Особое примечание: Усилители мощности для МИСМ оцениваются согласно критериям, установленным в Пункте 3А001.b.2.
Примечание 1: Пунктом 3A001.b.4. не контролируется спутниковая вещательная аппаратура, спроектированная и рассчитанная для работы на частотах в диапазоне от 40,5 до 42,5 ГГЦ.
Примечание 2: Контролируемое состояние аппаратуры, чья рабочая частота колеблется в диапазоне свыше одной частоты согласно Пункту 3A001.b.4., определяется контролируемым порогом - самой низкой средней выходной мощностью.
5. Фильтры с электронной или магнитной настройкой, содержащие более пяти настраиваемых резонаторов, обеспечивающих настройку в полосе частот с соотношением максимальной и минимальной частот 1,5: 1 (f max/f min) менее чем за 10 мкс, имеющие любую из следующих составляющих:
а. Полосовые фильтры, имеющие полосу пропускания частоты более 0,5 % от резонансной частоты; или
b. Заградительные фильтры, имеющие полосу подавления частоты менее 0,5 % от резонансной частоты;
6. Не используются;
7. Смесители и преобразователи, разработанные для расширения частотного диапазона аппаратуры, указанной в пунктах 3A002.c, 3A002.е. или 3A003.f за пределы, указанные в этих пунктах;
8. Микроволновые усилители мощности СВЧ-диапозона, содержащие лампы, контролируемые по пункту 3A001.b., и обладающие всеми следующими характеристиками:
a. Рабочие частоты свыше 3 ГГц;
b. Среднюю плотность выходной мощности, превышающую 80 Вт/кг; и
c. Объем менее 400 куб. см;
Примечание: Пункт 3A001.b.8. не контролирует аппаратуру, разработанную или пригодную для работы на частотах, «распределяемых Международным Союзом Телекоммуникаций» для сферы радиокоммуникационных услуг, но не для радиообнаружения.
с. Приборы на акустических волнах и специально спроектированные для них компоненты, такие, как:
1. Приборы на поверхностных (мелких объемных) акустических волнах и на акустических волнах в тонкой подложке (т.е. приборы для «обработки сигналов», использующие упругие волны в материале), обладающие любой из следующих характеристик:
a. Несущую частоту более 2,5 ГГц;
b. Несущую частоту более 1 ГГц, но не превышающую 2,5 ГГц, и дополнительно обладающие любой из следующих характеристик:
1. Частотное подавление боковых лепестков диаграммы направленности более 55 дБ;
2. Произведение максимального времени задержки (в мкс) на ширину полосы частот (в МГц) более 100;
3. Ширину полосы частот более 250 МГц; или
4. Задержку рассеяния, превышающую 10 мкс; или
c. Несущую частоту от 1 ГГц и менее и дополнительно обладающие любой из следующих характеристик:
1. Произведение максимального времени задержки (в мкс) на ширину полосы частот (в МГц) более 100;
2. Задержку рассеяния, превышающую 10 мкс; или
3. Частотное подавление боковых лепестков диаграммы направленности более 55 дБ и ширину полосы частот, превышающую 50 МГц;
2. Приборы на объемных акустических волнах (т.е. приборы для «обработки сигналов», использующие упругие волны в материале), обеспечивающие непосредственную обработку сигналов на частотах свыше 1 ГГц;
3. Акустооптические приборы «обработки сигналов», использующие взаимодействие между акустическими волнами (объемными или поверхностными) и световыми волнами, что позволяет непосредственно обрабатывать сигналы или изображения, включая анализ спектра, корреляцию или свертку;
