Экспорттық бақылауға жататын өнімнің номенклатурасын (тізімін) бекіту туралы Қазақстан Республикасы Үкіметінің 2008 жылғы 5 ақпандағы № 104 Қаулысы (2018.14.05. берілген өзгерістер мен толықтырулармен) (күші жойылды)

(*) Жақшалардағы сандар кесте соңынан келетін Ескертпелерге қатысты.

Қаптау жүргізудің техникалық әдістері кестесінде пайдаланатын техникалық терминология

1. «Қаптау жүргізу процесі» термині бастапқы қаптау жүргізуді де, сондай-ақ жүргізілген қаптауды түзету және жақсарту жөніндегі жұмысты да қамтиды.

2. «Алюминий құймалармен қаптау» термині оның барысында элементке немесе элементтерге тіпті егер осы элементтерді қаптау басқа процестердің көмегімен жасалған болса да, алюминдеу процесіне дейін немесе оның барысында қаптауларды бір немесе көп қайтара жүргізуден тұрады. Бұл, алайда, алюминдтер құймаларын алу үшін пакеттік бекітудің бір қадамдық процесін көп мәрте пайдалануға жол бермейді.

3. «Модификацияланған алюминидтермен, асыл металдармен қаптау» термині алюминид қаптау әдісін қолдануға дейін асыл металл немесе асыл металдар қандай да бір басқа процеспен жүргізілген көп қадамдық қаптау жүргізуді қамтиды.

4. «Қоспалар» инфильтерлейтін материалды, процестің температурасын теңестіруші композицияларды, қондырмаларды және көп деңгейлі материалдарды қамтиды және кестеде баяндалған қаптаулар жүргізудің бір немесе бірнеше процестері барысында алынады.

5. «МсrАІХ» қаптаудың күрделі құрамына сәйкес келеді, мұндағы М кобальтты, темірді, никельді немесе олардың комбинацияларын білдіреді, ал X кез келген мөлшердегі гафнийді, итрийді, кремнийді, танталды немесе 0,01%-тен артық (салмағы бойынша) басқа да түрлі пропорциялардағы немесе комбинациялардағы басқа арнайы жағылған, төмендегілерден басқа, қоспаларды білдіреді:

а. СоСrАІҮ - құрамында 22% (салмағы бойынша) аз хром, 7% (салмағы бойынша) алюминийден аз және итрийдік 2% кем (салмағы бойынша) қаптама;

b. СоСrАІҮ - құрамында 22-24%-тен аз, (салмағы бойынша) хром, 10-12%-тен аз (салмағы бойынша) алюминий және 0,5-0,7% -тен аз иттрий (салмағы бойынша) қаптама;

с. NіСrАІҮ - құрамында 21-23%-тен аз, (салмағы бойынша) хром, 10-12%-тен аз (салмағы бойынша) алюминий және 0,9-1,1% -тен аз иттрий (салмағы бойынша) қаптама;

6. «Алюминий құймалары» термині 293 К (20oС) температура кезінде өлшенген ажыратуға беріктігінің шекті мәні 190 МПа немесе одан астам құймаларға сәйкес келеді.

7. «Тоттануға төзімді болат» термині АІSІ Американ темір және болат институтының (American Iron and Steel Institute) 300 стандарттарының талаптарын немесе болаттарға арналған тиісті ұлттық стандарттар талаптарын қанағаттандыратын болаттарға жатады.

8. Қиын балқитын металдарға мына металдар мен олардың құймалары жатады: ниобий (колумбий), молибден, вольфрам және тантал.

9. «Бергіштер терезелерінің материалдары» мыналар болып табылады: алюминий топырағы (алюминий тотығы), кремний, германий, мырыш сульфиді, мырыш силиниді, галий арсениді, алмаз, галий фосфориді, металдардың кейбір галогиниттері; ал диаметрі 40 мм-нен астам бергіштердің материалы - цирконий фториді және гафний фториді.

10. Қанаттардың қатты профильдерін бір қадамдық пакеттік цементтеу «технологиясы» 2-санат бойынша шектелуге жатпайды.

11. «Полимерлерге» мыналар жатады: полиамид, полиэфир, полисульфит, поликарбонаттар мен полиуритандар.

