g. немесе 3В тармақ бойынша
(W) бақыланатын жабдықты "әзiрлеуге" немесе "өндiруге" арнайы
жасалған "бағдарламалық қамтамасыз ету"
3D002 "Қондырылған бағдарламаны басқаратын" және 3В тармақ
бойынша бақыланатын жабдықта "қолдану үшiн арнайы жасалған"