d. Электронные приборы и схемы, содержащие компоненты, изготовленные из «сверхпроводящих материалов, специально спроектированные для работы при температурах ниже «критической температуры» хотя бы одной из «сверхпроводящих» составляющих, имеющие любой из следующих признаков:
1. Токовые переключатели для цифровых схем, использующие «сверхпроводящие» вентили, у которых произведение времени задержки на вентиль (в секундах) на рассеяние мощности на вентиль (в ваттах) ниже 10-14 Дж): или
2. Селекцию частоты на всех частотах с использованием резонансных контуров с добротностью, превышающей 10 000;
e. Нижеперечисленные накопители энергии:
1. Батареи и фотоэлектрические батареи (элементы), такие как:
Примечание: Пункт 3A001.е.1. не контролирует батареи объемом 27 куб.см и меньше (например, стандартные угольные элементы или батареи типа R-14);
a. Первичные элементы и батареи «с плотностью энергии» свыше 480 Вт-ч/кг и пригодные по техническим условиям для работы в диапазоне температур от 243 К (-300С) и ниже до 343 К (70 0С) и выше;
b. Подзаряжаемые элементы и батареи с «плотностью энергии» свыше 150 Вт-ч/кг после 75 циклов заряда-разряда при токе разряда, равном С/5 ч (С - номинальная емкость в ампер-часах), при работе в диапазоне температур от 253 К (-20 0С) и ниже до 333 К (60 0С) и выше; 8506; 8507; 8541 40 900 0
Техническое примечание:
«Плотность энергии» определяется путем умножения средней мощности в ваттах (произведение среднего напряжения в вольтах на средний ток в амперах) на длительность цикла разряда в часах, при котором напряжение на разомкнутых клеммах падает до 75 % от номинала, и деления полученного произведения на общую массу элемента (или батареи) в кг;
c. Батареи, по техническим условиям «пригодные для применения в космосе», и радиационно-стойкие батареи на фотоэлектрических элементах с удельной мощностью свыше 160 Вт/кв.м при рабочей температуре 301 К (28 0С) и вольфрамовом источнике, нагретом до
2 800 К (2 527 0С) и создающем энергетическую освещенность 1 кВт/кв.м
2. Конденсаторы для накопления большой энергии, такие как:
Особое примечание: См. также 3А201.А.
а. Конденсаторы с частотой повторения менее 10 Гц (одноразрядные конденсаторы), обладающие всеми следующими характеристиками:
1. Номинальное напряжение 5 кВ или более:
2. Плотность энергии 250 Дж/кг или более: и
3. Общую энергию 25 кДж или более;
b. Конденсаторы с частотой повторения 10 Гц и более (многоразрядные конденсаторы), обладающие всеми следующими характеристиками:
1. Номинальное напряжение не менее 5 кВ;
2. Плотность энергии не менее 50 Дж/кг,
3. Общую энергию не менее 100 Дж; и
4. Количество циклов заряда-разряда не менее 10 000;
3. «Сверхпроводящие» электромагниты и соленоиды, специально спроектированные на полный заряд или разряд менее чем за одну секунду, обладающие всеми из нижеперечисленных характеристик:
Особое примечание: См. также 3А201.b.
Примечание: Пункт 3A001.е.3. не контролирует «сверхпроводящие» электромагниты или соленоиды, специально спроектированные для медицинской аппаратуры - магниторезонансной томографии.
a. Энергию, выделяемую при разряде, превышающую 10 кДж за первую секунду;
b. Внутренний диаметр токопроводящих обмоток более 250 мм; и
c. Номинальную магнитную индукцию свыше 8 Т или «суммарную плотность тока» в обмотке больше 300 А/кв.мм;
f. Вращающиеся преобразователи абсолютного углового положения вала в код, обладающие любой из следующих характеристик:
1. Разрешение лучше 1/265 000 от полного диапазона (18 бит); или
2. Точность лучше +/- 2,5 угл. секунды.
