a. Скорость преобразования в цифровую форму не менее 200 млн. проб в секунду и разрешение 10 или более бит в секунду; и
b. Пропускную способность не менее 2 Гбит/с или свыше;
Техническое примечание:
Для таких приборов с архитектурой на параллельной шине пропускная способность есть произведение наибольшего объема слов на количество бит в слове.
Пропускная способность - это наивысшая скорость передачи данных аппаратуры, с которой информация поступает в запоминающее устройство без потерь при сохранении скорости выборки и аналого-цифрового преобразования.
6. Цифровые измерительные приборы для записи цифровых сигналов, с использованием техники записи данных на магнитном диске и обладающие следующими характеристиками:
a. Скорость дискретизации равная 100 миллионам выборок в секунду или более с резолюцией 8 бит или свыше; и
b. Постоянная пропускная способность в 1 Гбит/сек или более;
b. «Синтезаторы частот» «электронные блоки», имеющие «время переключения частоты» с одной заданной частоты на другую менее 1 мс;
c. «Анализаторы сигналов», способные анализировать радиочастоты, такие как:
1. «Анализаторы сигналов», способные анализировать радиочастоты, превышающие 31,8 ГГц, но менее 37,5 Ггц или свыше 43,5 Ггц;
2. «Динамические анализаторы сигналов» с «полосой пропускания в реальном времени», превышающей 500 кГц
Примечание: Пункт 3A002.С.2. не контролирует «динамические анализаторы сигналов», использующие только фильтры с полосой пропускания фиксированных долей (Фильтры с полосой пропускания фиксированных долей известны также как октавные или дробно-октавные фильтры);
d. Генераторы сигналов синтезированных частот, формирующие выходные частоты с управлением по параметрам точности, кратковременной и долговременной стабильности на основе или с помощью внутренней эталонной частоты, обладающие любой из следующих характеристик:
1. Максимальную синтезируемую частоту более 31,8 ГГц, но не свыше 43,5 ГГц спроектированную для создания импульса продолжительностью не менее 100 нc;
2. Максимальную синтезируемую частоту свыше 43,5 ГГц;
3. «Время переключения» с одной заданной частоты на другую менее 1 мс; или
4. Фазовый шум одной боковой полосы лучше - (126 + 20log10F - 20log10f) в единицах дБ х с/Гц, где f - смещение рабочей частоты в Гц, a F - рабочая частота в МГц
Техническое примечание:
Для целей Пункта 3A002.d.1., «длительность импульса» определяется как интервал времени между передним фронтом импульса, достигающим пика в 90 % и задним фронтом импульса, достигающим пика в 10 %.
Примечание: Пункт 3A002.d. не контролирует аппаратуру, в которой выходная частота создается либо путем сложения или вычитания частот с двух или более кварцевых генераторов, либо путем сложения или вычитания с последующим умножением результирующей частоты.
e. Сетевые анализаторы с максимальной рабочей частотой, превышающей 43,5 ГГц;
f. Микроволновые приемники-тестеры, обладающие всеми следующими характеристиками:
1. Максимальную рабочую частоту, превышающую 43,5 ГГц; и
2. Способные одновременно измерять амплитуду и фазу;
g. Атомные эталоны частоты, обладающие любой из следующих характеристик:
1. Долговременную стабильность (старение) менее (лучше), чем 1x10-11/месяц; или
2. «Пригодные для применения в космосе».
Примечание: Пункт 3A002.g.l. не контролирует рубидиевые эталоны, не «предназначенные для космического применения».
