c. «Анализаторы сигналов», способные анализировать радиочастоты, такие как:
1. «Анализаторы сигналов», способные анализировать радиочастоты, превышающие 31,8 ГГц, но менее 37,5 Ггц или свыше 43,5 Ггц;
2. «Динамические анализаторы сигналов» с «полосой пропускания в реальном времени», превышающей 500 кГц.
Примечание: пункт 3A002.С.2. не контролирует «динамические анализаторы сигналов», использующие только фильтры с полосой пропускания фиксированных долей (фильтры с полосой пропускания фиксированных долей известны также как октавные или дробно-октавные фильтры).
d. Генераторы сигналов синтезированных частот, формирующие выходные частоты с управлением по параметрам точности, кратковременной и долговременной стабильности на основе или с помощью внутренней эталонной частоты, обладающие любой из следующих характеристик:
1. Максимальную синтезируемую частоту более 31,8 ГГц, но не свыше 43,5 ГГц, спроектированную для создания импульса продолжительностью не менее 100 нc.
2. Максимальную синтезируемую частоту свыше 43,5 ГГц;
3. «Время переключения» с одной заданной частоты на другую менее 1 мс; или
4. Фазовый шум одной боковой полосы лучше - (126 + 20log10 F - 20log10f) в единицах дБ х с/Гц, где f - смещение рабочей частоты в Гц, a F - рабочая частота в МГц
Техническое примечание:
Для целей пункта 3A002.d.1., «длительность импульса» определяется как интервал времени между передним фронтом импульса, достигающим пика в 90 %, и задним фронтом импульса, достигающим пика в 10 %.
Примечание: пункт 3A002.d. не контролирует аппаратуру, в которой выходная частота создается либо путем сложения или вычитания частот с двух или более кварцевых генераторов, либо путем сложения или вычитания с последующим умножением результирующей частоты.
e. Сетевые анализаторы с максимальной рабочей частотой, превышающей 43,5 ГГц;
f. Микроволновые приемники-тестеры, обладающие всеми следующими характеристиками:
1. Максимальную рабочую частоту, превышающую 43,5 ГГц; и
2. Способные одновременно измерять амплитуду и фазу;
g. Атомные эталоны частоты, обладающие любой из следующих характеристик:
1. Долговременную стабильность (старение) менее (лучше), чем 1x10- 11 /месяц; или
2. «Пригодные для применения в космосе».
Примечание: пункт 3A002.g.l. не контролирует рубидиевые эталоны, не «предназначенные для космического применения».
h. «Электронные сборки», модули или оборудование, предназначенные для выполнения всего следующего:
1. Аналого-цифровых преобразований, имеющих любую из следующих характеристик:
a. Разрешающая способность 8 бит или более, но менее 10 бит, при входной скорости дискретизации более 1300 млн. опросов в секунду;
b. Разрешающая способность 10 бит или более, но менее 12 бит, при входной скорости дискретизации более 1000 млн. опросов в секунду;
c. Разрешающая способность 12 бит или более, но менее 14 бит, при входной скорости дискретизации более 1000 млн. опросов в секунду;
d. Разрешающая способность 14 бит или более, но менее 16 бит, при входной скорости дискретизации более 400 млн. опросов в секунду; или
e. Разрешающая способность 16 бит или более, при входной скорости дискретизации более 180 млн. опросов в секунду;
2. Любого из следующих действий:
a. Вывод оцифрованных данных;
b. Хранение оцифрованных данных;
c. Обработка оцифрованных данных.
Устройства записи цифровых данных, осциллографы, «анализаторы сигналов», генераторы сигналов, сетевые анализаторы и микроволновые приемники-тестеры определены в пп. 3A002.a.6., 3A002.a.7., 3A002.c., 3A002.d., 3A002.e. и 3A002.f., соответственно.
Техническое примечание: контрольный статус многоканальных «электронных сборок» или модулей определяется наивысшими заявленными характеристиками по одному из каналов.
Примечание: пункт 3A002.h. включает платы аналого- цифровых преобразователей (АЦП), дискретизаторы аналоговых сигналов, платы сбора данных, платы обработки сигналов и устройства регистрации переходных процессов.