12. «Цирконийдің модификацияланған түрлері» термині белгілі бір кристаллды-графикалық фазаларды және араластыру фазаларын тұрақтандыру үшін шарттарына сәйкес оған басқа металдар (кальций, магний тотығы, итрий, гафний, жерде сирек кездесетін металдардың тотығы секілді) тотықтарының қоспалары енгізілген цирконийді білдіреді. Кальциймен немесе магний тотығымен араластыру немесе балқыту әдісімен модификацияланған цирконийден жасалған термо төзімді қаптамалар бақыланбайды.

13. «Титан құймалары» термині бұл арада 293 К (20oС) кезінде өлшенген ажыратуға беріктігінің шекті мәні 900 МПа немесе одан артық аэроғарыштық қорытындыларға жатады.

14. «Кеңеюдің кіші коэффициенті шынылары» 293 К (20oС) кезінде

өлшенген 1 х 10-7 К-1 немесе одан кем температуралық кеңею коэффициентті шыны ретінде айқындалады.

15. «Диэлектрлі қабатты жабулар» (диэлектрлер қабаттары) көп қабатты оқшаулайтын материалдарға жатады, олардағы конструкцияның интерференциялық қасиеттері шағылудың түрлі индекстерімен үйлесім табады, бұл шағылу, толқындарды әр түрлі диапазондарда беру немесе жұту үшін пайдаланылады. Диэлектрлік қабатты жабулар диэлектрліктердің төрт немесе одан көп қабатынан немесе диэлектрик-металл «композиттің» қабаттарынан тұрады.

16. «Вольфрамның цементтелген карбиді» вольфрам карбидінен /(кобальт, никель) титан карбидінен /(кобальт, никель), хром карбидінен /(никель, хром) және хром/никель карбидінен тұратын металл кесу және қалыптау үшін қолданылатын материалдарды қамтымайды.

17. Келесі объектілерге алмаз тектес көміртегімен қаптау жүргізу «технологиялары» бақыланбайды:

магнитті дискілер және бастиектер, бір мәрте пайдаланылатын тауарды өндіруге арналған жабдық, крандар винтилі, дыбыс үдеткіштерге арналған акустикалық диафрагмалар, автомобиль двигательдерінің детальдары, кесетін аспаптар және кескіштер, штамптау-нығыздау құралдарына арналған штамптар, іс жүргізуді автоматтандыруға арналған жабдық, микрофондар немесе медициналық жабдық немесе пластмасса құю мен қалыптау үшін 5% бериллийлі қорытпалардан жасалған қалыптар.

18. «Кремний карбиді» кескіштерді және үлгілік кескіштерге арналған материалдарды қамтымайды.

19. Осы тармақта көрсетілген керамикалық материалдар салмағы бойынша құрамында 5% немесе одан көп топырақ немесе цемент бар, өз алдына құрамдас бөліктер ретінде не комбинацияларда болатын керамикалық материалдарды қамтымайды.

Кестенің 1-бағанында ұсынылған процестер келесі түрде айқындалады:

а. Будың химиялық шөгуі (CVD - таза сыртқы қаптау немесе металл, қорытпа «композициялық материал», диэлектрик немесе керамика қыздырылған бұйымға жағылатын жағылу бетін модификациялай отырып қаптау процесі. Газ тектес реактивтер ыдырайды немесе бұйымның бетінде қосылады, нәтижесінде оның бетінде күтілген элементтер, қорытпалар немесе компаунттар түзіледі. Мұндай ыдырау немесе химиялық реакция үшін энергия бұйымды плазмалық разрядпен немесе лазер сәулесімен қыздыру есебінен қамтамасыз етілуі мүмкін.

1-ерекше ескерту: Булардың химиялық шөгуі мынадай процестерді қамтиды:

бағытталған газ ағынымен пакеттік емес қаптау, будың дүркіндік химиялық шөгуі, ядролық майдалаумен, плазманың қуатты ағынын қолдана отырып басқарылатын термикалық қаптау немесе плазманың қатысуымен будың химиялық шөгуі;

2-ерекше ескерту: Пакет бірнеше құраушыдан тұратын ұнтаққа батырылған төсемді білдіреді;

3-ерекше ескерту: Пакетсіз процесте пайдаланатын газ тектес өнімдер (булар, реагенттер) жақпа бұйымға ұнтақ қоспасынсыз жағылатын жағдайды қоспағанда, пакетті цементтеу секілді бірнеше базалық реакциялармен және өлшемдермен қолданылады.

b. Резистивтік қыздыру арқылы иондалатын бу фазасының табиғи шөгуі (ТЕ-РVD) - жылу энергиясының көзі енгізілген материалды буға айналдыру үшін пайдаланылатын 0,1 Па-дан аз қысыммен вакуумдегі таза сыртқы қаптау процесі. Нәтижесінде конденсат немесе жақпа бұйымның бетінің тиісті бөлігіне шөгеді.

