мыналардан тұратын бiрнеше компоненттердiң қоспасы (пакетке):
1. Жағудың құрамына кіретін металл ұнтақтар әдетте (алюминий, хром, кремний немесе олардың комбинациялары);
2. Активатор (көп жағдайда галоидтi тұз); және
3. Инерттi далап, көбiне алюмин (алюминий тотығы); Бұйым немесе қоспа далаптың iшiнде реторттар (камералар) болады, ол 0 0 Жағуды жүргізу үшiн жеткiлiктi уақытта 1030 (750 С) бастап 1375 К (757 С) қызады.
d. Плазманың тозаңдануы - жағу материалынан жасалған далапты немесе
шыбықшаны қабылдай отырып плазма түзiлетін және басқарылатын плазмалық
пушка (тозаңдануды қыздыру) таза сыртқы жағу жасау процесi интегралды
байланысты жағу қалыптасатын бұйымға оларды балқытады және бағыттайды.
Плазмалық тозаңдану төмен қысымдағы плазманың немесе жоғары жылдамдықтағы
плазмамен сумен тозаңдануында жүзеге асырылуына негiзделуi мүмкін:
1-ескерту: Төмен қысым атмосфералықтан төмен қысымды бiлдiреді;
2-ескерту: Жоғары жылдамдықтағы плазма 750 м/с-тен асатын
шүмектiң (тозаңдануды қыздыру) тұрғысында газдың
0
жылдамдығымен, 293 К (20 С) температура және 0,1
МПа қысым кезiнде есептелiп айқындалады;
е. Суспензияның шөгуi (шлам) - жағудың қажетті қасиеттерiне қол жеткізу
үшiн кейiн әуе немесе пештiк кептірумен бұйыммен тозаңдану, батыру немесе
бояу арқылы байланысатын сұйыққа суспензияланған органикалық
байланыстырушымен металл немесе керамикалық пудра сұйыққа суспензияланған
кезiнде жағылатын беттiң модификациясымен жағуды жүргiзу немесе таза
сыртқы жағу процесi;
f. Тозаңданумен металдандыру - оң иондар электр өрiсiнде нысананың бетiне
қарай бағыт бойынша (жағу материалы) қозғалыстардағы санын беру феноменiне
негiзделетiн таза сыртқы жағуды жүргiзу процессi (материалды бүркеу).
Иондардың соққыларының кенетикалық энергиясы нысананың бетінде талап
етiлетiн бүркеудi қамтамасыз етедi:
1-ескерту: Кестеде триотты магнетронды немесе тозаңданумен
реактивтi тозаңданумен реактивтi металдану туралы
ғана мәлiметтер ғана келтiрілген, олар жабу
материалының аггезиясын ұлғайту және оны
жүргізудiң жылдамдығын өсiру үшiн қолданылады,
сондай-ақ жабулардың бу тәрiздi емес материалдарды
жүргiзу кезiнде пайдаланатын радиожиiлiктi күшейту
ғана туралы мәліметтер келтiрiлген;
2-ескерту: Төмен энергетикалық ионды сәулелер (5КэВ) жағуды
жүргiзу процесiн жылдамдаттыру (жандандыру) үшін
пайдаланылады.
g. Ионды имплантация-материал (құйма) әлеуеттің градиентiне ие жүйемен
иондалатын, жеделденетін және бұйымның бөлiмнiң бөлiктерiне, ионды
имплантациялау процестерiне имплантациялайтын кездегі бұйымның бетiнiң
модификациясымен жағуды жүргізу процесi, бұған электронды сәулемен немесе
тозаңдану мен металданып булану барысында буланатын ионды өзiнен-өзi
орындалатын ионды имплантация процестерi де жатады.
3-САНАТ. ЭЛЕКТРОНИКА
3А Жүйелер, жабдық және компоненттер
1-ескерту: 3А001 немесе 3А002 тармақтарда көрсетілген 3А001.а
3А001.а. 10 немесе 3А001. 12-ге дейiнгi
тармақтарда көрсетілген басқа жабдық секілді дәл
сондай функционалдық сипаттамаларға арнайы
әзiрленген немесе соған ие жабдықтар мен
компоненттердiң бақылаулық мәртебесi басқа
жабдықтың бақылаулық мәртебесi бойынша
айқындалады.