3A002 а. 1. 8519 81
8521 10
3A002 а. 2. 8521
8521 10
8521 90 000 9
3A002 а. 3. 8521 10
8471 70
3A002 а. 4. 8521 90 000 9
3A002 а. 5. 8543
8471 90 000 0
8486 10
8486 20
8486 30
8486 40
8523 59
8523 52
3A002 а. 6. 8471 50
8471 60
8471 70
8521 90 000 9
8522 90
3A002 b. 8543
8486 10
8486 20
8486 30
8486 40
8523 59
8523 52
8543 20 000 0
3A002 с. 1. 8543
8486 10
8486 20
8486 30
8486 40
8523 59
8523 52
9030
9030 84
9030 89
3A002 с. 2. 8543
8586 10
8486 20
8486 30
8486 40
8523 59
8523 52
9030
3A002 d. 8543 20 000 0
3A002 е. 8543
8486 10
8486 20
8486 30
8486 40
8523 59
8523 52
9030 40
3A002 f. 8527
8527 99 000 0
3A002 g. 8543 20 000 0
3A003 Системы контроля теплового охлаждения и разбрызгивания, в которой используется замкнутый цикл автоматически регулирующегося оборудования для транспортировки и восстановления свойств флюида в герметичном пространстве. Здесь диэлектрический флюид распыляется на электронные компоненты с помощью специально спроектированных форсунок, которые должны удерживать электронные компоненты в пределах их рабочей температуры, и специально спроектированные компоненты.
3A003 8419 89 989 0
8424 89 950 9
8479 89 980 0
3А101 Электронное оборудование, устройства и компоненты, отличающиеся от описанных в пункте 3А001, такие как:
a. Аналого-цифровые преобразователи, пригодные для использования в «реактивных снарядах» разработанные в соответствии с военными спецификациями для оборудования повышенной защищенности;
b. Ускорители, создающие электромагнитное излучение за счет тормозного излучения ускоренных электронов с энергией 2 МэВ или более, и системы, содержащие такие ускорители.
Примечание: По пункту ЗА101.b. не контролируется вышеописанное оборудование, если оно предназначено для медицинских целей.
3A101 а. 8471 30
8471 41
8471 49
8471 50
8542
3A101 b. 8543 10 000 0
8543 19 000 0
3А102 «Тепловые батареи», разработанные или модифицированные для «реактивных снарядов».
Технические примечания:
1. В пункте 3А102 «тепловые батареи» определяются как батареи одноразового применения, содержащие в качестве электролита твердые непроводящие неорганические соли. Эти батареи содержат пиролитические материалы, которые при воспламенении расплавляют электролит и активируют батарею.
2. В пункте 3А102 «реактивный снаряд» означает ракетные системы и беспилотные воздушные летательные аппараты с дальностью более 300 км.
3А201 Электронные компоненты, отличающиеся от описанных в пункте 3А001, такие как:
a. Конденсаторы, обладающие любым из следующих наборов характеристик:
1. а. Напряжение более 1,4 кВ,
b. Запас энергии более 10 Дж,
c. Емкость более 0,5 мкф, и
d. Последовательная индуктивность менее 50 нГ; или
2. а. Напряжение более 750 В,
b. Емкость более 0,25 мкф, и
c. Последовательная индуктивность менее 10 нГ;
b. Сверхпроводящие соленоидальные электромагниты, обладающие одновременно всеми следующими характеристиками:
1. Способность создавать магнитные поля свыше 2 Т;
2. Отношение длины к внутреннему диаметру (L/D) больше 2;
3. Внутренний диаметр более 300 мм; и
4. Однородность магнитного поля лучше чем 1 % в пределах 50 % внутреннего объема по центру;
Примечание: По пункту 3A201.b. не подлежат экспортному контролю магниты, специально разработанные для медицинских ядерных магнитно-резонансных (ЯМР) систем отображения и экспортируемые как их составные части. Слова «составные части» не обязательно означают физическую часть того же самого оборудования. Допускаются отдельные отгрузки из различных источников при условии, что в соответствующих экспортных документах ясно указывается связь составных частей.