Қаптау процесінде күрделі қаптаманы синтездеу үшін вакуум камерасына газдарды үстемелеу осы процестің жәй ғана модификациялау болып табылады.

Қаптаманың шөгуін жандандыру немесе оған ықпал ету үшін иондық немесе электрондық сәулелендіруді немесе плазманы пайдалану да осы процестегі әдетті модификация болып табылады. Процесс барысында қаптаманың оптикалық сипаттамаларын немесе қалыңдығын өлшеуді қамтамасыз ету үшін мониторларды қолдану осы процеске тән қасиет ретінде қарастырыла алады.

Резистивтік қыздыру арқылы иондалатын будың табиғи шөгуінің мынадай процестері өзіндік ерекшелігі болып табылады (ТЕ-РVD):

1. Электронды-сәулелік табиғи шөгу - электронды сәуле пайдаланылатын бұйымға жағылатын материалды қыздыру немесе буландыру үшін электр сәулесі қолданылады;

2. Иондық-резистивтік түріндегі табиғи шөгу қаптау материалы буының бақыланатын және біркелкі ағынын алу үшін келіп соғылған иондық сәулелермен бірге электрлік кедергіні жылудың көзі ретінде пайдаланады;

3. «Лазерлік булану» - мұнда қаптаманы қалыптастыратын материалды қыздыру үшін импульсті немесе үздіксіз «лазер» сәулесі пайдаланылады;

4. Катод доғасын қолдана отырып қаптама қалыптастыру қолданылып отырған катодты қаптама қалыптастыратын материал ретінде пайдаланады және жерге қосылған қосқыш құрылғымен (триттермен) бір сәтте әрекет етуден кейін катод бетінде тұрақты доға зарядын алады. Сәулеленудің бақыланатын қозғалысы катодтың бетін эродтап, жоғары иондалған плазма құрады. Анод конус тәрізді болып, катодтың бүкіл бойына оқшаулағыш арқылы немесе камераның өзі анодтың рөлін атқарады. Төсемге қысым беру қаптаманы жағу бұрыш арқылы жүргізілген кезде қолданылады.

Ерекше ескерту:

4 тармақшада сипатталған процесс төсемнің белгіленген күйіндегі дербес катод доғасымен қаптама жағуға қатысты емес.

5. Иондық металдау - плазмалық немесе иондық көз жағылатын қаптама материалын иондау үшін, жалпы процестің арнайы модификациясы, онда пайдаланылады, ал бұйымның теріс жылжуы (заряд) плазмадан қаптаманың құрамдарының шөгуіне ықпал ететін жалпы процестің арнайы модификациясы. Белсенді реагенттерді енгізу, қатты материалдардың камерада булануы, сондай-ақ оптикалық сипаттамалар мен қаптамалар қалыңдығын өлшеуді қамтамасыз ететін (қаптама жағу процесінде) мониторларды пайдалану буды термобуландырумен табиғи шөктіру процесінің әдеттегі модификациялары болып табылады.

с. Цементтік құралды (карбюризатор) пайдаланумен цементтеу - бетті модификациялау немесе бұйым ұнтаққа - бірнеше компоненттердің қоспасына (карбюризатор) батырылғанда сыртқы жағуды жүргізу процесі, олар мыналардан тұрады:

1. Қаптаманы құрайтын металл ұнтақтар (әдетте, алюминий, хром, кремний немесе олардың комбинациялары);

2. Активатор (көп жағдайда, галоид тұзы); және

3. Инертті ұнтақ, көбіне, алюминий топырағы (алюминий тотығы);

Бұйым немесе ұнтақ қоспасы реторттың (камераның) ішінде болады, ол қаптама жағу үшін жеткілікті уақытқа 1 030 К (757oС)-дан 1 375 К (1 102oС)-ге дейін қыздырылады.

d. Плазмалық бүрку - ішінде плазма түзілетін және басқарылатын плазма атқыш (бүріккіш горелка) қаптама материалынан ұнтақты немесе талшықты қабылдай отырып, оларды бұйымға шашқанда қаптама бұйымның ажырамас бөлігі болып қалыптасатын сыртқы қаптама жағу процесі. Плазмалық бүрку не төменгі қысымдағы плазманы, не жоғары жылдамдықтағы плазманы бүркуге негізделуі мүмкін.