3A001 а. 1. 8542
3A001 а. 2. 8542
3A001 а. 3. 8542
8542 21 500 0
8542 21 83
8542 21 850 0
8542 60 000
3A001 а. 4. 8542
8542 21 45
8542 21 500 0
8542 21 83
8542 21 850 0
8542 60 000
3A001 а. 5. 8542
8542 29 600 0;
8542 29 900 9;
8542 60 000 9
3A001 а. 6. 8542
3A001 а. 7. 8542
8542 21 690 0;
8542 21 990 0
3A001 а. 8. 8542
3A001 а. 9. 8542
3A001 а. 10. 8542
8542 21 690 0;
8542 21 990 0;
8542 29;
8542 60 000
3A001 а. 11. 8542
3A001 а. 12. 8542
8542 21 45
8542 21 500 0
8542 21 83
8542 21 850 0
8542 60 000
3A001 b. 1. 8540
8540 99 000 0
8540 71 000 0
8540 79 000 0
3A001 b. 2 8540
8542 29
8542 60 000
8542 70 000 0
3A001 b. 3. 8540
8541 21 000 0;
8541 29 000 0
3A001 b. 4. 8540
8543 89 950 0
3A001 b. 5. 8540
8543 89 950 0
3A001 b. 6. 8540
3A001 b. 7. 8540
8543 89 950 0
3A001 b. 8. 8540
8543 89 950 0
3A001 с. 1. 8541
8541 60 000 0
3A001 с. 2. 8541
8541 60 000 0
3A001 с. 3. 5418
8541 60 000 0
3A001 d. 8542
8540
8541
8543
3A001 е. 1. 8506
8507
8541 40 900 0
3A001 е. 2. 8506
8507
8532
3A001 е. 3. 8505 19 900 0
8504 50
8505 90 100 0
3A001 f. 9031 80
9031 80 320 0
9031 80 340 0
g. Твердотельные импульсные силовые коммутационные тиристорные устройства и «тиристорные модули» с электрическим, оптическим или электронно-эмиссионным управлением переключением, имеющие любую из следующих характеристик:
1. Максимальную скорость нарастания отпирающего тока (di/dt) более 30 000 А/мкс и напряжение в замкнутом состоянии более 1100 В; или
2. Максимальную скорость нарастания отпирающего тока (di/dt) более 2000 А/мкс и все нижеследующие характеристики:
a. Импульсное напряжение в замкнутом состоянии 3000 В и более; и
b. Максимальный ток в импульсе (ударный ток) более 3000 А;
Примечание 1: Пункт 3A001g включает:
кремниевые управляемые тиристоры (SCR)
электрически управляемые тиристоры (ЕТТ)
светоуправляемые тиристоры (LTT)
коммутируемые по затвору запираемые тиристоры (IGCT)
запираемые тиристоры (GTO)
МОП-управляемые тиристоры (МОП-структуре металл-оксид-полупроводник)
полупроводниковые коммутаторы марки Solidtron
Примечание 2: Пункт 3A001g не применяется к тиристорным устройствам и «тиристорным модулям», интегрированным в оборудование, предназначенное для применения в железнодорожном транспорте или «гражданских летательных аппаратах.».
Особое примечание:
В контексте пункта 3A001g «тиристорный модуль» содержит одно или несколько тиристорных устройств.
h. Твердотельные, полупроводниковые силовые переключатели, диоды или «модули», имеющие все нижеследующие характеристики:
1. Максимальную номинальную рабочую температуру перехода выше 488 K (215°С);
2. Периодическое импульсное напряжение в замкнутом состоянии (блокирующее напряжение) более 300 В; и
3. Непрерывный ток более 1 А.
Примечание 1: В пункте 3А001 h периодическое импульсное напряжение в замкнутом состоянии включает напряжение источника, напряжение коллектор-эмиттер, периодическое импульсное обратное напряжение и периодическое импульсное блокирующее напряжение в замкнутом состоянии.
Примечание 2: Пункт 3А001 h включает:
полевые транзисторы с управляющим р - n переходом (JFET)
полевые транзисторы с вертикальным р - n переходом (VJFET)
полевые транзисторы со структурой металл-оксид-проводник (MOSFET)
двухдиффузионные полевые транзисторы со структурой МОП (DMOSFET)
биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT)
транзисторы с высокой подвижностью электронов (НЕМТ)
биполярные плоскостные транзисторы (BJT)
тиристоры и кремниевые управляемые тиристоры (SCR)
запираемые тиристоры (GTO)
тиристоры с эмиттерным запиранием (ЕТО)
регулируемы резистивные диоды
диоды Шоттки
Примечание 3: Пункт 3А001 h не применяется к переключателям, диодам или «модулям», встроенным в оборудование, предназначенное для применения в гражданском автомобильном, железнодорожном транспорте или «гражданских летательных аппаратах».
Специальное примечание:
Применительно к пункту 3А001 h, «модуль» состоит из одного или нескольких твердотельных полупроводниковых силовых переключателей или диодов.
3A002 Нижеперечисленная электронная аппаратура общего назначения:
а. Записывающая аппаратура и специально разработанная измерительная магнитная лента для нее, такие как:
1. Накопители на магнитной ленте для аналоговой аппаратуры, включая аппаратуру с возможностью записи цифровых сигналов (например, использующие модуль цифровой записи высокой плотности), обладающие любой из следующих характеристик:
a. Полосу частот, превышающую 4 МГц на электронный канал или дорожку;
b. Полосу частот, превышающую 2 МГц на электронный канал или дорожку, при числе дорожек более 42; или
c. Ошибку рассогласования (основную) временной шкалы, измеренную по методикам соответствующих руководящих материалов Межведомственного совета по радиопромышленности (1К.10) или Ассоциации электронной промышленности (EIA), менее +/-0,1 мкс
Примечание: Аналоговые видеомагнитофона, специально разработанные для гражданского применения, не рассматриваются как записывающая аппаратура.