с. Импульсные рентгеновские генераторы или импульсные электронные ускорители, обладающие любым из следующих наборов характеристик:
1. а. Имеющие пиковую энергию электронов ускорителя 500 кэВ или более, но менее 25 МэВ, и
b. С «коэффициентом качества» (К) 0,25 или более, или
2. а. Имеющие пиковую энергию электронов 25 МэВ или более, и
b. «Пиковую мощность» более 50 МВт
Примечание: По пункту 3A201.c. не контролируются ускорители, являющиеся составными частями устройств, предназначенных для иных целей, чем получение электронных пучков или рентгеновского излучения (например, электронная микроскопия), и устройств, которые предназначены для медицинских целей:
Технические примечания:
1. «Коэффициент качества» К определяется по формуле:
K=1,7x10^(3)V^(2,65)Q
где V - пиковая энергия электронов в мегаэлектронвольтах.
Если длительность импульса пучка ускорителя менее или равна 1 мкc, то Q - суммарный ускоренный заряд в кулонах. Если длительность пучка ускорителя более 1 мке, то Q - это максимальный ускоренный заряд за 1 мкс.
Q равен интегралу i по t по интервалу, представляющему собой меньшую величину из 1 мкс или продолжительности импульса пучка (Q =Sidt), где i - ток пучка в амперах, a t - время в секундах;
2. «Пиковая мощность» = (пиковому потенциалу в вольтах) х на пиковый ток пучка в амперах.
3. Длительность импульса пучка в устройствах, базирующихся на микроволновых ускорительных полостях, - это наименьшая из двух величин: 1 мкс или длительности сгруппированного пакета импульсов пучка, определяемая длительностью импульса микроволнового модулятора.
4. Пиковый ток пучка - в устройствах, базирующихся на микроволновых ускорительных полостях, - это средняя величина тока на протяжении длительности сгруппированного пакета импульсов пучка.
3A201 а. 8532 10 000 0
8532 29 000 0
8532 23 000 0
8532 24 000 0
8532 25 000 0
3A201 b. 8505 90 100 0
3A201 с. 8543
8486 10
8486 20
8486 30
8486 40
8523 59
8523 52
8543 19 000 0
9022 19 000 0
3A225 Преобразователи частоты или генераторы, отличающиеся от описанных в пункте 0В001.b.13., обладающие всеми следующими характеристиками:
a. Многофазный выход мощностью 40 Вт или более;
b. Работающие в интервале частот от 600 до 2 000 Гц;
c. Суммарные нелинейные искажения лучше (ниже) чем 10 %; и
d. Регулировку частоты с точностью лучше (менее) 0,1 %.
Техническое примечание:
Преобразователи частоты в пункте 3A225 также известны как инверторы или конвертеры.
3A225 8502 39 800 0
8504 40 000 0
8502 39 990 0
8502 40 900 0
3A226 Мощные источники постоянного тока, отличающиеся от описанных в пункте 0B001.j.6., обладающие обеими из следующих характеристик:
a. Способные непрерывно работать более 8 часов при напряжении более 100 В и выходном токе 500 А или более, и
b. Со стабильностью тока или напряжения лучше 0,1 % за 8-ми часовой период времени.
3A226 8504 40 900 9
8504 40 940 9»
8504 40 990 0
3A227 Высоковольтные источники постоянного тока, отличающиеся от описанных в пункте 0B001.j.5., обладающие обеими из следующих характеристик:
a. Способные создавать в течение 8 часов напряжение 20 кВ или более при выходном токе 1 А или более, и
b. Со стабильностью тока или напряжения лучше 0,1 % за 8-ми часовой период времени.
3A227 8501 61
8501 62
8501 63 000 0
8501 64 000 0
8501 32 990 9
8501 33 900 9
8501 34 910 0
8501 34 990 0
8504 40 940 9
3A228 Переключающие устройства, такие как:
а. Трубки с холодным катодом, независимо от того, заполнены они газом или нет, действующие как искровой разрядник и обладающие всеми следующими характеристиками:
1. Содержат три и более электродов;
2. Пиковое анодное напряжение 2,5 кВ или более;
3. Пиковый анодный ток 100 А или более; и
4. Анодное запаздывание 10 мкс или менее;
Примечание: Пункт 3A228 включает газонаполненные криптоновые лампы и вакуумные спрайтроны.
b. Управляемые искровые разрядники, обладающие обеими из следующих характеристик:
1. Анодное запаздывание не более 15 мкс. и
2. Рассчитанные на пиковый ток 500 А или более;
c. Модули или сборки для быстрого переключения, обладающие всеми следующими характеристиками:
1. Пиковое анодное напряжение 2 кВ или более;
2. Пиковый анодный ток 500 А или более; и
3. Время включения 1 мкс или менее.