1-ерекше ескерту: Төмен қысым атмосфералық қысымнан төмен қысымды білдіреді.

2-ерекше ескерту: Жоғары жылдамдықтағы плазма газдың шүмек (бүріккіш горелка) аузындағы 750 м/с-тен асатын, 293 К (20oС) температураға және 0,1 МПа қысымға есептелген жылдамдығымен айқындалады.

е. Суспензияның (шлам) шөгуі - қаптама жағудың қажетті қасиеттеріне қол жеткізу үшін сұйыққа суспензияланған, органикалық кіріктіргіші бар металл немесе керамикалық ұнтақ бұйыммен бүрку, батыру немесе бояу арқылы байланысатын, кейіннен ауамен немесе пеште кептірілетін қаптама жүргізілетін беттің модификациясы немесе сыртқы қаптама жағу процесі;

f. Бүркумен металдандыру - оң иондар электр өрісінде нысана (қаптама жағу материалы) бетінің бағытына қарай жеделдейтін қозғалыс санын беруге негізделген сыртқы қаптама жағу процесі. Иондар соққыларының кенетикалық энергиясы нысананың бетінде қажетті қаптама түзілуін қамтамасыз етеді.

1-ерекше ескерту: Кестеде қаптама жүргізу материалының аггезиясын және оны жүргізудің жылдамдығын арттыру үшін қолданылатын, бүрку арқылы триотты, магнетронды немесе реактивті металдандыру, сондай-ақ қапталатын металл емес материалдардың булануы үшін пайдаланылатын бүркуді радиожиілік күшейту туралы ғана мәліметтер келтірілген.

2-ерекше ескерту: Төмен энергетикалық ионды сәулелер (5КэВ-тен аз) қаптама жүргізу процесін жеделдету (жандандыру) үшін пайдаланылуы мүмкін.

g. Иондық имплантация - қаптама жағуға арналған материалдың булары иондалатын, әлеуеттің градиентімен жеделденетін және бұйым бетінің учаскесіне имплантацияланатын бұйым бетін модификациялаумен қаптама жүргізу процесі. Иондық имплантация процестеріне иондық имплантация электрондық-сәулелік буланумен немесе бүркумен металдаумен бірлестікте орындалатын процестер де жатады.

ҚР Үкіметінің 2013.18.06. № 618 Қаулысымен (бұр.ред.қара); 2013.20.12. № 1372 Қаулысымен (бұр.ред.қара); 2018.14.05. № 266 Қаулысымен (бұр.ред.қара); 2018.14.05. № 266 Қаулысымен (бұр.ред.қара) 3-санат өзгертілді

3-Санат
Электроника

3А Жүйелер, жабдық және компоненттер

1-ескертпе: басқа жабдық сияқты арнайы әзірленген немесе дәл сондай функционалдық сипаттарға ие 3А001.а.3 бастап А001.а.10 немесе 3А001. 12-ге дейінгі тармақтарда көрсетілген жабдықтар мен құрауыштардан басқа, 3А001 немесе 3А002 тармақтарында көрсетілген жабдық пен құрауыштардың бақылау мәртебесі басқа жабдықтың бақылау мәртебесі бойынша айқындалады.

2-ескертпе: 2А001.а.3-тен бастап 3А001.а.9-ға немесе 3А001.а.12-ге дейінгі тармақтарда көрсетілген, бағдарламалары өзгертіле алмайтын, немесе басқа жабдық үшін нақты функцияларды орындау үшін әзірленген интегралды схемалардың бақылау мәртебесі басқа жабдықтың бақылау мәртебесі бойынша айқындалады.

