приемов осаждения покрытий:
1. Термин «процесс нанесения покрытия» включает в себя как изначальное нанесение покрытия, так и работы по исправлению и улучшению уже нанесенного покрытия.
2. Термин «покрытие сплавами алюминида» включает единичное или многократное нанесение покрытий, в ходе которого на элемент или элементы осаждается покрытие до или в течение процесса алюминидирования, даже если на эти элементы были осаждены покрытия с помощью других процессов. Это, однако, исключает многократное использование одношагового процесса пакетной цементации для получения сплавов алюминидов.
3. Термин «покрытие алюминидами, модифицированными благородными металлами», включает многошаговое нанесение покрытий, в котором благородный металл или благородные металлы нанесены ранее каким-либо другим процессом до применения метода нанесения алюминида.
4. «Смеси» включают инфильтрующий материал, композиции, выравнивающие температуру процесса, присадки и многослойные материалы и получаются в ходе одного или нескольких процессов нанесения покрытий, изложенных в таблице.
5. «MCrAlX» соответствует сложному составу покрытия, где М означает кобальт, железо, никель или их комбинации, а X означает гафний, иттрий, кремний, тантал в любом количестве или другим специально внесенным добавкам свыше 0,01 % (по весу) в различных пропорциях и комбинациях, кроме:
a. CoCrAlY - покрытий, содержащих менее 22 % (по весу) хрома, менее 7 % (по весу) алюминия и менее 2 % (по весу) иттрия;
b. CoCrAlY - покрытий, содержащих 22-24 % (по весу) хрома, 10-12 % (по весу) алюминия и 0,5-0,7 % (по весу) иттрия: или
c. NiCrAlY - покрытий, содержащих 21-23 % (по весу) хрома, 10-12 % (по весу) алюминия и 0,9-1,1 % (по весу) иттрия.
6. Термин «алюминиевые сплавы» соответствует сплавам с предельным значением прочности на разрыв 190 МПа или более, измеренным при температуре 293 К (20 0С).
7. Термин «коррозионно стойкая сталь» относится к сталям, удовлетворяющим требованиям стандарта 300 Американского института железа и стали AISI (American Iron and Steel Institute), или требованиям соответствующих национальных стандартов для сталей.
8. К тугоплавким металлам относятся следующие металлы и их сплавы: ниобий (Колумбии), молибден, вольфрам и тантал.
9. «Материалами окон датчиков» являются: глинозем (окись алюминия), кремний, германий, сульфид цинка, селенид цинка, арсенид галлия, алмаз, фосфид галлия, сапфир, некоторые галогениды металлов; а окон датчиков диаметром более 40 мм - фторид циркония и фторид гафния.
10. «Технология» для одношаговой пакетной цементации твердых профилей крыльев не подвергается ограничению по Категории 2.
11. «Полимеры» включают: полиамид, полиэфир, полисульфид, поликарбонаты и полиуретаны.
12. Термин «модифицированные виды циркония» означает цирконий с внесенными в него добавками оксидов других металлов (таких, как оксиды кальция, магния, иттрия, гафния, редкоземельных металлов) для стабилизации определенных кристаллографических фаз и фаз смешения. Термостойкие покрытия из циркония, модифицированные кальцием или оксидом магния методом смешения или сплавления, не контролируются.
13. Термин «титановые сплавы» здесь относится к аэрокосмическим сплавам с предельным значением прочности на разрыв 900 МПа или более, измеренным при 293 К (20 0С).
14. «Стекла с малым коэффициентом расширения» определяются как стекла, имеющие коэффициент температурного расширения 1 х 10-7 К-1 или менее, измеренный при 293 К (20 0С).
15. «Диэлектрические слоистые покрытия» (слои диэлектриков) относятся к многослойным изолирующим материалам, в которых интерференционные свойства конструкции сочетаются с различными индексами отражения, что используется для отражения, передачи или поглощения волн в различных диапазонах. Диэлектрические слоистые покрытия состоят из четырех и более слоев диэлектрика или слоев «композита» диэлектрик-металл.
16. «Цементированный карбид вольфрама» не включает материалы, применяемые для резания и формования металла, состоящие из карбида вольфрама/(кобальт, никель), карбида титанаДкобальт, никель), карбид хрома/(никель-хром) и карбид хрома/никель.
17. Не контролируются «технологии» нанесения алмазо-подобного углерода на следующие объекты:
магнитные диски и головки, оборудование для производства товаров одноразового использования, вентили кранов, акустические диафрагмы громкоговорителей, детали автомобильных двигателей, режущие инструменты и резцы, штампы для штамповочно-прессовальных инструментов, оборудование для автоматизации делопроизводства, микрофоны или медицинское оборудование или формы, для отливки и формирования пластмассы, произведенной из сплавов, содержащих менее 5 % бериллия.