2-ескерту: 2А001.а бастап 3А001.а.9 немесе 3А001.12-ге
дейiнгi тармақта көрсетiлген, бағдарламалары
басқа жабдық үшін нақты функцияларды орындалуы
үшiн өзгертілуi немесе әзiрленуi мүмкiн емес
интегралды схемалардың бақылаулық мәртебесi басқа
жабдықтың бақылаулық мәртебесi бойынша
айқындалады.
Ерекше ескерту: Дайындаушы немесе өтiнiш берушi
басқа жабдықтың бақылаулық
мәртебесiн айқындай алмайтын
жағдайларда бұл мәртебе 3А001.а3
-тен бастап 3А001.а.9 және
3А001.а. 12 тармақта көрсетiлген
интегралдық схемалардың
бақылаулық мәртебесімен
айқындалады. Егер интегралдық
схема 3А001.а.3 тармақта
көрсетілген "микроземнің"
кремнийлi микросхемасы немесе
микроконтролердiң микросхемасы
болып табылса және сөздiк
операндасының ұзындығы 8 битт
немесе одан көп болса, онда оның
бақылаулық мәртебесi 3А001.а.3
тармаққа сәйкес айқындалуы тиiс.
3А001 Мыналар секiлдi электронды компоненттер:
(W) а. Жалпы мақсаттағы төмендегі санамаланған интегралды
микросхемалар:
1-ескерту: Нақты функция қалпына келтiрілген дайын
пластиндердiң оларды дайындауға арналған жартылай
фабрикаттардың бақылаулық мәртебесi 3А001.а
тармақта көрсетілген параметрлер бойынша
бағаланады;
2-ескерту: "Интегралды схема ұғымы" мынадай үлгiлердi
қамтиды:
"қатты денелi интегралды схемалар";
"гибридтi интегралды схемалар";
"көп кристалды интегралды схемалар";
"Сапфирдегi кремний" үлгiсіндегі интегралды
схемаларды қоса алғанда "Yлдiрлiк интегралды
схемалар;
"Оптикалық интегралды схемалар;
(М14/18) 1. Радиациялық-төзiмдi ретінде жобаланған немесе айқындалған,
мынаған төзуге қабiлетті интегралды схемалар:
а. Жалпы дозасы 5 х 10 рад (рр(кремний немесе жоғары)
немесе
b. Жұмыс істемей қалуына дейiнгi 5 х 10 (кремний) жоғары;
немесе
(М14) 2. Көп компонентті жартылай өтгiзгіштен (микропроцессорлық
микросхемалар) микроЭЕм-нiң микросхемасы,
микроконтролердiң микросхемасы, жадтың микросхемасы
далалық транзисторларда логикалық кiлттердiң матрицаларын
пайдаланумен бағдарланатын "сигналдарды өңдеу" үшiн
әзiрленген далалық транзисторлардың логикалық матрицаларын
пайдаланушымен бағдарланатын ұқсас-цифрлық
түрлендiргiштер, цифрлық-ұқсас түрлендiргіштер,
электроптикалық "оптикалық интегралды микросхемалар",
нейронды желiлерге арналған микросхемалар, функциясы
белгiсiз не өндiрушiге белгісiз, интегралдық схемалардың
деректерi пайдаланылатын аппаратураға бақылаулық мәртебесi
қолданылатын жеке тапсырыс бойынша дайындалған интегралды
схемалар, тез Фурье түрлендiру процессорлары, үнемi есiнде
сақтайтын құрылғылармен электрлiк бағдарламаланатын,
(ЭППЗУУ) ультра күлгiн өшiрумен бағдарламаланатын немесе
өзiнен-өзi таңдап алынатын (СЗУПБ) статитты есте сақтайтын
құрылғылармен бағдарламаланатын, төменде санамаланған
сипаттамалардың кез келгенiне ие интегралды схемалар:
0
а. Қоршаған ортаның 398 К (+125 С) жоғары температурасы
кезiндегі жұмысқа қабiлетті;
0
b. Қоршаған ортаның 218 К (-55 С) жоғары температурасы
кезіндегі жұмысқа қабiлетті; немесе
(М14) с. Қоршаған ортаның 218 К (-55 градус С)-дан 398 К (-225
градус С) дейiнгі температураларының диапазонынан
сыртқарыдағы жұмысқа қабiлетті;
Ескерту: 3А001.2 тармақ азаматтық автомобильдерiмен
теміржол локомотивтерiне арналған
микросхемаларға қолданылмайды;
3. Төменде санамаланған сипаттамалардың кез келгенiне ие
"микропроцессорлымикросхемалар",
"микрокомпьютерлiкмикросхемалар" және микроконтролердiң
микросхемалары:
Ескерту: 3А001.а тармақ цифрлық сигналдарының
процессорларын, цифрлық матрицалық процессорларды
және цифрлық қосар процессорларды қамтиды.