2. Цифровые видеомагнитофоны, имеющие максимальную пропускную способность цифрового интерфейса свыше 360 Мбит/с;
Примечание: Пункт 3A002.а.2. не контролирует цифровые видеомагнитофоны, специально спроектированные для телевизионной записи, использующие стандартный формат сигнала, возможно, включая сжатие сигнала, стандартизованный или рекомендуемый Международным Союзом Телекоммуникаций, Международной электротехнической комиссией (МЭIС), Обществом кино- и телеинженеров США, Европейским телевещательным союзом, Европейским институтом стандартизации электросвязи или Институтом инженеров по электротехнике и радиоэлектронике.
3. Накопители на магнитной ленте для цифровой аппаратуры, использующие принципы спирального сканирования или принципы фиксированной головки и обладающие любой из следующих характеристик:
a. Максимальную пропускную способность цифрового интерфейса более 175 Мбит/с; или
b. «Пригодные для применения в космосе»;
Примечание: Пункт 3A002.а.3. не контролирует аналоговые накопители на магнитной ленте, оснащенные электронными блоками для преобразования в цифровую запись высокой плотности и предназначенные для записи только цифровых данных.
4. Аппаратура с максимальной пропускной способностью цифрового интерфейса свыше 175 Мбит/с, спроектированная в целях переделки цифровых видеомагнитофонов для использования их как устройств записи данных цифровой аппаратуры;
5. Приборы для преобразования сигналов в цифровую форму и записи переходных процессов, имеющие все следующие характеристики:
a. Скорость преобразования в цифровую форму не менее 200 млн. проб в секунду и разрешение 10 или более бит в секунду; и
b. Пропускную способность не менее 2 Гбит/с или свыше;
Техническое примечание:
Для таких приборов с архитектурой на параллельной шине пропускная способность есть произведение наибольшего объема слов на количество бит в слове.
Пропускная способность - это наивысшая скорость передачи данных аппаратуры, с которой информация поступает в запоминающее устройство без потерь при сохранении скорости выборки и аналого-цифрового преобразования.
6. Цифровые измерительные приборы для записи цифровых сигналов, с использованием техники записи данных на магнитном диске и обладающие следующими характеристиками:
a. Скорость дискретизации равная 100 миллионам выборок в секунду или более с резолюцией 8 бит или свыше; и
b. Постоянная пропускная способность в 1 Гбит/сек или более;
b. «Синтезаторы частот» «электронные блоки», имеющие «время переключения частоты» с одной заданной частоты на другую менее 1 мс;
c. «Анализаторы сигналов», способные анализировать радиочастоты, такие как:
1. «Анализаторы сигналов», способные анализировать радиочастоты, превышающие 31,8 ГГц, но менее 37,5 Ггц или свыше 43,5 Ггц;
2. «Динамические анализаторы сигналов» с «полосой пропускания в реальном времени», превышающей 500 кГц
Примечание: Пункт 3A002.С.2. не контролирует «динамические анализаторы сигналов», использующие только фильтры с полосой пропускания фиксированных долей (Фильтры с полосой пропускания фиксированных долей известны также как октавные или дробно-октавные фильтры);
d. Генераторы сигналов синтезированных частот, формирующие выходные частоты с управлением по параметрам точности, кратковременной и долговременной стабильности на основе или с помощью внутренней эталонной частоты, обладающие любой из следующих характеристик:
1. Максимальную синтезируемую частоту более 31,8 ГГц, но не свыше 43,5 ГГц спроектированную для создания импульса продолжительностью не менее 100 нc;
2. Максимальную синтезируемую частоту свыше 43,5 ГГц;
3. «Время переключения» с одной заданной частоты на другую менее 1 мс; или
4. Фазовый шум одной боковой полосы лучше - (126 + 20log10F - 20log10f) в единицах дБ х с/Гц, где f - смещение рабочей частоты в Гц, a F - рабочая частота в МГц
Техническое примечание:
Для целей Пункта 3A002.d.1., «длительность импульса» определяется как интервал времени между передним фронтом импульса, достигающим пика в 90 % и задним фронтом импульса, достигающим пика в 10 %.