3A228 а. 8540 89 000 0
8535 90 000 0
3A228 b. 8536 90 850 0
8536 30 900 0
8535 90 000 0
8540 89 000 0
3A228 с. 8535
8535 90 000 0
3A229 Запускающие устройства и эквивалентные импульсные генераторы большой силы тока, такие как:
Особое примечание: См также военный список.
а. Запускающие устройства детонаторов взрывных устройств, разработанные для запуска параллельно управляемых детонаторов, указанных в пункте 3A232;
b. Модульные электрические импульсные генераторы, обладающие всеми следующими характеристиками:
1. Предназначенные для портативного, мобильного или ужесточенного режима использования;
2. Выполнены в пыленепроницаемом корпусе;
3. Способные к выделению запасенной энергии в течение менее чем 15 мкс;
4. Дающие на выходе ток свыше 100 А;
5. Со «временем нарастания» импульса менее 10 мкс при сопротивлении нагрузки менее 40 Ом;
6. Ни один из размеров не превышает 254 мм;
7. Вес менее 25 кг; и
8. Приспособлены для использования в температурном диапазоне от 223 К (-50 0С) до 373 К (100 0С) или указаны как пригодные для использования в космосе.
Примечание: Пункт 3A229.b. включает драйверы с ксеноновой лампой-вспышкой.
Техническое примечание:
В пункте 3A229.b.5 «время нарастания» определяется как временной интервал между 10 % и 90 % амплитуды тока, проходящего через соответствующую нагрузку
3A229 а. 8543 70 900 9
8486 10
8486 20
8486 30
8486 40
8523 52
8543 70
3603 00 900 0
8543 89 950 0
3A229 b. 8543 20 000 0
8543 89 950 0
8548 90 900 0
3A230 Сверхскоростные импульсные генераторы, обладающие обеими из следующих характеристик:
a. Напряжение на выходе более 6 В при резистивной нагрузке менее 55 Ом, и
b. «Время нарастания (длительности фронта) импульса» менее 500 пс
Техническое Примечание:
В пункте 3A230, «время нарастания» определяется как временной интервал между 10 % и 90 % амплитуды напряжения.
3A230 8543 20 000 0
3A231 Системы нейтронных генераторов, включающие трубки, обладающие обеими из следующих характеристик:
a. Сконструированные для работы без внешней вакуумной системы, и
b. Использующие электростатическое ускорение для индуцирования тритиево-дейтериевой ядерной реакции.
3A231 8543 10 000 0
8479 89 980 0
8543 19 000 0
9015 80 110 0
3A232 Детонаторы и многоточечные инициирующие системы, такие как
Особое примечание: См. также военный список.
a. Электродетонаторы, такие как:
1. Взрывающийся перемычкой;
2. Взрывающийся перемычкой-проводом;
3. Ударного действия;
4. Инициаторы со взрывающейся фольгой;
b. Устройства, использующие один или несколько детонаторов, предназначенные для почти одновременного инициирования взрывчатого вещества на поверхности более 5 000 кв.мм по единому сигналу с разновременностью по всей площади менее 2,5 мкс.
Примечание: По пункту 3A232 не подлежат экспортному контролю детонаторы, использующие только первичное ВВ, такое как азид свинца.
Техническое Примечание:
Все детонаторы, указанные в пункте 3A232, используют малый электрический проводник (мостик, взрывающийся провод или фольгу), который испаряется со взрывом, когда через него проходит мощный электрический импульс. Во взрывателях безударных типов взрывающийся провод инициирует химическую детонацию в контактирующем с ним чувствительном взрывчатом веществе (ВВ), таком как РЕТМ (пентаэритритолтетранитрат). В ударных детонаторах взрывное испарение провода приводит в движение ударник или пластинку в зазоре, и воздействие пластинки на ВВ дает начало химической детонации. Ударник в некоторых конструкциях ускоряется магнитным полем. Термин взрывающийся фольговый детонатор может относиться как к детонаторам со взрывающимся проводником, так и к детонаторам ударного типа. Кроме того, вместо термина детонатор иногда употребляется термин инициатор.