Арнайы ескертпе: дайындаушы немесе өтініш беруші басқа жабдықтың бақылау мәртебесін айқындай алмайтын жағдайларда, бұл мәртебе 3А001.а.3-тен бастап 3А001.а.9-ға және 3А001.а.12-ге дейінгі тармақтарда көрсетілген интегралдық схемалардың бақылау мәртебесімен айқындалады.

Егер интегралдық схемалардың 3А001.а.3 тармағында көрсетілген «микроЭЕМ» кремнийлі микросхемасы немесе микробақылаушы микросхемасы болып табылса және сөздік операндасының ұзындығы 8 бит немесе одан аз болса, онда оның бақылау мәртебесі 3А001.а.3 тармаққа сәйкес айқындалуы тиіс.

3А001 Мыналар сияқты электрондық бұйымдар:

а. Жалпы мақсаттағы төменде тізбеленген интегралды микросхемалар:

1-ескертпе: Нақты функция жасалған, оларды дайындауға арналған пластиналардың (дайын немесе жартылай фабрикаттар) бақылау мәртебесі 3А001.а тармақта көрсетілген өлшемдер бойынша бағаланады;

2-ескертпе: «Интегралды схемалар» мынадай типтерді қамтиды:

«Монолитті интегралды схемалар»;

«Гибридті интегралды схемалар»;

«Көпкристалды интегралды схемалар»;

«Сапфирдегі кремний» үлгісіндегі интегралды схемаларды қоса алғанда, «пленкалы интегралды схемалар;

«Оптикалық интегралды схемалар»;

1. Радиациялық-төзімді ретінде жобаланған немесе айқындалған, мыналарға төзуге қабілетті интегралды схемалар:

а. Жалпы дозасы 5х10 3 рад (Sі) (кремний) немесе жоғары, немесе;

b. Ақау беруіне дейінгі дозасы қуаты 5х10 6 рад (кремний); немесе жоғары

с. Нейтрондар ағынының кремнийге (1МеV-ке эквивалент) интегралдық тығыздығы 5 х 10 13 н/см 2 немесе жоғарыны құрайды немесе оның басқа металдарға эквиваленті;

Ескертпе: 3А001.а.1.с. тармағымен металл-диэлектрик-жартылай өткізгіші (МДЖ-құрылым) бақыланбайды.

2. Төменде тізбеленген сипаттамалардың кез келгеніне ие болатын «микропроцессорлық микросхемалар», «микроЭЕМ микросхемалары», микробақылау микросхемалары, көпкомпонентті жартылай өткізгіштерден жасалған жады микросхемалары, аналогтік-цифрлық түрлендіргіштер, цифрлық-аналогтік түрлендіргіштер, «сигналдарды өңдеу» үшін әзірленген электроптикалық немесе «оптикалық интегралды микросхемалар», пайдаланушы бағдарламалайтын далалық транзисторлардағы логикалық кілттердің матрицалары, пайдаланушы бағдарламалайтын далалық транзисторлардың логикалық матрицалары, жеке тапсырыс бойынша дайындалған, функциясы белгісіз не өндірушіге аталған интегралдық схемалар пайдаланылатын аппаратураларға бақылау функциялары таралатыны белгісіз интегралдық схемалар, жедел Фурье түрлендіру процессорлары, электрлік бағдарламаланатын үнемі есте сақтау қондырғылары (ЭБҮЕҚ), ультракүлгін өшірумен бағдарламаланатын немесе өз бетімен талғай алынатын (ӨТСЕҚ) статикалық есте сақтау қондырғылары:

а. Қоршаған ортаның 398 К (+125 0 С)-дан жоғары температурасында жұмысқа қабілетті;

b. Қоршаған ортаның 218 К (-55 0 С)-дан жоғары температурада жұмысқа қабілетті;немесе

с. Қоршаған ортаның 218 К (-55 0 С)-дан 398 К (+225 0 С)-қа дейінгі температуралар диапазонынан тыс температураларда жұмысқа қабілетті;

Ескертпе: 3А001.а.2 тармақ азаматтық автомобильдер мен теміржол локомотивтеріне арналған интегралдық схемаларға қолданылмайды;

3. Төменде тізбеленген сипаттамалардың кез келгенін иеленетін «микропроцессорлық микросхемалар», «микрокомпьютерлік микросхемалар» және микробақылаушылардың микросхемалары:

Ескертпе: 3А001.а.3 тармақ цифрлық сигналдар процессорларын, цифрлық матрицалық процессорларды және цифрлық қосарлы процессорларды қамтиды.