Примечание: Пункт 3A002.d. не контролирует аппаратуру, в которой выходная частота создается либо путем сложения или вычитания частот с двух или более кварцевых генераторов, либо путем сложения или вычитания с последующим умножением результирующей частоты.
e. Сетевые анализаторы с максимальной рабочей частотой, превышающей 43,5 ГГц;
f. Микроволновые приемники-тестеры, обладающие всеми следующими характеристиками:
1. Максимальную рабочую частоту, превышающую 43,5 ГГц; и
2. Способные одновременно измерять амплитуду и фазу;
g. Атомные эталоны частоты, обладающие любой из следующих характеристик:
1. Долговременную стабильность (старение) менее (лучше), чем 1x10-11/месяц; или
2. «Пригодные для применения в космосе».
Примечание: Пункт 3A002.g.l. не контролирует рубидиевые эталоны, не «предназначенные для космического применения».
3A002 а. 1. 8519 81 560
8520 32 500 0
8520 32 990 0
8520 39 900 0
8520 90 900 0
8521 10 300 0
8521 10 800 0
3A002 а. 2. 8521
8521 10;
8521 90 000 0
3A002 а. 3. 8521 10
8471 70 600 0
3A002 а. 4. 8521 90 000 9
8521 90 000 0
3A002 а. 5. 8543
8471 90 000 0
8543 89 950 0
8486 10
8486 20
8486 30
8486 40
8523 59
8523 52
3A002 а. 6. 8471 50;
8471 60 100 0;
8471 60 900 0;
8471 70 100 0;
8471 70 510 0;
8471 70 530 0;
8520 90 100 0;
8520 90 900 0;
8521 90 000 0;
8522 90 590 0;
8522 90 930 0;
8522 90 980 0
3A002 b. 8543
8486 10
8486 20
8486 30
8486 40
8523 59
8523 52
8543 20 000 0
3A002 с. 1. 8543
8486 10
8486 20
8486 30
8486 40
8523 59
8523 52
9030 83 900 0
9030 89 920 0
3A002 с. 2. 8543
8586 10
8486 20
8486 30
8486 40
8523 59
8523 52
9030 83 900 0;
9030 89 920 0
3A002 d. 8543 20 000 0
3A002 е. 8543
8486 10
8486 20
8486 30
8486 40
8523 59
8523 52
9030 40 900 0
3A002 f. 8527 99 000 0
8527 90 980 0
3A002 g. 8543 20 000 0
3A003 Системы контроля теплового охлаждения и разбрызгивания, в которой используется замкнутый цикл автоматически регулирующегося оборудования для транспортировки и восстановления свойств флюида в герметичном пространстве. Здесь диэлектрический флюид распыляется на электронные компоненты с помощью специально спроектированных форсунок, которые должны удерживать электронные компоненты в пределах их рабочей температуры, и специально спроектированные компоненты.
3A003 8419 89 989 0
8424 89 950 9
8479 89 980 0
3А101 Электронное оборудование, устройства и компоненты, отличающиеся от описанных в пункте 3А001, такие как:
a. Аналого-цифровые преобразователи, пригодные для использования в «реактивных снарядах» разработанные в соответствии с военными спецификациями для оборудования повышенной защищенности;
b. Ускорители, создающие электромагнитное излучение за счет тормозного излучения ускоренных электронов с энергией 2 МэВ или более, и системы, содержащие такие ускорители.
Примечание: По пункту ЗА101.b. не контролируется вышеописанное оборудование, если оно предназначено для медицинских целей.
3A101 а. 8471 30
8471 41
8471 49
8471 50
8542
3A101 b. 8543 10 000 0
8543 19 000 0
3А102 «Тепловые батареи», разработанные или модифицированные для «реактивных снарядов».
Технические примечания:
1. В пункте 3А102 «тепловые батареи» определяются как батареи одноразового применения, содержащие в качестве электролита твердые непроводящие неорганические соли. Эти батареи содержат пиролитические материалы, которые при воспламенении расплавляют электролит и активируют батарею.
2. В пункте 3А102 «реактивный снаряд» означает ракетные системы и беспилотные воздушные летательные аппараты с дальностью более 300 км.