3A232 а. 3603 00 900 0
3A232 b. 8543 70 900 9
8486 10
8486 20
8486 30
8486 40
8523 52
8543 70
8543 89 950 0
3A233 Масс-спектрометры, отличающиеся от описанных в пункте 0B002.g., обеспечивающие измерение значений массовых чисел атомов, равных 230 и более, имеющие разрешающую способность лучше, чем 2 части в 230, и источники ионов для них, в том числе:
a. Масс-спектрометры с индуктивно связанной плазмой (ПМС/ИС);
b. Масс-спектрометры тлеющего разряда (МСТР);
c. Термоионизационные масс-спектрометры (ТИМС);
d. Масс-спектрометры с электронным ударом, имеющие ионизационную камеру, сконструированную из материалов, устойчивых к гексафториду урана, или защищенные такими материалами;
e. Масс-спектрометры с молекулярным пучком, такие как:
1. Имеющие ионизационную камеру, сконструированную из нержавеющей стали или молибдена или защищенную ими, и камеру охлаждения, обеспечивающую охлаждение до 193К (-80 0С) или менее; или
2. Имеющие ионизационную камеру, сконструированную из материалов или защищенную материалами, устойчивыми по отношению к гексафториду урана;
f. Масс-спектрометры, оборудованные микрофтористым источником ионов, разработанные для использования с актинидами или фторидами актинидов.
3A233 а. 9027 80 970 0
3A233 b. 9027 80 970 0
3A233 с 9027 80 970 0
3A233 d. 9027 80 970 0
3A233 е. 9027 80 970 0
3A233 f. 9027 80 970 0
3А234 Полосковые линии для обеспечения малоиндуктивного соединения с детонатором, имеющие все следующие характеристики:
a) номинальное напряжение более 2 кВ и
b) индуктивность менее 20 нГ.
3 В Испытательное, контрольное и производственное оборудование
3B001 Нижеперечисленное оборудование для производства полупроводниковых приборов или материалов и специально разработанные компоненты и оснастка для них:
а. Установки, предназначенные для эпитаксиального выращивания, такие, как:
1. Оборудование, способное производить следующее:
a. Кремниевый слой с равномерной толщиной менее +/- 2,5 % на протяжении 200 мм или более; или
b. Слой из любого материала помимо кремния равномерной толщины менее +/- 2,5 % на протяжении 75 мм или более;
2. Установки химического осаждения паров металлорганических соединений, специально разработанные для выращивания кристаллов сложных полупроводников с помощью химических реакций между материалами, которые контролируются по пункту 3C003 или 3С004.
3. Молекулярно-лучевые установки эпитаксиального выращивания, использующие газовые источники;
b. Установки, разработанные для ионной имплантации, обладающие любой из следующих характеристик:
1. Энергетика пучка (ускоряющее напряжение) свыше 1 МэВ;
2. Специально спроектированные и оптимизированные для работы с энергетикой пучка (ускоряющим напряжением) ниже 2 кэВ;
3. Обладающие способностью непосредственной записи; или
4. Энергетика пучка в 65 кэВ или более и ток пучка в 45 миллиампер или свыше, пригодные для высокоэнергетической имплантации кислорода в нагретую «подложку» полупроводникового материала;
d. Установки химического парогазового осаждения и плазменной стимуляции, такие как:
1. С покассетной обработкой пластин и загрузкой через загрузочные шлюзы, спроектированные в соответствии с техническими спецификациями производителя или оптимизированные для использования в производстве полупроводниковых устройств, с критическими размерами в 180 нм или менее.