18. «Карбид кремния» не включает материалов для резцов, в т.ч. фасонных резцов.
19. Керамические материалы, указанные в данном пункте, не включают керамических материалов, содержащих 5 % или более по весу глинозема или цемента, как самостоятельных составных частей либо в комбинации.
Процессы, представленные в графе 1 Таблицы определяются
следующим образом:
a. Химическое осаждение паров (CVD) - это процесс нанесения чисто внешнего покрытия или покрытия с модификацией покрываемой поверхности, когда металл, сплав, «композиционный материал», диэлектрик или керамика наносятся на нагретое изделие. Газообразные реактивы разлагаются или соединяются на поверхности изделия, в результате чего на ней образуются желаемые элементы, сплавы или компаунды. Энергия для такого разложения или химической реакции может быть обеспечена за счет нагрева изделия плазменным разрядом или лучом «лазера».
Особое примечание 1: Химическое осаждение паров включает следующие процессы: непакетное нанесение покрытия направленным газовым потоком, пульсирующее химическое осаждение паров, управляемое термическое нанесение с ядерным дроблением, с применением мощного патока плазмы или химическое осаждение паров с участием плазмы;
Особое примечание 2: Пакет означает подложку, погруженную в пудру из нескольких составляющих;
Особое примечание 3: Газообразные продукты (пары, реагенты), используемые в беспакетном процессе, применяются с несколькими базовыми реакциями и параметрами, такими, как пакетная цементация, кроме случая, когда на изделие наносится покрытие без контакта со смесью пудры.
b. Физическое осаждение из паровой фазы с ионизацией посредством резистивного нагрева (TE-PVD) - это процесс чисто внешнего покрытия в вакууме с давлением меньше 0,1 Па, когда источник тепловой энергии используется для превращения в пар наносимого материала. В результате процесса конденсат или покрытие осаждается на соответствующие части поверхности изделия.
Добавление в вакуумную камеру газов в процессе покрытия для синтезирования сложного покрытия является просто модификацией данного процесса.
Использование ионного или электронного излучения или плазмы для активизации или способствования оседанию покрытия - также обычная модификация в данном процессе. Применение мониторов для обеспечения измерения оптических характеристик или толщины покрытия в ходе процесса может рассматриваться как свойство данного процесса.
Специфическими являются следующие процессы физического осаждения паров с ионизацией посредством резистивного нагрева (TE-PVD):
1. Электронно-лучевое физическое осаждение - для нагревания и испарения материала, наносимого на изделие, используется электронный луч;
2. Физическое осаждение ионно-резистивного типа использует электрическое сопротивление в качестве источника тепла в сочетании с соударяющимися ионными пучками для производства контролируемого и однородного потока паров материала покрытия;
3. «Лазерное испарение», при котором используется импульсный или непрерывный луч «лазера» для нагрева материала, который формирует покрытие;
4. Формирование покрытия с применением катодной дуги использует расходуемый катод в качестве материала, который формирует покрытие, и имеет установившийся дуговой разряд на поверхности катода после моментального контакта с заземленным пусковым устройством (триггером). Контролируемое движение искрения эродирует поверхность катода, при этом создавая высокоионизированную плазму. Анод может быть коническим и располагаться по периферии катода через изолятор или сама камера может играть роль анода. Подача напряжения на подложку применяется, когда нанесение покрытия производится под углом (не прямо).
Особое примечание:
Описанный в подпункте 4 процесс не относится к нанесению покрытий произвольной катодной дугой с фиксированным положением подложки.
5. Ионная металлизация - специальная модификация общего процесса, в котором плазменный или ионный источник используется для ионизации материала наносимых покрытий, а отрицательное смещение (заряд) изделия способствует осаждению составляющих покрытия из плазмы. Введение активных реагентов, испарение твердых материалов в камере, а также использование мониторов, обеспечивающих измерение (в процессе нанесения покрытий) оптических характеристик и толщины покрытий, являются обычными модификациями процесса физического осаждения паров термовыпариванием.
c. Цементация с использованием цементирующего средства (карбюризатора) - процесс модификации поверхности или нанесения внешнего покрытия, когда изделие погружено в пудру - смесь нескольких компонентов (карбюризатор), которая состоит из:
1. Металлических порошков, составляющих покрытие (обычно алюминий, хром, кремний или их комбинации);
2. Активатора (в большинстве случаев галоидная соль); и
3. Инертной пудры, чаще всего глинозем (оксид алюминия)
Изделие и смесевая пудра содержатся внутри реторты (камеры), которая нагревается до температуры от 1 030 К (757 0С) до 1 375 К (1,102 0С) на время, достаточное для нанесения покрытия.
d. Плазменное напыление - процесс нанесения внешнего покрытия, когда плазменная пушка (горелка напыления), в которой образуется и управляется плазма, принимая пудру или пруток из материала покрытия, расплавляет их и направляет на изделие, где формируется покрытие как неотъемлемая часть изделия. Плазменное напыление может быть основано либо на напылении плазмой низкого давления, либо высокоскоростной плазмой.