3А201 Электронные компоненты, отличающиеся от описанных в пункте 3А001, такие как:
a. Конденсаторы, обладающие любым из следующих наборов характеристик:
1. а. Напряжение более 1,4 кВ,
b. Запас энергии более 10 Дж,
c. Емкость более 0,5 мкф, и
d. Последовательная индуктивность менее 50 нГ; или
2. а. Напряжение более 750 В,
b. Емкость более 0,25 мкф, и
c. Последовательная индуктивность менее 10 нГ;
b. Сверхпроводящие соленоидальные электромагниты, обладающие одновременно всеми следующими характеристиками:
1. Способность создавать магнитные поля свыше 2 Т;
2. Отношение длины к внутреннему диаметру (L/D) больше 2;
3. Внутренний диаметр более 300 мм; и
4. Однородность магнитного поля лучше чем 1 % в пределах 50 % внутреннего объема по центру;
Примечание: По пункту 3A201.b. не подлежат экспортному контролю магниты, специально разработанные для медицинских ядерных магнитно-резонансных (ЯМР) систем отображения и экспортируемые как их составные части. Слова «составные части» не обязательно означают физическую часть того же самого оборудования. Допускаются отдельные отгрузки из различных источников при условии, что в соответствующих экспортных документах ясно указывается связь составных частей.
с. Импульсные рентгеновские генераторы или импульсные электронные ускорители, обладающие любым из следующих наборов характеристик:
1. а. Имеющие пиковую энергию электронов ускорителя 500 кэВ или более, но менее 25 МэВ, и
b. С «коэффициентом качества» (К) 0,25 или более, или
2. а. Имеющие пиковую энергию электронов 25 МэВ или более, и
b. «Пиковую мощность» более 50 МВт
Примечание: По пункту 3A201.c. не контролируются ускорители, являющиеся составными частями устройств, предназначенных для иных целей, чем получение электронных пучков или рентгеновского излучения (например, электронная микроскопия), и устройств, которые предназначены для медицинских целей:
Технические примечания:
1. «Коэффициент качества» К определяется по формуле:
K=1,7x10^(3)V^(2,65)Q
где V - пиковая энергия электронов в мегаэлектронвольтах.
Если длительность импульса пучка ускорителя менее или равна 1 мкc, то Q - суммарный ускоренный заряд в кулонах. Если длительность пучка ускорителя более 1 мке, то Q - это максимальный ускоренный заряд за 1 мкс.
Q равен интегралу i по t по интервалу, представляющему собой меньшую величину из 1 мкс или продолжительности импульса пучка (Q =Sidt), где i - ток пучка в амперах, a t - время в секундах;
2. «Пиковая мощность» = (пиковому потенциалу в вольтах) х на пиковый ток пучка в амперах.
3. Длительность импульса пучка в устройствах, базирующихся на микроволновых ускорительных полостях, - это наименьшая из двух величин: 1 мкс или длительности сгруппированного пакета импульсов пучка, определяемая длительностью импульса микроволнового модулятора.
4. Пиковый ток пучка - в устройствах, базирующихся на микроволновых ускорительных полостях, - это средняя величина тока на протяжении длительности сгруппированного пакета импульсов пучка.
3A201 а. 8532 10 000 0
8532 29 000 0
8532 23 000 0
8532 24 000 0
8532 25 000 0
3A201 b. 8505 90 100 0
3A201 с. 8543
8486 10
8486 20
8486 30
8486 40
8523 59
8523 52
8543 19 000 0
9022 19 000 0
3A225 Преобразователи частоты или генераторы, отличающиеся от описанных в пункте 0В001.b.13., обладающие всеми следующими характеристиками:
a. Многофазный выход мощностью 40 Вт или более;
b. Работающие в интервале частот от 600 до 2 000 Гц;
c. Суммарные нелинейные искажения лучше (ниже) чем 10 %; и
d. Регулировку частоты с точностью лучше (менее) 0,1 %.
Техническое примечание:
Преобразователи частоты в пункте 3A225 также известны как инверторы или конвертеры.
3A225 8502 39 800 0
8504 40 000 0
8502 39 990 0
8502 40 900 0
3A226 Мощные источники постоянного тока, отличающиеся от описанных в пункте 0B001.j.6., обладающие обеими из следующих характеристик:
a. Способные непрерывно работать более 8 часов при напряжении более 100 В и выходном токе 500 А или более, и
b. Со стабильностью тока или напряжения лучше 0,1 % за 8-ми часовой период времени.