а. Қолданылмайды.

b. Жартылай өткізгіш қосылыстарда дайындалған және 40 МГц-дан асатын тактілік жиілікте жұмыс істейді; немесе

с. Деректерінің немесе командалардың бір шинадан артық немесе 150 Мбайт/с-тан жоғары беру жылдамдығымен ИС микропроцессорға параллельді» сыртқы аралық қосуға арналған дәйекті байланыс порты;

4. Жартылай өткізгіш қосылыстарда әзірленген жады интегралды схемалары;

5. Ұқсас цифрлық және цифрлық-ұқсас түрлендіргіштерге арналған мыналар сияқты интегралды схемалар:

а. Мынадай сипаттамалардың кез келгеніне ие ұқсас-цифрлық түрлендіргіштер:

Арнайы ескертпе: сондай-ақ 3А101 қараңыз.

1. 10 бит немесе одан да артық шешу қабілеті, бірақ 12 бит-тен кем, шығыстағы жылдамдығы секундына 500 миллион сөзден артық;

2. 12 бит немесе одан да артық шешу қабілеті, бірақ 14 бит-тен кем, шығыстағы жылдамдығы секундына 200 млн. сөзден артық.

3. 14 бит немесе одан да артық шешу қабілеті, бірақ 16 бит-тен кем, шығысында жылдамдығы секундына 250 миллион сөзден астам;

4. 16 бит немесе одан да артық шешу қабілеті, шығыстағы жылдамдығы секундына 65 млн. сөзден артық.

b. Шешу қабілеті 12 бит және одан да жоғары және «орныққан режимге шығу уақыты» 10 нс-тен кем цифрлық-ұқсас түрлендіргіштер;

Техникалық ескертпелер:

1. Шешу қабілеті n бит 2 деңгейге дейінгі n кванттеуге сәйкес келеді;

2. «Түрленудің толық уақыты» сынама алудың жылдамдығына кері ретінде айқындалады.

6. Бір мезгілде барлық тізбеленген құрауыштарға ие, «сигналдарды өңдеуге» арналған «электрондық-оптикалық» және «оптикалық интегралды схемалар»:

а. Бір ішкі «лазерлі» диод немесе одан астам;

b. Бір ішкі жарық сезгіш элемент немесе одан астам; және

с. Оптикалық толқын жүргізгіштер;

7. Мынадай сипаттамалардың кез келгенін иеленетін пайдаланушы бағдарламалайтын логикалық қондырғылар:

а. Шығындардың (винтельдердің) балама саны 30 000 астам (екі кіріске есептегенде);

b. Негізгі логикалық элементтің «типтік кідіру» уақыты 0,1 нс-тен аз; немесе

с. Қосу жиілігі 133 МГц-ден асады;

Ескертпе: 3А001.а.7-тармақ мыналарды қамтиды:

а. Қарапайым бағдарламалық логикалық қондырғылар

b. Күрделі бағдарламалық логикалық қондырғылар

с. Далалық транзисторлардағы логикалық кілттердің бағдарламаланатын матрицалары

d. Далалық транзисторлардағы бағдарламаланатын логикалық матрицалар

е. Бағдарламалық қосқыштар

Арнайы ескертпе: Далалық транзисторлардағы бағдарламаланатын логикалық қондырғылар, сондай-ақ далалық транзисторлардағы логикалық кілттердің бағдарламаланатын матрицалары немесе далалық транзисторлардағы бағдарламаланатын логикалық матрицалар ретінде белгілі

8. Қолданылмайды;

9. Нейронды желілерге арналған интегралды схемалар;

10. Мынадай сипаттамалардың кез келгенін иеленетін, жеке тапсырыс бойынша дайындалған, функциясы белгісіз не өндірушіге аталған интегралдық схемалар пайдаланылатын аппаратуралардың бақылау функциялары белгісіз интегралдық схемалар:

а. 1000 шығарғыштан жоғары;

b. Элементтің үлгілік «кідіру уақыты» 0,1 нс-тен аз; немесе

с. Жұмыс жиілігі 3 ГГц-ден асады;