Особое примечание 1: Низкое давление означает давление ниже атмосферного.
Особое примечание 2: Высокоскоростная плазма определяется скоростью газа на срезе сопла (горелки напыления), превышающей 750 м/с, рассчитанной при температуре 293 К (200С) и давлении 0,1 МПа.
e. Осаждение суспензии (шлама) - это процесс модификации покрываемой поверхности или нанесения внешнего покрытия, когда металлическая или керамическая пудра с органическим связующим, суспензированные в жидкости, связываются с изделием посредством напыления, погружения или окраски с последующей воздушной или печной сушкой и тепловой обработкой для достижения необходимых свойств покрытия.
f. Металлизация напылением - это процесс нанесения внешнего покрытия, основанный на передаче количества движения, когда положительные ионы ускоряются в электрическом поле в направлении поверхности мишени (материала покрытия). Кинетическая энергия ударов ионов обеспечивает образование на поверхности мишени требуемого покрытия.
Особое примечание 1: В таблице приведены сведения только о триодной, магнетронной или реактивной металлизации напылением, которые применяются для увеличения адгезии материала покрытия и скорости его нанесения, а также о радиочастотном усилении напыления, используемом для испарения неметаллических материалов покрытий.
Особое примечание 2: Низкоэнергетические ионные лучи (меньше 5 КэВ) могут быть использованы для ускорения (активизации) процесса нанесения покрытия.
g. Ионная имплантации - это процесс нанесения покрытия с модификацией поверхности изделия, когда пары материала, предназначенного для нанесения, ионизируются, ускоряются градиентом потенциала и имплантируется на участок поверхности изделия. К процессам с ионной имплантацией относятся и процессы, в которых ионная имплантация выполняется совместно с электроно-лучевым выпариванием или металлизацией напылением.
Категория 3
Электроника
3А Системы, оборудование и компоненты
Примечание 1: Контрольный статус оборудования и компонентов, указанных в пункте 3А001 или 3А002, других, нежели те, которые указаны в пунктах 3А001.а.3. до 3А001.а.10. или 3А001.а.12. которые специально разработаны или имеют те же самые функциональные характеристики, как и другое оборудование, определяется по контрольному статусу другого оборудования.
Примечание 2: Контрольный статус интегральных схем, указанных в пунктах с 3А001.а.3. по 3А001.а.9. или 3А001.а.12. программы которых не могут быть изменены, или разработанных для выполнения конкретных функций для другого оборудования, определяется по контрольному статусу другого оборудования.
Особое примечание: В тех случаях, когда изготовитель или заявитель не может определить контрольный статус другого оборудования, этот статус определяется контрольным статусом интегральных схем, указанных в пунктах с 3А001.а.3. по 3А001.а.9. и 3А001.а.12.
Если интегральная схема является кремниевой микросхемой «микроЭВМ» или микросхемой микроконтроллера, указанных в пункте 3А001.а.3., и имеет длину слова операнда 8 бит или менее, то ее контрольный статус должен определяться в соответствии с пунктом 3А001.а.3.
3А001 Электронные компоненты, такие, как:
a. Нижеперечисленные интегральные микросхемы общего назначения:
Примечание 1: Контрольный статус пластин (готовых или полуфабрикатов) для их изготовления, на которых воспроизведена конкретная функция, оценивается по параметрам, указанным в пункте 3А001.а.
Примечание 2: Понятие «интегральные схемы» включает следующие типы:
«Монолитные интегральные схемы»;
«Гибридные интегральные схемы»;
«Многокристальные интегральные схемы»;
«Пленочные интегральные схемы», включая интегральные схемы типа «кремний на сапфире»;
«Оптические интегральные схемы».
1. Интегральные схемы, спроектированные или определяемые как радиационно-стойкие, способные выдержать следующее:
а: Общую дозу 5 х 103 рад (Si) (кремний) или выше;
b. Мощность дозы до наступления сбоя в 5 х 106 рад (кремний)/с или выше; или
c. Интегральная плотность потока нейтронов на кремний (эквивалентно 1MeV) составляет 5 х 1013 н/см2 или выше, или его эквиваленту для других металлов;
Примечание: Пунктом 3А001.а.1.с. не контролируется металл-диэлектрик-полупроводник (МДП-структура).