3A226 8504 40 900 9
8504 40 940 9»
8504 40 990 0
3A227 Высоковольтные источники постоянного тока, отличающиеся от описанных в пункте 0B001.j.5., обладающие обеими из следующих характеристик:
a. Способные создавать в течение 8 часов напряжение 20 кВ или более при выходном токе 1 А или более, и
b. Со стабильностью тока или напряжения лучше 0,1 % за 8-ми часовой период времени.
3A227 8501 61
8501 62
8501 63 000 0
8501 64 000 0
8501 32 990 9
8501 33 900 9
8501 34 910 0
8501 34 990 0
8504 40 940 9
3A228 Переключающие устройства, такие как:
а. Трубки с холодным катодом, независимо от того, заполнены они газом или нет, действующие как искровой разрядник и обладающие всеми следующими характеристиками:
1. Содержат три и более электродов;
2. Пиковое анодное напряжение 2,5 кВ или более;
3. Пиковый анодный ток 100 А или более; и
4. Анодное запаздывание 10 мкс или менее;
Примечание: Пункт 3A228 включает газонаполненные криптоновые лампы и вакуумные спрайтроны.
b. Управляемые искровые разрядники, обладающие обеими из следующих характеристик:
1. Анодное запаздывание не более 15 мкс. и
2. Рассчитанные на пиковый ток 500 А или более;
c. Модули или сборки для быстрого переключения, обладающие всеми следующими характеристиками:
1. Пиковое анодное напряжение 2 кВ или более;
2. Пиковый анодный ток 500 А или более; и
3. Время включения 1 мкс или менее.
3A228 а. 8540 89 000 0
8535 90 000 0
3A228 b. 8536 90 850 0
8536 30 900 0
8535 90 000 0
8540 89 000 0
3A228 с. 8535
8535 90 000 0
3A229 Запускающие устройства и эквивалентные импульсные генераторы большой силы тока, такие как:
Особое примечание: См также военный список.
а. Запускающие устройства детонаторов взрывных устройств, разработанные для запуска параллельно управляемых детонаторов, указанных в пункте 3A232;
b. Модульные электрические импульсные генераторы, обладающие всеми следующими характеристиками:
1. Предназначенные для портативного, мобильного или ужесточенного режима использования;
2. Выполнены в пыленепроницаемом корпусе;
3. Способные к выделению запасенной энергии в течение менее чем 15 мкс;
4. Дающие на выходе ток свыше 100 А;
5. Со «временем нарастания» импульса менее 10 мкс при сопротивлении нагрузки менее 40 Ом;
6. Ни один из размеров не превышает 254 мм;
7. Вес менее 25 кг; и
8. Приспособлены для использования в температурном диапазоне от 223 К (-50 0С) до 373 К (100 0С) или указаны как пригодные для использования в космосе.
Примечание: Пункт 3A229.b. включает драйверы с ксеноновой лампой-вспышкой.
Техническое примечание:
В пункте 3A229.b.5 «время нарастания» определяется как временной интервал между 10 % и 90 % амплитуды тока, проходящего через соответствующую нагрузку
3A229 а. 8543 70 900 9
8486 10
8486 20
8486 30
8486 40
8523 52
8543 70
3603 00 900 0
8543 89 950 0
3A229 b. 8543 20 000 0
8543 89 950 0
8548 90 900 0
3A230 Сверхскоростные импульсные генераторы, обладающие обеими из следующих характеристик:
a. Напряжение на выходе более 6 В при резистивной нагрузке менее 55 Ом, и
b. «Время нарастания (длительности фронта) импульса» менее 500 пс
Техническое Примечание:
В пункте 3A230, «время нарастания» определяется как временной интервал между 10 % и 90 % амплитуды напряжения.
3A230 8543 20 000 0
3A231 Системы нейтронных генераторов, включающие трубки, обладающие обеими из следующих характеристик:
a. Сконструированные для работы без внешней вакуумной системы, и
b. Использующие электростатическое ускорение для индуцирования тритиево-дейтериевой ядерной реакции.
3A231 8543 10 000 0
8479 89 980 0
8543 19 000 0
9015 80 110 0
3A232 Детонаторы и многоточечные инициирующие системы, такие как
Особое примечание: См. также военный список.
a. Электродетонаторы, такие как:
1. Взрывающийся перемычкой;
2. Взрывающийся перемычкой-проводом;