а. "Жиынтық теориялық өндiргіштiгi" (ЖТӨ) 260 млн.,
теориялық операциялар секундына (рр) немесе одан астам
таңдауының ұзындығы 32 битт немесе одан астам
арифметикалық логикалық құрылғылар;
b. Жартылай өткiзгіш қосылыстарына дайындалған және 40
МГц асатын жиiлiкте жұмыс iстейдi және
с. 2,5 М битт асатын беру жылдамдығымен паралелльдi
процессорға сыртқы аралық қосуға арналған байланысты
деректерiнiң немесе командаларының немесе жүйелiк
портының бiр шинасы артық;
4. Жартылай өткiзгiш қосылыстарды дайындалған жад
интегралды схемалары;
(М14) 5. Ұқсас сандық және сандық-ұқсас түрлендiргіштерге арналған
мыналар секiлдi интегралды схемалар:
а. Мынадай сипаттамалардың кез келгенiне ие ұқсас-цифрлық
түрлендiргіштер:
Ерекше ескерту: Сондай-ақ 3А101 қараңыз.
1. Шешу қабiлетi 10 нс-тен кем ең жоғары шешу
қабiлетiне дейiнгі түрлендiрудiң жалпы уақытымен 8
битт немесе астам, бiрақ 12 битт-ке кем;
2. Шешу қабiлетi 200 нс дейiнгі түрлендiрудiң жалпы
уақытымен 12 битт
3. Шешу қабiлетті 2 нс-тен кем ең жоғары шешу қабiлетiне
дейiнгi түрлендiрудiң жалпы уақытымен 12 битт
b. 12 битт немесе одан артық шешу қабiлетiмен және 10
нс-тен аз "орныққан режимде шығу уақытымен"
цифрлық-ұқсас түрлендiргіштерi;
6. Бiр мезгiлде барлық санамаланған құраушыларға ие,
"сигналдарды өңдеу" өңдеуге арналған электронды-оптикалық
және "оптикалық интегралды схема":
а. Бiр iшкi "лазерлi диод"; немесе
b. Бiр iшкi жарақты сезгiш элемент немесе астам
с. Оптикалық толқын жүргізгіштер;
7. Мынадай сипаттамалардың кез келгенiне ие далалық
транзисторларда пайдаланушымен бағдарламаланатын
логикалық кiлттерiнiң матрицалары:
а. Винтельдердiң баламды саны 30000 артық (екi жүру
есебiнде); және
b. Негiзгi логикалық элементтiң үлгілiк кiдiру уақыты 0,4
нс-тен кем;
с. Қосу жиiлiгі 133 МГц-ден асады;
8. Қолданбайды
9. Нейронды желiлерге арналған интегралды схемалар:
10. Функциясы белгiсiз не, өндiрушiге белгiсiз, интегралды
схемалардың деректерi пайдаланатын аппаратураға
бақылаулық мәртебесiне қолданылатын мынадай
сипаттамалардың кез келгенiне ие жеке тапсырыс бойынша
дайындалатын интегралды схемалар:
а. 208 түйiннен жоғары;
b. Элементтiң үлгілiк "кiдiру уақыты" 0,35 нс-тен кем;
немесе
с. Жұмыс жиiлiгі 3 ГГц-ден асады;
11. 3А001.а.3 бастап 3А001.а.10 және 3А001.а 12-ге дейiнгі
тармақтарда көрсетiлгендерден ерекшеленетiн әлдебiр
жартылай өткiзгiш қосылыстардың негiзiнде жасалған және
мынадай сипаттамалардың кез келгенiне ие сандық интегралды
схемалар:
а. Винтельдердiң баламды саны 30000 артық (екi жүру
есебiнде); және
b. Қосу жиiлiгі 122 ГГц-ден асады;
12. Мынадай сипаттамалардың кез келгенiне ие Фурье тез
түрлендiру процессорлары;
а. Фурье тез түрлендiру комплексті 1024 - нүктелiк