2. «Микропроцессорные микросхемы», «микросхемы микроЭВМ», микросхемы микроконтроллеров, микросхемы памяти, изготовленные из многокомпонентных полупроводников, аналого-цифровые преобразователи, цифровые-аналоговые преобразователи, электрооптические или «оптические-интегральные микросхемы» разработанные для «обработки сигналов», программируемые пользователем матрицы логических ключей на полевых транзисторах, программируемые пользователем логические матрицы полевых транзисторов, интегральные схемы для нейронных сетей, изготовленные по индивидуальному заказу интегральные схемы, функция которых неизвестна либо производителю неизвестно, распространяется ли контрольный статус на аппаратуру, в которой будут использоваться данные интегральные схемы, процессоры быстрого Фурье-преобразования, интегральные схемы электрически программируемых постоянных запоминающих устройств (ЭППЗУ), программируемые с ультрафиолетовым стиранием, или статические запоминающие устройства с произвольной выборкой (СЗУПВ), обладающие любой из нижеперечисленных характеристик:
а. Работоспособные при температуре окружающей среды выше 398 К (+125 0С);
b. Работоспособные при температуре окружающей среды ниже 218 К (-55 0С); или
c. Работоспособные за пределами диапазона температур окружающей среды от 218 К (-55 0С) до 398 К (+125 0С);
Примечание: Пункт 3A001.а.2 не распространяется на интегральные схемы для гражданских автомобилей и железнодорожных локомотивов.
3. «Микропроцессорные микросхемы», «микрокомпьютерные микросхемы» и микросхемы микроконтроллеров, обладающие любой из нижеперечисленных характеристик:
Примечание: Пункт 3A001.а.3. включает процессоры цифровых сигналов, цифровые матричные процессоры и цифровые сопроцессоры.
a. Не используются;
b. Изготовленные на полупроводниковых соединениях и работающие на тактовой частоте, превышающей 40 МГц; или
c. Более чем одну шину данных или команд, или порт последовательной связи для внешнего межсоединения в параллельный «микропроцессорный ИС» со скоростью передачи, превышающей 150 Мбайт/с;
4. Интегральные схемы памяти, изготовленные на полупроводниковых соединениях;
5. Интегральные схемы для аналого-цифровых и цифро-аналоговых преобразователей, такие, как:
а. Аналого-цифровые преобразователи, имеющие любую из следующих характеристик:
Особое примечание: См. также 3А101
1. Разрешающую способность 8 бит или более, но меньше 12 бит, с «полным временем преобразования» менее 5 нс;
2. Разрешающую способность 12 бит с «полным временем преобразования» менее 20 нс;
3. Разрешающую способность более 12 бит, но равную или менее 14 бит с «полным временем преобразования» менее 200 нс; или
4. Разрешающая способность более 14 бит с «полным временем преобразования» менее 1 us;
b. Цифро-аналоговые преобразователи с разрешающей способностью 12 бит и более и «временем выхода на установившийся режим» менее 10 нс;
Технические примечания:
1. Разрешающая способность в n бит соответствует n квантованию до 2 уровней;
2. «Полное время преобразования» определяется как обратное к скорости взятия проб.
6. Электронно-оптические и «оптические интегральные схемы» для «обработки сигналов», имеющие одновременно все перечисленные составляющие:
a. Один внутренний «лазерный» диод или более;
b. Один внутренний светочувствительный элемент или более; и
c. Оптические волноводы.
7. Программируемые пользователем логические устройства, имеющие любую из следующих характеристик:
a. Эквивалентное количество затворов (вентилей) более 30 000 (в пересчете на двухвходовые);
b. Типовое «время задержки» основного логического элемента менее 0,1 нc; или
c. Частоту переключения, превышающую 133 МГц;
Примечание: Пункт 3A001.а.7. включает:
a. Простые программируемые логические устройства
b. Сложные программируемые логические устройства
c. Программируемые матрицы логических ключей на полевых транзисторах
d. Программируемые логические матрицы на полевых транзисторах
e. Программируемые соединители
Особое примечание: Программируемые логические устройства на полевых транзисторах также известны как программируемые матрицы логических ключей на полевых транзисторах или программируемые логические матрицы на полевых транзисторах
8. Не используется;
9. Интегральные схемы для нейронных сетей;
10. Изготовленные по индивидуальному заказу интегральные схемы, функция которых неизвестна, либо производителю неизвестен контрольный статус аппаратуры, в которой будут использоваться данные интегральные схемы, имеющие любую из следующих характеристик:
a. Свыше 1 000 выводов;
b. Типовое «время задержки» элемента менее 0,1 нc; или
c. Рабочую частоту, превышающую 3 ГГц;
11. Цифровые интегральные схемы, отличающиеся от указанных в пунктах с 3A001.а.3 по 3A001.а.10. и 3A001.а.12., созданные на основе какого-либо полупроводникового соединения и обладающие любой из следующих характеристик:
a. Эквивалентное количество вентилей более 3 000 (в пересчете на двухвходовые); или
b. Частоту переключения, превышающую 1,2 ГГц;
12. Процессоры быстрого преобразования Фурье, обладающие расчетным временем выполнения комплексного N-точечного быстрого преобразования Фурье менее чем N log2N/20 480 мс, где N - число точек;
Техническое примечание:
При N равном 1 024 точкам, формула, указанная в Пункте 3A001.а.12., дает расчетное время выполнения комплексного 1024-точечного быстрого преобразования Фурье в 500 us;
b. Компоненты микроволнового или миллиметрового диапазона, такие как:
1. Нижеперечисленные электронные вакуумные лампы и катоды:
Примечание 1: Пункт 3A001.b.1 не контролирует лампы, разработанные или спроектированные для работы на любой полосе частот, обладающие следующими характеристиками:
a. Не превышают 31,8 ГГц; и
b. Распределяются Международным Союзом Телекоммуникаций для сферы радиокоммуникационных услуг, но не для радиообнаружения.