11. 3А001.а.3-дан бастап 3А001.а.10 және 3А001.а.12-ге қоса алғандағы тармақтарда көрсетілгендерден айырмасы бар, қандай да бір жартылай өткізгіш қосылыстардың негізінде жасалған және мынадай сипаттамалардың кез келгенін иеленетін сандық интегралды схемалар:

а. Вентильдердің балама саны 3 000 астам (екі кіріске есептегенде); және

b. Қосу жиілігі 1,2 ГГц-ден асады;

12. Фурье жылдам түрлендіру процессорлары, N-нүктесінен жылдам Фурье түрленуін N lоg>2-ден кем емес N / 20 480 мс-тан төмен есептеу уақытына ие, мұндағы N - нүктелер саны;

Техникалық ескертпе:

N 1024 нүктеге тең болған жағдайда, 3А001.а.12 тармағында көрсетілген формула кешенді 1024 нүктелі 500 us Фурье тез түрлендіруі орындалуының есептік уақытын береді;

b. Микротолқын немесе миллиметр ауқымындағы өнімдер, мыналар сияқты:

1. Төменде тізбеленген электронды вакуумдық лампалар мен катодтар:

1-ескертпе: 3А001.b.1 тармақ мынадай сипаттамаларға ие, кез келген жиілікте жұмыс істеу үшін жасалған немесе жобаланған лампаларды бақыламайды:

а. 31,8 ГГц-ден аспайды; және

b. Халықаралық Телекоммуникация Одағы радиокоммуникациялық қызмет саласы үшін таратады, бірақ радиолық табу үшін емес.

2-ескертпе: 3А001.b.1 тармақ мынадай сипаттамалардың бәріне ие, «ғарышта қолдануға арналмаған» лампаларды бақыламайды:

а. Орташа шығу қуаты 50 Вт-ға тең немесе одан аз; және

b. мынадай сипаттамалардың бәріне жауап беретін, кез келген жиілікте жұмыс істеу үшін жасалған немесе жобаланған:

1. 31,8 ГГц-ден жоғары, бірақ 43,5 ГГц-дан аспайды; және

2. Халықаралық Телекоммуникация Одағы радиокоммуникациялық қызмет саласы үшін таратады, бірақ радиолық табу үшін емес.

а. Мыналар сияқты импульстің немесе үздіксіз әрекеттің жүгіретін толқындар лампасы:

1. 31 ГГц-ден асатын жиіліктерде жұмыс істейді;

2. Қосылғаннан бастап лампаның 3с-тен кем емес шекті радиожиілікті қуатына шыққанға дейінгі уақытты катодтың қыздыру элементі бар;

3. Резонаторлармен ұштастырылған лампалар немесе жиілігі «жиілік белдеуінің бір сәттік ені» жиілігі 7%-ынан жоғары немесе қуатының шыңы 2,5 кВт-ден асатын олардың модификациялары;

4. Мынадай сипаттамалардың кез келгеніне ие спиральды лампалар немесе олардың модификациялары:

а. «Жиілік белдеуінің сәттік ені» октавадан астам немесе одан кем және шығаратын орташа қуаты (кВт-де) жұмыс жиілігіне (ГТц-де) 0,5-тен астам; немесе

b. «Жиілік белдеуінің сәттік ені» бір октаваға тең немесе одан кем және шығаратын орташа қуаты (кВт-де) жұмыс жиілігіне (ГГц-де) 1-ден астам;

с. «Ғарышта қолдану үшін жарамды»;

b. Күшейту коэффициенті 17 дБ-дан астам магнетрондық үлгідегі күшейткіш лампалар;

с. Үздіксіз эмиссия кезіндегі және жұмыс істеудің штаттық жағдайларында токтың 5 А/кв.см-ден асатын тығыздығын қамтамасыз ететін, электрондық лампалар үшін әзірленген, импренирленген катодтар.

2. Мынадай сипаттамалардың екеуіне де ие монолитті микротолқынды интегралды схемалар (ММИС):

а. 3,2 ГГц-ден жоғары 6 ГГЦ-ге дейінгі мен оны қоса алғандағы жиіліктерде жұмыс істеуге есептелген және «жиілік белдеуінің салыстырмалы ені» 15%-тен жоғары болғандағы орташа шығу қуаты 4 Вт (36 dBm)-нен жоғары;