3A002 а. 1. 8519 81 560
8520 32 500 0
8520 32 990 0
8520 39 900 0
8520 90 900 0
8521 10 300 0
8521 10 800 0
3A002 а. 2. 8521
8521 10;
8521 90 000 0
3A002 а. 3. 8521 10
8471 70 600 0
3A002 а. 4. 8521 90 000 9
8521 90 000 0
3A002 а. 5. 8543
8471 90 000 0
8543 89 950 0
8486 10
8486 20
8486 30
8486 40
8523 59
8523 52
3A002 а. 6. 8471 50;
8471 60 100 0;
8471 60 900 0;
8471 70 100 0;
8471 70 510 0;
8471 70 530 0;
8520 90 100 0;
8520 90 900 0;
8521 90 000 0;
8522 90 590 0;
8522 90 930 0;
8522 90 980 0
3A002 b. 8543
8486 10
8486 20
8486 30
8486 40
8523 59
8523 52
8543 20 000 0
3A002 с. 1. 8543
8486 10
8486 20
8486 30
8486 40
8523 59
8523 52
9030 83 900 0
9030 89 920 0
3A002 с. 2. 8543
8586 10
8486 20
8486 30
8486 40
8523 59
8523 52
9030 83 900 0;
9030 89 920 0
3A002 d. 8543 20 000 0
3A002 е. 8543
8486 10
8486 20
8486 30
8486 40
8523 59
8523 52
9030 40 900 0
3A002 f. 8527 99 000 0
8527 90 980 0
3A002 g. 8543 20 000 0
3A003 Системы контроля теплового охлаждения и разбрызгивания, в которой используется замкнутый цикл автоматически регулирующегося оборудования для транспортировки и восстановления свойств флюида в герметичном пространстве. Здесь диэлектрический флюид распыляется на электронные компоненты с помощью специально спроектированных форсунок, которые должны удерживать электронные компоненты в пределах их рабочей температуры, и специально спроектированные компоненты.
3A003 8419 89 989 0
8424 89 950 9
8479 89 980 0
3А101 Электронное оборудование, устройства и компоненты, отличающиеся от описанных в пункте 3А001, такие как:
a. Аналого-цифровые преобразователи, пригодные для использования в «ракетах», разработанные в соответствии с военными спецификациями для оборудования повышенной защищенности;
b. Ускорители, создающие электромагнитное излучение за счет тормозного излучения ускоренных электронов с энергией 2 МэВ или более, и системы, содержащие такие ускорители.
Примечание: По пункту ЗА101.b. не контролируется вышеописанное оборудование, если оно предназначено для медицинских целей.
3A101 а. 8471 30
8471 41
8471 49
8471 50
8542
3A101 b. 8543 10 000 0
8543 19 000 0
3А201 Электронные компоненты, отличающиеся от описанных в пункте 3А001, такие как:
a. Конденсаторы, обладающие любым из следующих наборов характеристик:
1. а. Напряжение более 1,4 кВ,
b. Запас энергии более 10 Дж,
c. Емкость более 0,5 мкф, и
d. Последовательная индуктивность менее 50 нГ; или
2. а. Напряжение более 750 В,
b. Емкость более 0,25 мкф, и
c. Последовательная индуктивность менее 10 нГ;
b. Сверхпроводящие соленоидальные электромагниты, обладающие одновременно всеми следующими характеристиками:
1. Способность создавать магнитные поля свыше 2 Т;
2. Отношение длины к внутреннему диаметру (L/D) больше 2;
3. Внутренний диаметр более 300 мм; и
4. Однородность магнитного поля лучше чем 1 % в пределах 50 % внутреннего объема по центру;
Примечание: По пункту 3A201.b. не подлежат экспортному контролю магниты, специально разработанные для медицинских ядерных магнитно-резонансных (ЯМР) систем отображения и экспортируемые как их составные части. Слова «составные части» не обязательно означают физическую часть того же самого оборудования. Допускаются отдельные отгрузки из различных источников при условии, что в соответствующих экспортных документах ясно указывается связь составных частей.
с. Импульсные рентгеновские генераторы или импульсные электронные ускорители, обладающие любым из следующих наборов характеристик:
1. а. Имеющие пиковую энергию электронов ускорителя 500 кэВ или более, но менее 25 МэВ, и
b. С «коэффициентом качества» (К) 0,25 или более, или
2. а. Имеющие пиковую энергию электронов 25 МэВ или более, и
b. «Пиковую мощность» более 50 МВт
Примечание: По пункту 3A201.c. не контролируются ускорители, являющиеся составными частями устройств, предназначенных для иных целей, чем получение электронных пучков или рентгеновского излучения (например, электронная микроскопия), и устройств, которые предназначены для медицинских целей:
Технические примечания:
1. «Коэффициент качества» К определяется по формуле:
K=1,7x10^(3)V^(2,65)Q
где V - пиковая энергия электронов в мегаэлектронвольтах.
Если длительность импульса пучка ускорителя менее или равна 1 мкc, то Q - суммарный ускоренный заряд в кулонах. Если длительность пучка ускорителя более 1 мке, то Q - это максимальный ускоренный заряд за 1 мкс.
Q равен интегралу i по t по интервалу, представляющему собой меньшую величину из 1 мкс или продолжительности импульса пучка (Q =Sidt), где i - ток пучка в амперах, a t - время в секундах;
2. «Пиковая мощность» = (пиковому потенциалу в вольтах) х на пиковый ток пучка в амперах.
3. Длительность импульса пучка в устройствах, базирующихся на микроволновых ускорительных полостях, - это наименьшая из двух величин: 1 мкс или длительности сгруппированного пакета импульсов пучка, определяемая длительностью импульса микроволнового модулятора.
4. Пиковый ток пучка - в устройствах, базирующихся на микроволновых ускорительных полостях, - это средняя величина тока на протяжении длительности сгруппированного пакета импульсов пучка.
3A201 а. 8532 10 000 0
8532 29 000 0
8532 23 000 0
8532 24 000 0
8532 25 000 0
3A201 b. 8505 90 100 0
3A201 с. 8543
8486 10
8486 20
8486 30
8486 40
8523 59
8523 52
8543 19 000 0
9022 19 000 0
3A225 Преобразователи частоты или генераторы, отличающиеся от описанных в пункте 0В001.b.13., обладающие всеми следующими характеристиками:
a. Многофазный выход мощностью 40 Вт или более;
b. Работающие в интервале частот от 600 до 2 000 Гц;
c. Суммарные нелинейные искажения лучше (ниже) чем 10 %; и
d. Регулировку частоты с точностью лучше (менее) 0,1 %.
Техническое примечание:
Преобразователи частоты в пункте 3A225 также известны как инверторы или конвертеры.
3A225 8502 39 800 0
8504 40 000 0
8502 39 990 0
8502 40 900 0
3A226 Мощные источники постоянного тока, отличающиеся от описанных в пункте 0B001.j.6., обладающие обеими из следующих характеристик:
a. Способные непрерывно работать более 8 часов при напряжении более 100 В и выходном токе 500 А или более, и
b. Со стабильностью тока или напряжения лучше 0,1 % за 8-ми часовой период времени.
3A226 8504 40 900 9
8504 40 940 9»
8504 40 990 0
3A227 Высоковольтные источники постоянного тока, отличающиеся от описанных в пункте 0B001.j.5., обладающие обеими из следующих характеристик:
a. Способные создавать в течение 8 часов напряжение 20 кВ или более при выходном токе 1 А или более, и
b. Со стабильностью тока или напряжения лучше 0,1 % за 8-ми часовой период времени.
3A227 8501 61
8501 62
8501 63 000 0
8501 64 000 0
8501 32 990 9
8501 33 900 9
8501 34 910 0
8501 34 990 0
8504 40 940 9
3A228 Переключающие устройства, такие как:
a. Лампы с холодным катодом независимо от того, заполнены они газом или нет, действующие как искровой промежуток и обладающие всеми следующими характеристиками:
1. Содержат три и более электродов;
2. Пиковое анодное напряжение 2,5 кВ или более;
3. Пиковый анодный ток 100 А или более; и
4. Анодное запаздывание 10 мкс или менее;
Примечание: Пункт 3A228 включает газонаполненные криптоновые лампы и вакуумные спрайтроны.
b. Управляемые искровые разрядники, обладающие обеими из следующих характеристик:
1. Анодное запаздывание не более 15 мкс. и
2. Рассчитанные на пиковый ток 500 А или более;
c. Модули или сборки для быстрого переключения, обладающие всеми следующими характеристиками:
1. Пиковое анодное напряжение 2 кВ или более;
2. Пиковый анодный ток 500 А или более; и
3. Время включения 1 мкс или менее.
3A228 а. 8540 89 000 0
8535 90 000 0
3A228 b. 8536 90 850 0
8536 30 900 0
8535 90 000 0
8540 89 000 0
3A228 с. 8535
8535 90 000 0
3A229 Запускающие устройства и эквивалентные импульсные генераторы большой силы тока, такие как:
Особое примечание: См также военный список.
а. Запускающие устройства детонаторов взрывных устройств, разработанные для запуска параллельно управляемых детонаторов, указанных в пункте 3A232;
b. Модульные электрические импульсные генераторы, обладающие всеми следующими характеристиками:
1. Предназначенные для портативного, мобильного или ужесточенного режима использования;
2. Выполнены в пыленепроницаемом корпусе;
3. Способные к выделению запасенной энергии в течение менее чем 15 мкс;
4. Дающие на выходе ток свыше 100 А;
5. Со «временем нарастания» импульса менее 10 мкс при сопротивлении нагрузки менее 40 Ом;
6. Ни один из размеров не превышает 254 мм;
7. Вес менее 25 кг; и
8. Приспособлены для использования в температурном диапазоне от 223 К (-50 0С) до 373 К (100 0С) или указаны как пригодные для использования в космосе.
Примечание: Пункт 3A229.b. включает драйверы с ксеноновой лампой-вспышкой.
Техническое примечание:
В пункте 3A229.b.5 «время нарастания» определяется как временной интервал между 10 % и 90 % амплитуды тока, проходящего через соответствующую нагрузку
3A229 а. 8543 70 900 9
8486 10
8486 20
8486 30
8486 40
8523 52
8543 70
3603 00 900 0
8543 89 950 0
3A229 b. 8543 20 000 0
8543 89 950 0
8548 90 900 0
3A230 Сверхскоростные импульсные генераторы, обладающие обеими из следующих характеристик:
a. Напряжение на выходе более 6 В при резистивной нагрузке менее 55 Ом, и
b. «Время нарастания (длительности фронта) импульса» менее 500 пс
Техническое Примечание:
В пункте 3A230, «время нарастания» определяется как временной интервал между 10 % и 90 % амплитуды напряжения.
3A230 8543 20 000 0
3A231 Системы нейтронных генераторов, включающие трубки, обладающие обеими из следующих характеристик:
a. Сконструированные для работы без внешней вакуумной системы, и
b. Использующие электростатическое ускорение для индуцирования тритиево-дейтериевой ядерной реакции.
3A231 8543 10 000 0
8479 89 980 0
8543 19 000 0
9015 80 110 0
3A232 Детонаторы и многоточечные инициирующие системы, такие как
Особое примечание: См. также военный список.
a. Электродетонаторы, такие как:
1. Взрывающийся перемычкой;
2. Взрывающийся перемычкой-проводом;
3. Ударного действия;
4. Инициаторы со взрывающейся фольгой;
b. Устройства, использующие один или несколько детонаторов, предназначенные для почти одновременного инициирования взрывчатого вещества на поверхности более 5 000 кв.мм по единому сигналу с разновременностью по всей площади менее 2,5 мкс.
Примечание: По пункту 3A232 не подлежат экспортному контролю детонаторы, использующие только первичное ВВ, такое как азид свинца.
Техническое Примечание:
Все детонаторы, указанные в пункте 3A232, используют малый электрический проводник (мостик, взрывающийся провод или фольгу), который испаряется со взрывом, когда через него проходит мощный электрический импульс. Во взрывателях безударных типов взрывающийся провод инициирует химическую детонацию в контактирующем с ним чувствительном взрывчатом веществе (ВВ), таком как РЕТМ (пентаэритритолтетранитрат). В ударных детонаторах взрывное испарение провода приводит в движение ударник или пластинку в зазоре, и воздействие пластинки на ВВ дает начало химической детонации. Ударник в некоторых конструкциях ускоряется магнитным полем. Термин взрывающийся фольговый детонатор может относиться как к детонаторам со взрывающимся проводником, так и к детонаторам ударного типа. Кроме того, вместо термина детонатор иногда употребляется термин инициатор.
3A232 а. 3603 00 900 0
3A232 b. 8543 70 900 9
8486 10
8486 20
8486 30
8486 40
8523 52
8543 70
8543 89 950 0
3A233 Масс-спектрометры, отличающиеся от описанных в пункте 0B002.g., обеспечивающие измерение значений массовых чисел атомов, равных 230 и более, имеющие разрешающую способность лучше, чем 2 части в 230, и источники ионов для них, в том числе:
a. Масс-спектрометры с индуктивно связанной плазмой (ПМС/ИС);
b. Масс-спектрометры тлеющего разряда (МСТР);
c. Термоионизационные масс-спектрометры (ТИМС);
d. Масс-спектрометры с электронным ударом, имеющие ионизационную камеру, сконструированную из материалов, устойчивых к гексафториду урана, или защищенные такими материалами;
e. Масс-спектрометры с молекулярным пучком, такие как:
1. Имеющие ионизационную камеру, сконструированную из нержавеющей стали или молибдена или защищенную ими, и камеру охлаждения, обеспечивающую охлаждение до 193К (-80 0С) или менее; или
2. Имеющие ионизационную камеру, сконструированную из материалов или защищенную материалами, устойчивыми по отношению к гексафториду урана;
f. Масс-спектрометры, оборудованные микрофтористым источником ионов, разработанные для использования с актинидами или фторидами актинидов.
3A233 а. 9027 80 970 0
3A233 b. 9027 80 970 0
3A233 с 9027 80 970 0
3A233 d. 9027 80 970 0
3A233 е. 9027 80 970 0
3A233 f. 9027 80 970 0
3 В Испытательное, контрольное и производственное оборудование
3B001 Нижеперечисленное оборудование для производства полупроводниковых приборов или материалов и специально разработанные компоненты и оснастка для них:
а. Установки, предназначенные для эпитаксиального выращивания, такие, как:
1. Оборудование, способное производить следующее:
a. Кремниевый слой с равномерной толщиной менее +/- 2,5 % на протяжении 200 мм или более; или
b. Слой из любого материала помимо кремния равномерной толщины менее +/- 2,5 % на протяжении 75 мм или более;
2. Установки химического осаждения паров металлорганических соединений, специально разработанные для выращивания кристаллов сложных полупроводников с помощью химических реакций между материалами, которые контролируются по пункту 3C003 или 3С004;
3. Молекулярно-лучевые установки эпитаксиального выращивания, использующие газовые источники;
b. Установки, разработанные для ионной имплантации, обладающие любой из следующих характеристик:
1. Энергетика пучка (ускоряющее напряжение) свыше 1 МэВ;
2. Специально спроектированные и оптимизированные для работы с энергетикой пучка (ускоряющим напряжением) ниже 2 кэВ;
3. Обладающие способностью непосредственной записи; или
4. Энергетика пучка в 65 кэВ или более и ток пучка в 45 миллиампер или свыше, пригодные для высокоэнергетической имплантации кислорода в нагретую «подложку» полупроводникового материала;
c. Оборудование для сухого травления анизотропной плазмой, такие как:
1. С покассетной обработкой пластин и загрузкой через загрузочные шлюзы, обладающие любой из следующих характеристик:
a. Спроектированные или оптимизированные для получения
критических величин в 0,3 um или менее с +5 % 3 сигма-точностью; или
b. Спроектированные для выработки менее 0,04 частиц/см2 при измеримом размере частицы свыше 0,1 um по диаметру;
2. Специально спроектированные для оборудования, контролируемого по пункту 3B001.е. и обладающие любой из следующих характеристик:
a. Спроектированные или оптимизированные для получения
критических величин в 0,3 um или менее с +5 % 3 сигма-точностью; или
b. Спроектированные для выработки менее 0,04 частиц/см2 при измеримом по диаметру размере частицы свыше 0,12 um;
d. Установки химического парогазового осаждения и плазменной стимуляции, такие как:
1. С покассетной обработкой пластин и загрузкой через загрузочные шлюзы, спроектированные в соответствии с техническими спецификациями производителя или оптимизированные для использования в производстве полупроводниковых устройств, с критическими размерами в 180 нм или менее;
2. Специально спроектированные для оборудования, контролируемого по пункту 3B001.е. в соответствии с техническими спецификациями производителя или оптимизированные для использования в производстве полупроводниковых устройств с критическими размерами в 180 нм или менее;
e. Управляемые встроенной программой автоматически загружаемые многокамерные системы с центральной загрузкой пластин, имеющие все следующие составляющие:
1. Интерфейсы для загрузки и выгрузки пластин, к которым присоединяется более двух единиц оборудования для обработки полупроводников; и
2. Предназначенные для создания интегрированной системы последовательной многопозиционной обработки пластин в вакуумной среде;
Примечание: Пункт 3B001.е. не контролирует автоматические робототехнические системы загрузки пластин, не предназначенные для работы в вакууме.
f. Установки литографии, такие как:
1. Установки многократного совмещения (прямой шаг на пластину) и экспонирования или пошагового экспонирования и сканирования (сканнер) для обработки пластин методом фотооптической или рентгеновской литографии, имеющие любую из следующих составляющих:
a. Источник света с длиной волны короче 350 нм; или
b. Способность воспроизводить рисунок с «минимальным размером разрешения» от 0,35 мкм и менее
Техническое примечание: «Минимальный размер разрешения» (МРР) рассчитывается по следующей формуле:
(длина волны излучения света в мкм) х (К Фактор)
МРР = цифровая апертура
где К фактор = 0,7;
МРР - Минимальный размер разрешения.
2. Установки, специально спроектированные для производства шаблонов или обработки полупроводниковых приборов с использованием отклоняемого фокусируемого электронного луча, пучка ионов или луча «лазера», обладающие любой из следующих характеристик:
a. Размер пятна менее 0,2 мкм;
b. Способность производить рисунок с минимальными разрешенными проектными нормами менее 1 мкм; или
c. Точность совмещения лучше +/- 0,20 мкм (3 сигма);
g. Шаблоны или промежуточные фотошаблоны, разработанные для интегральных схем, контролируемых по пункту 3А001;
h. Многослойные шаблоны с фазосдвигаюшим слоем.
Примечание: Пунктом 3B001.h. не контролируются многослойные шаблоны в фазосдвигающим слоем, предназначенным для производства запоминающих устройств (ЗУ), не контролируемых 3A001.
3B001 а. 1. 8419 89
8486 10 000
8486 20
8479 89 650 0
3B001 а. 2. 8419 89
8486 10 000
8486 20
8419 89 200 0
3B001 а. 3. 8417 80
8479 89 700 0
8543 89 650 0
3B001 b. 8456 10
8486 10 000 0
8486 20
8486 30
8543 11 000 0
3B001 с. 1. 8456 90 000 0
8456 91 000 0
8456 99 800 0
3B001 с. 2. 8456 90 000 0
8456 91 000 0
8456 99 800 0
3B001 d. 8456 90 000 0
8419 89 200 0
8419 89 300 0
3B001 е. 8456 10
8456 90 000 0
8486 10 000 0
8486 30
8486 40
8456 91 000 0
8456 99 800 0
8456 99 300 0
8479 50 000 0
3B001 f. 1. 8443 39 290 0
9009 22 000 0
3B001 f. 2. 8456 10
8486 10 000 0
8486 20
8486 30
8456 99
3B001 g. 8471
8443 31
8443 32
8528 41
8528 51
8528 61
8517 62
9010 90
3B001 h. 9010 90 000 0
9010 90
3B002 Аппаратура испытаний, «управляемая встроенной программой», специально спроектированная для испытания готовых или находящихся в разной степени изготовления полупроводниковых приборов, и специально разработанные компоненты и приспособления для нее:
a. Для измерения S-параметров транзисторных приборов на частотах свыше 31,8 ГГц;
b. Для испытаний интегральных схем, способная выполнять функциональное тестирование (по таблицам истинности) с «частотой тестирования» строк свыше 667 МГц
Примечание: Пункт 3B002.b. не контролирует аппаратуру испытаний, специально спроектированную для испытаний:
1. «Электронных сборок» или класса «электронных сборок» для бытовой или игровой электронной аппаратуры;
2. Неконтролируемых электронных компонентов, «электронных сборок» или интегральных схем.
3. Запоминающих устройств.
Техническое примечание:
Здесь под «частотой тестирования» подразумевается частота цифровых операций тестера. Таким образом, она эквивалентна максимальной скорости выдачи данных тестером в не-мультиплексном режиме. Она также известна как скорость теста, максимальная цифровая частота или максимальная цифровая скорость.
c. Для испытаний микроволновых интегральных схем; указанных в пункте 3A001.b.2.
3B002 а. 9031 80 380 0
9031 80 390 0
3B002 b. 9031 80 380 0
9030;
9031 20 000 0
9031 80 390 0
3B002 с.
9031 80 380
9030
9031 20 000 0
9031 80 390 0
3С Материалы
3C001 Гетероэпитаксиальные материалы, состоящие из «подложки» с несколькими последовательно наращенными эпитаксиальными слоями, имеющими любую из следующих составляющих:
a. Кремний;
b. Германий;
c. Карбид кремния; или
d. Соединения III/V на основе галлия или индия.
Техническое примечание:
Соединения III/V - это поликристаллические или двухэлементные или сложные монокристаллические продукты, состоящие из элементов групп IIIА и VA периодической системы Менделеева (напр. Арсенид галлия, алюмоарсенид галлия, фосфид индия и т.п.)
3C001 а. 3818 00
3818 00 100 0
3818 00 900 0
3C001 b. 3818 00
3818 00 900 0
3C001 с. 3818 00
3818 00 900 0
3C001 d. 3818 00
3818 00 900 0
3C002 Материал для резистивных элементов и «подложки», покрытые контролируемыми резистами, такие, как:
a. Позитивные резисты, предназначенные для полупроводниковой литографии, специально приспособленные (оптимизированные) для использования на спектральную чувствительность менее 350 нм;
b. Все резисты, предназначенные для использования при экспонировании электронными или ионными пучками, с чувствительностью 0,01 мкКл/кв.мм или лучше;
c. Все резисты, предназначенные для использования при экспонировании рентгеновскими лучами, с чувствительностью 2,5 мДж/кв.мм или лучше;
d. Все резисты, оптимизированные под технологии формирования рисунка, включая «силицированные» резисты.
Техническое примечание:
Методы «силицирования» - это процессы, включающие оксидирование поверхности резиста, для повышения качества мокрого и сухого проявления.
3C002 а 8541 40 100 0
8443 31
8443 32
8443 39
8443 99
3C002 d. 8541 40 900 0
3C003 Органо-неорганические соединения, такие, как:
a. Органо-металлические соединения на основе алюминия, галлия или индия с чистотой (металлической основы) свыше 99,999 %;
b. Органо-мышьяковистые, органо-сурьмянистые и органо-фосфорные соединения с чистотой (неорганической элементной основы) свыше 99,999 %
Примечание: Пункт 3C003 контролирует только соединения, чей металлический, частично металлический или неметаллический элемент непосредственно связан с углеродом в органической части молекулы.
3C003 а 2931 00 950 0
3C003 b. 2931 00 950 0
3C004 Гидриды фосфора, мышьяка или сурьмы, имеющие чистоту свыше 99,999 % даже после растворения в инертных газах или водороде.
Примечание: Пункт 3C004 не контролирует гидриды, содержащие 20 % и более молей инертных газов или водорода.
3C004 2848 00 000 0;
2850 00 200 0
3D Программное обеспечение
3D001 «Программное обеспечение», специально созданное для «разработки» или «производства» оборудования, контролируемого по пунктам с 3A001.b. по 3A002.g. или 3В.
3D001
3D002 «Программное обеспечение», специально созданное для «применения» в оборудовании,
a. Оборудовании, контролируемом Пунктом 3B001.а. до f; или