Примечание 2: Пунктом 3A001.b.1 не контролируются лампы «не предназначенные для применения в космосе», обладающие всеми следующими характеристиками:
a. Средняя выходная мощность равная или менее 50 Вт; и
b. Разработанные или рассчитанные для работы на любой полосе частот, которая отвечает всем следующим характеристикам:
1. Превышает 31,8 ГГц, но не превышает 43,5 ГГц; и
2. Распределяется Международным Союзом Телекоммуникаций для сферы радиокоммуникационных услуг, но не для радиообнаружения
а. Лампы бегущей волны импульсного или непрерывного действия, такие, как:
1. Работающие на частотах, превышающих 31,8 ГГц;
2. Имеющие элемент подогрева катода со временем от включения до выхода лампы на предельную радиочастотную мощность менее 3 с;
3. Лампы с сопряженными резонаторами или их модификации с «мгновенной шириной полосы» частот более 7 % или пиком мощности, превышающим 2,5 кВт,
4. Спиральные лампы или их модификации, обладающие любой из следующих характеристик:
а. «Мгновенную ширину полосы частот» более одной октавы и произведение средней мощности (выраженной в кВт) на рабочую частоту (выраженную в ГГц) более 0,5;
b. «Мгновенную ширину полосы частот» в одну октаву или менее и произведение средней мощности (выраженной в кВт) на рабочую частоту (выраженную в ГГц) более 1; или
c. «Пригодные для применения в космосе»;
b. Лампы-усилители магнетронного типа с коэффициентом усиления более 17 дБ;
c. Импрегнированные катоды, разработанные для электронных ламп, обеспечивающие плотность тока при непрерывной эмиссии и штатных условиях функционирования, превышающую 5 А/кв. см
2. Монолитные микроволновые интегральные схемы (ММИС), обладающие обеими из следующих характеристик:
a. Рассчитанные для работы на частотах свыше 3,2 ГГц до и включая 6 ГГц и со средней выходной мощностью свыше 4 Вт (36 dBm) при «относительной ширине частоты» полос свыше 15 %;
b. Рассчитанные для работы на частотах свыше 6 ГГц до и включая 16 ГГц со средней выходной мощностью свыше 1 Вт (30 dBm) при «относительной ширине частоты» полос свыше 10 %;
c. Рассчитанные для работы на частотах свыше 16 ГГц до и включая 31,8 ГГц и со средней выходной мощностью свыше 0,8 Вт (29 dBm) при относительной ширине частоты полос свыше 10 %;
d. Рассчитанные для работы на частотах свыше 31,8 ГГц до и включая 37,5 ГГц;
e. Рассчитанные для работы на частотах свыше 37,5 ГГц до и включая 43,5 ГГц и со средней выходной мощностью свыше 0,25 Вт (24 dBm) при «относительной ширине частоты» полос свыше 10 %; или
f. Рассчитанные для работы на частотах свыше 43,5 ГГц;
Примечание 1: Пункт 3A001.b.2. не контролирует вещательное спутниковое оборудование, разработанное и рассчитанное для работы в диапазоне частот с 40,5 ГГц до 42,5 ГГц.
Примечание 2: Контролируемое состояние микроволновых интегральных схем или модулей (МИСМ) определяется контролируемым порогом - самой низкой выходной мощностью. Рабочая частота МИСМ колеблется в диапазоне свыше одной частоты.
Примечание 3: Примечания 1 и 2 в заголовке к Категории 3 означают, что Пункт 3A001.b.2. не контролирует МИСМ, если они специально спроектированы для других приложений, к примеру, телекоммуникационных систем, радаров и автомобилей.