2. Специально спроектированные для оборудования, контролируемого по пункту 3B001.е. в соответствии с техническими спецификациями производителя, или оптимизированные для использования в производстве полупроводниковых устройств с критическими размерами в 180 нм или менее;
e. Управляемые встроенной программой автоматически загружаемые многокамерные системы с центральной загрузкой пластин, имеющие все следующие составляющие:
1. Средства сопряжения для загрузки и выгрузки пластин (подложек), разработанные с возможностью подключения более двух отличных по функциональным возможностям инструментов для обработки полупроводников, определенных в пп. 3B001.a.1., 3B001.a.2., 3B001.a.3 или 3B001.b.; и
2. Предназначенные для создания интегрированной системы последовательной многопозиционной обработки пластин в вакуумной среде;
Примечание: пункт 3B001.е. не контролирует автоматические робототехнические системы загрузки пластин, не предназначенные для работы в вакууме.
Примечание: пункт 3B001.e.2, инструменты для обработки полупроводников относятся к инструментам модульной конструкции, которые обеспечивают такие, отличные по функциональности, физические процессы производства полупроводников, как осаждение, ионная имплантация или термообработка.
f. Установки литографии, такие как:
1. Установки многократного совмещения (прямой шаг на пластину) и экспонирования или пошагового экспонирования и сканирования (сканнер) для обработки пластин методом фотооптической или рентгеновской литографии, имеющие любую из следующих составляющих:
a. Источник света с длиной волны короче 350 нм; или
b. Способность воспроизводить рисунок с «минимальным размером разрешения» от 0,35 мкм и менее
Техническое примечание: «Минимальный размер разрешения» (МРР) рассчитывается по следующей формуле:
(длина волны излучения света в мкм) х (к фактор)
МРР = цифровая апертура
где К фактор = 0,7;
МРР - минимальный размер разрешения.
2. Установки, специально спроектированные для производства шаблонов или обработки полупроводниковых приборов с использованием отклоняемого фокусируемого электронного луча, пучка ионов или луча «лазера», обладающие любой из следующих характеристик:
a. Размер пятна менее 0,2 мкм;
b. Способность производить рисунок с минимальными разрешенными проектными нормами менее 1 мкм; или
c. Точность совмещения лучше +/- 0,20 мкм (3 сигма);
3. Оборудование, специально разработанное для изготовления шаблонов, удовлетворяющее всем следующим условиям:
a. Отклоняемый сфокусированный электронный, ионный или «лазерный» пучок; и
b. Имеющее любую из следующих характеристик:
1. Полная ширина пятна на полувысоте пучка (FWHM) менее 65 нм и на поверхности размещения изображения менее 17 нм (среднее +3 сигма); или
2. Погрешность совмещения второго слоя менее 23 нм (среднее +3 сигма) на шаблоне.
3. Производственное оборудование, разработанное для прямого формирования рисунка на подложке, удовлетворяющее всем следующим условиям:
a. Отклоняемый сфокусированный электронный пучок; и
b. Имеющее любую из следующих характеристик:
1. Минимальный диаметр пучка 15 нм или менее; или
2. Погрешность совмещения менее 27 нм (среднее +3 сигма);
g. Шаблоны или промежуточные фотошаблоны, разработанные для интегральных схем, контролируемых по пункту 3А001;
h. Многослойные шаблоны с фазосдвигаюшим слоем.
Примечание: пунктом 3B001.h. не контролируются многослойные шаблоны в фазосдвигающим слоем, предназначенным для производства запоминающих устройств (ЗУ), не контролируемых 3A001.
3B001 а. 1. 8419 89
8486 10 000
8486 20
8479 89
3B001 а. 2. 8419 89
8486 10 000
8486 20
8419 89
3B001 а. 3. 8417 80
8479 89
8543
3B001 b. 8456 10
8486 10 000 9
8486 20
8486 30
8543
3B001 с. 1. 8456 90 000 0
8456
3B001 с. 2. 8456 90 000 0
8456
3B001 d. 8456 90 000 0
8419 89 100 0
8419 89 300 0
3B001 е. 8456
8456 90 000 0
8486 10 000 9
8486 30
8486
8479 50 000 0
3B001 f. 1. 8443 39
3B001 f. 2. 8456 10
8486 10 000 9
8486
8486 30
8456 90
3В001 f.3. 8456 10
8486 10 000 9
8486 20
8486 30
8456 90
3B001 f.4. 8456 10
8486 10 000 9
8486 20
8486 30
8456 90
3B001 g. 8471
8443 31
8443 32
8528
8517 62
9010 90
3B001 h. 9010 90 000 0