3. Микроволновые транзисторы, обладающие следующими характеристиками:
a. Работающие на частотах свыше 3,2 ГГц и до 6 ГГц со средней выходной мощностью свыше 60 Вт (47,8 dBm);
b. Работающие на частотах свыше 6 ГГц и до 31,8 ГГц со средней выходной мощностью свыше 20Вт (43 dBm).
c. Работающие на частотах свыше 31,8 ГГц и до 37,5 ГГц со средней выходной мощностью свыше 0,5 Вт (27 dBm).
d. Работающие на частотах свыше 37,5 ГГц и до 43,5 ГГц со средней выходной мощностью свыше 1 Вт (30 dBm); или.
e. Работающие на частотах свыше 43,5 ГГц.
4. Микроволновые твердотельные усилители и микроволновые сборки/модули, содержащие микроволновые усилители, обладающие любой из следующих характеристик:
a. Работающие на частотах свыше 3,2 ГГц и до 6 ГГЦ со средней выходной мощностью свыше 60 Вт (47,8 dBm) с «относительной шириной полосы» частот свыше 15 %;
b. Работающие на частотах свыше 6 ГГц и до 31,8 ГГц со средней выходной мощностью свыше 15Вт (42 dBm) с «относительной шириной полосы частот» свыше 10 %.
c. Работающие на частотах свыше 31,8 ГГц и до 37,5 ГГц.
d. Работающие на частотах свыше 37,5 ГГц и до 43,5 ГГц со средней выходной мощностью свыше 1 Вт (30 dBm) с «относительной шириной полосы частот» свыше 10 %.
e. Работающие на частотах свыше 43,5 ГГц; или
f. Работающие на частотах свыше 3 ГГц и обладающих следующими характеристиками:
1. Средняя выходная мощность (в Вт.) Р свыше 150 деленная на максимальную рабочую частоту (в ГГц.) возведенную в квадрат [Р>150 WxGHz2/fGHz2];
2. Относительной шириной полосы частот 5 % или свыше; и
3. С перпендикулярно расположенными по отношению друг к другу сторонами при длине d (в см), равной или меньше 15, поделенной на самую нижнюю рабочую частоту в ГГц [d = 15 смxGHz/fGHz];
Особое примечание: Усилители мощности для МИСМ оцениваются согласно критериям, установленным в Пункте 3А001.b.2.
Примечание 1: Пунктом 3A001.b.4. не контролируется спутниковая вещательная аппаратура, спроектированная и рассчитанная для работы на частотах в диапазоне от 40,5 до 42,5 ГГЦ.
Примечание 2: Контролируемое состояние аппаратуры, чья рабочая частота колеблется в диапазоне свыше одной частоты согласно Пункту 3A001.b.4., определяется контролируемым порогом - самой низкой средней выходной мощностью.
5. Фильтры с электронной или магнитной настройкой, содержащие более пяти настраиваемых резонаторов, обеспечивающих настройку в полосе частот с соотношением максимальной и минимальной частот 1,5: 1 (f max/f min) менее чем за 10 мкс, имеющие любую из следующих составляющих:
а. Полосовые фильтры, имеющие полосу пропускания частоты более 0,5 % от резонансной частоты; или
b. Заградительные фильтры, имеющие полосу подавления частоты менее 0,5 % от резонансной частоты;
6. Не используются;
7. Смесители и преобразователи, разработанные для расширения частотного диапазона аппаратуры, указанной в пунктах 3A002.c, 3A002.е. или 3A003.f за пределы, указанные в этих пунктах;
8. Микроволновые усилители мощности СВЧ-диапозона, содержащие лампы, контролируемые по пункту 3A001.b., и обладающие всеми следующими характеристиками:
a. Рабочие частоты свыше 3 ГГц;
b. Среднюю плотность выходной мощности, превышающую 80 Вт/кг; и
c. Объем менее 400 куб. см;
Примечание: Пункт 3A001.b.8. не контролирует аппаратуру, разработанную или пригодную для работы на частотах, «распределяемых Международным Союзом Телекоммуникаций» для сферы радиокоммуникационных услуг, но не для радиообнаружения.
с. Приборы на акустических волнах и специально спроектированные для них компоненты, такие, как:
1. Приборы на поверхностных (мелких объемных) акустических волнах и на акустических волнах в тонкой подложке (т.е. приборы для «обработки сигналов», использующие упругие волны в материале), обладающие любой из следующих характеристик:
a. Несущую частоту более 2,5 ГГц;
b. Несущую частоту более 1 ГГц, но не превышающую 2,5 ГГц, и дополнительно обладающие любой из следующих характеристик:
1. Частотное подавление боковых лепестков диаграммы направленности более 55 дБ;
2. Произведение максимального времени задержки (в мкс) на ширину полосы частот (в МГц) более 100;
3. Ширину полосы частот более 250 МГц; или
4. Задержку рассеяния, превышающую 10 мкс; или
c. Несущую частоту от 1 ГГц и менее и дополнительно обладающие любой из следующих характеристик:
1. Произведение максимального времени задержки (в мкс) на ширину полосы частот (в МГц) более 100;
2. Задержку рассеяния, превышающую 10 мкс; или
3. Частотное подавление боковых лепестков диаграммы направленности более 55 дБ и ширину полосы частот, превышающую 50 МГц;
2. Приборы на объемных акустических волнах (т.е. приборы для «обработки сигналов», использующие упругие волны в материале), обеспечивающие непосредственную обработку сигналов на частотах свыше 1 ГГц;
3. Акустооптические приборы «обработки сигналов», использующие взаимодействие между акустическими волнами (объемными или поверхностными) и световыми волнами, что позволяет непосредственно обрабатывать сигналы или изображения, включая анализ спектра, корреляцию или свертку;
d. Электронные приборы и схемы, содержащие компоненты, изготовленные из «сверхпроводящих материалов, специально спроектированные для работы при температурах ниже «критической температуры» хотя бы одной из «сверхпроводящих» составляющих, имеющие любой из следующих признаков:
1. Токовые переключатели для цифровых схем, использующие «сверхпроводящие» вентили, у которых произведение времени задержки на вентиль (в секундах) на рассеяние мощности на вентиль (в ваттах) ниже 10-14 Дж): или
2. Селекцию частоты на всех частотах с использованием резонансных контуров с добротностью, превышающей 10 000;
e. Нижеперечисленные накопители энергии:
1. Батареи и фотоэлектрические батареи (элементы), такие как:
Примечание: Пункт 3A001.е.1. не контролирует батареи объемом 27 куб.см и меньше (например, стандартные угольные элементы или батареи типа R-14);
a. Первичные элементы и батареи «с плотностью энергии» свыше 480 Вт-ч/кг и пригодные по техническим условиям для работы в диапазоне температур от 243 К (-300С) и ниже до 343 К (70 0С) и выше;
b. Подзаряжаемые элементы и батареи с «плотностью энергии» свыше 150 Вт-ч/кг после 75 циклов заряда-разряда при токе разряда, равном С/5 ч (С - номинальная емкость в ампер-часах), при работе в диапазоне температур от 253 К (-20 0С) и ниже до 333 К (60 0С) и выше; 8506; 8507; 8541 40 900 0
Техническое примечание:
«Плотность энергии» определяется путем умножения средней мощности в ваттах (произведение среднего напряжения в вольтах на средний ток в амперах) на длительность цикла разряда в часах, при котором напряжение на разомкнутых клеммах падает до 75 % от номинала, и деления полученного произведения на общую массу элемента (или батареи) в кг;
c. Батареи, по техническим условиям «пригодные для применения в космосе», и радиационно-стойкие батареи на фотоэлектрических элементах с удельной мощностью свыше 160 Вт/кв.м при рабочей температуре 301 К (28 0С) и вольфрамовом источнике, нагретом до
2 800 К (2 527 0С) и создающем энергетическую освещенность 1 кВт/кв.м
2. Конденсаторы для накопления большой энергии, такие как:
Особое примечание: См. также 3А201.А.
а. Конденсаторы с частотой повторения менее 10 Гц (одноразрядные конденсаторы), обладающие всеми следующими характеристиками:
1. Номинальное напряжение 5 кВ или более:
2. Плотность энергии 250 Дж/кг или более: и
3. Общую энергию 25 кДж или более;
b. Конденсаторы с частотой повторения 10 Гц и более (многоразрядные конденсаторы), обладающие всеми следующими характеристиками:
1. Номинальное напряжение не менее 5 кВ;
2. Плотность энергии не менее 50 Дж/кг,
3. Общую энергию не менее 100 Дж; и
4. Количество циклов заряда-разряда не менее 10 000;
3. «Сверхпроводящие» электромагниты и соленоиды, специально спроектированные на полный заряд или разряд менее чем за одну секунду, обладающие всеми из нижеперечисленных характеристик:
Особое примечание: См. также 3А201.b.
Примечание: Пункт 3A001.е.3. не контролирует «сверхпроводящие» электромагниты или соленоиды, специально спроектированные для медицинской аппаратуры - магниторезонансной томографии.
a. Энергию, выделяемую при разряде, превышающую 10 кДж за первую секунду;
b. Внутренний диаметр токопроводящих обмоток более 250 мм; и
c. Номинальную магнитную индукцию свыше 8 Т или «суммарную плотность тока» в обмотке больше 300 А/кв.мм;
f. Вращающиеся преобразователи абсолютного углового положения вала в код, обладающие любой из следующих характеристик:
1. Разрешение лучше 1/265 000 от полного диапазона (18 бит); или
2. Точность лучше +/- 2,5 угл. секунды.
3A001 а. 1. 8542
3A001 а. 2. 8542
3A001 а. 3. 8542
8542 21 500 0
8542 21 83
8542 21 850 0
8542 60 000
3A001 а. 4. 8542
8542 21 45
8542 21 500 0
8542 21 83
8542 21 850 0
8542 60 000
3A001 а. 5. 8542
8542 29 600 0;
8542 29 900 9;
8542 60 000 9
3A001 а. 6. 8542
3A001 а. 7. 8542
8542 21 690 0;
8542 21 990 0
3A001 а. 8. 8542
3A001 а. 9. 8542
3A001 а. 10. 8542
8542 21 690 0;
8542 21 990 0;
8542 29;
8542 60 000
3A001 а. 11. 8542
3A001 а. 12. 8542
8542 21 45
8542 21 500 0
8542 21 83
8542 21 850 0
8542 60 000
3A001 b. 1. 8540
8540 99 000 0
8540 71 000 0
8540 79 000 0
3A001 b. 2 8540
8542 29
8542 60 000
8542 70 000 0
3A001 b. 3. 8540
8541 21 000 0;
8541 29 000 0
3A001 b. 4. 8540
8543 89 950 0
3A001 b. 5. 8540
8543 89 950 0
3A001 b. 6. 8540
3A001 b. 7. 8540
8543 89 950 0
3A001 b. 8. 8540
8543 89 950 0
3A001 с. 1. 8541
8541 60 000 0
3A001 с. 2. 8541
8541 60 000 0
3A001 с. 3. 5418
8541 60 000 0
3A001 d. 8542
8540
8541
8543
3A001 е. 1. 8506
8507
8541 40 900 0
3A001 е. 2. 8506
8507
8532
3A001 е. 3. 8505 19 900 0
8504 50
8505 90 100 0
3A001 f. 9031 80
9031 80 320 0
9031 80 340 0
3A002 Нижеперечисленная электронная аппаратура общего назначения:
а. Записывающая аппаратура и специально разработанная измерительная магнитная лента для нее, такие как:
1. Накопители на магнитной ленте для аналоговой аппаратуры, включая аппаратуру с возможностью записи цифровых сигналов (например, использующие модуль цифровой записи высокой плотности), обладающие любой из следующих характеристик:
a. Полосу частот, превышающую 4 МГц на электронный канал или дорожку;
b. Полосу частот, превышающую 2 МГц на электронный канал или дорожку, при числе дорожек более 42; или
c. Ошибку рассогласования (основную) временной шкалы, измеренную по методикам соответствующих руководящих материалов Межведомственного совета по радиопромышленности (1К.10) или Ассоциации электронной промышленности (EIA), менее +/-0,1 мкс
Примечание: Аналоговые видеомагнитофона, специально разработанные для гражданского применения, не рассматриваются как записывающая аппаратура.
2. Цифровые видеомагнитофоны, имеющие максимальную пропускную способность цифрового интерфейса свыше 360 Мбит/с;
Примечание: Пункт 3A002.а.2. не контролирует цифровые видеомагнитофоны, специально спроектированные для телевизионной записи, использующие стандартный формат сигнала, возможно, включая сжатие сигнала, стандартизованный или рекомендуемый Международным Союзом Телекоммуникаций, Международной электротехнической комиссией (МЭIС), Обществом кино- и телеинженеров США, Европейским телевещательным союзом, Европейским институтом стандартизации электросвязи или Институтом инженеров по электротехнике и радиоэлектронике.
3. Накопители на магнитной ленте для цифровой аппаратуры, использующие принципы спирального сканирования или принципы фиксированной головки и обладающие любой из следующих характеристик:
a. Максимальную пропускную способность цифрового интерфейса более 175 Мбит/с; или
b. «Пригодные для применения в космосе»;
Примечание: Пункт 3A002.а.3. не контролирует аналоговые накопители на магнитной ленте, оснащенные электронными блоками для преобразования в цифровую запись высокой плотности и предназначенные для записи только цифровых данных.
4. Аппаратура с максимальной пропускной способностью цифрового интерфейса свыше 175 Мбит/с, спроектированная в целях переделки цифровых видеомагнитофонов для использования их как устройств записи данных цифровой аппаратуры;
5. Приборы для преобразования сигналов в цифровую форму и записи переходных процессов, имеющие все следующие характеристики:
